MoS2 tabanlı fotodedektör üretimi ve karakterizasyonu
MoS2 based photodetector production and characterization
- Tez No: 871712
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 234
Özet
Amaç: Bu çalışmada, elektrokimyasal yöntemle elde edilen ince MoS2 filminin p-Si üzerine kaplanması, elde edilen heteroeklemde MoS2 filmin farklı tavlama sıcaklığı ve sürelerin aygıt performansına etkisi amaçlanmıştır. Yöntem: Bu çalışmada, değişen elektrokimyasal biriktirme süreleriyle elde edilen MoS2 ince filmleri farklı sıcaklıklarda tavlanmıştır. Elde edilen yapılar SEM (Taramalı Elektron Mikroskopu), XRD (X-ışını Kırınımı) ve UV-VIS-NIR Spektrometresi ile analiz edilmiştir. Aygıt parametreleri karanlıkta ve ışıkta alınan I-V (akım-gerilim) ölçümleriyle belirlenmiştir. 10 mW/cm2'den 150 mW/cm2'ye kadar değişen güce sahip görünür ışık ve 8 mW/cm2 güce sahip UV ve IR ışık kaynakları ile fotodedektör parametreleri belirlenmiştir. Bulgular: Yapılan analiz ve ölçümler sonucunda, en iyi aygıt performansı 60 dk biriktirme süreli ve 4000C tavlama sıcaklığında elde edilmiştir. Artan görünür ışık şiddeti ile fototepkinin arttığı görülmüştür. Ayrıca aygıtların UV-IR bölgede de ışığa karşı duyarlılığının olduğu tespit edilmiştir. Sonuç: Elektrokimyasal biriktirme yöntemiyle elde edilen MoS2 ince film tabanlı görünür-UV-IR ışık kaynakları altında çalışabilen yüksek duyarlılığa ve kararlılığa sahip fotodedektörler elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
Purpose: In this study, it was aimed to coat the thin MoS2 film obtained by electrochemical method on p-Si, and to investigate the effects of different annealing temperatures and times on the device performance of the MoS2 film in the resulting heterojunction. Method: In this study, MoS2 thin films obtained with varying electrochemical deposition times were annealed at different temperatures. The obtained structures were analyzed by scanning electron microscope (SEM), X-ray diffraction (XRD) and UV-VIS-NIR spectrometry. Device parameters were determined by current-voltage (I-V) measurements taken in the dark and under the light. Photodetector parameters were determined with visible light with power varying from 10 mW/cm2 to 150 mW/cm2, and UV and IR light sources with power of 8 mW/cm2. Findings: As a result of the analysis and measurements, the best device performance was obtained with a deposition time of 60 minutes and an annealing temperature of 4000C. It has been observed that photoresponse increases with increasing visible light intensity. It has also been determined that the devices are sensitive to light in the UV-IR region. Result: Photodetectors with high sensitivity and stability that can work under visible-UV-IR light sources based on MoS2 thin film obtained by electrochemical deposition method have been obtained.
Benzer Tezler
- Magnetron saçtırma tekniği ile büyütülen MoS2 ince filmlerin optik karakterizasyonu
Optical characterisation od MoS2 thin films grown by magnetron sputter
HÜRGÜL CENGİZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EDA GOLDENBERG
- Adaptive metasurface designs for thermal camouflage, radiative cooling, and photodetector applications
Termal kamuflaj, ısınımlı soğutma ve fotodedektör uygulamaları için uyarlanabilir metayüzey tasarımları
EBRU BUHARA
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Development of monolayer mos2 based enzyme sensors
Tek katmanlı mos2 tabanlı enzim sensörlerinin geliştirilmesi
CEM ODACI
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FERİDUN AY
- Çevresel gaz algılama için 2B molibden dikalkogen tabanlı sensörlerin geliştirilmesi
Development of 2D molybdenum dichalcogenides-based sensors for environmental gas sensing
ESRA KUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Bilim ve Teknolojiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FAHRETTİN SARCAN
- Temperature dependent electrical properties of MoS2/n-Si heterojunction
MoS2/n-Si heteroeklemin sıcaklığa bağlı elektriksel özellikleri
HONAR SALAH AHMED
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK