İki boyutlu InGaAs/GaAs yapısında elektronik enerjilere ve safsızlık bağlanma enerjisine, basınç, sıcaklık ve yapı parametrelerinin etkisi
Effect of pressure, temperature and structure parameters on electronic energies and impurity binding energy in two-dimensional InGaAs/GaAs structure
- Tez No: 871963
- Danışmanlar: PROF. DR. PINAR BAŞER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Parçacık hareketinin çeşitli boyutlarda kuşatılması ile elde edilen düşük boyutlu sistemler teorik ve deneysel araştırmacıların oldukça ilgisini çekmiştir. Taşıyıcı hareketinin tek boyutla kuşatılmış ve iki boyutta serbest olduğu, yarı iletken malzemeler kuantum kuyuları olarak bilinir. Bu yapılar ayarlanabilir bant aralığı, katkılama ve ayarlanabilir sıcaklık ve iletkenlik gibi özelliklerinden dolayı pek çok optoelektronik cihaz oldukça dikkat çeken yapılardır. Örneğin, THz fotodedektörler, infrared fotodedektörler, lazerler, heteroeklem bipolar transistörler gibi pek çok uygulama alanına sahiptirler. Kristal büyütme teknikleri ile üretilen III-V yarı iletkenlerinden InxGa1−xAs/GaAs kuantum kuyuları optoelektronik ve mikroelektronik uygulamalardaki özellikler bakımından oldukça dikkat çekicidir. Bu alaşımlar yüksek güçlü elektronik ve optoelektronik cihazların geliştirilmesinde önemli bir role sahiptir. Bu yarı iletkendeki parçacıklar çok yüksek hızlarda hareket eder ve taşıyıcıların femtosaniyelik ömrü onları cihaz tasarımları için oldukça tercih edilir. InGaAs'ın bant aralığı 0.36'dan 1.42 eV'ye (x= 0 ile 1 arasında ) kadar geniş bir aralığı kapsar. Bu nedenle fiber optik ve dedektör yapımı için bu malzeme grubu avantajlıdır. Hidrostatik basınç ve sıcaklık gibi yapıya uygulanan harici etkenler malzemenin optik ve elektronik özelliklerini ayarlamak ve incelemek için önemli bir termodinamik değişkendir. Bu motivasyonlabu tez kapsamında hidrostatik basınç ve sıcaklık etkisinin InxGa1−xAs/GaAs kare kuyu potansiyelindeki elektronların taban durum elektronik enerji düzeylerine ve safsızlık bağlanma enerjisine etkisi etkin kütle yaklaşımı altında hesaplandı.
Özet (Çeviri)
Low-dimensional systems obtained by confinement particle motion in various dimensions have attracted much attention from theoretical and experimental researchers. Semiconductor materials in which carrier movement is confined in one dimension and free in two dimensions are known as quantum wells. These structures attract attention in many optoelectronic devices due to their features such as adjustable band gap, doping, adjustable temperature and conductivity. For example, they have many application areas such as THz photodetectors, infrared photodetectors, lasers, heterojunction bipolar transistors. InxGa1−xAs/GaAs quantum wells, one of the III-V semiconductors produced by crystal growth techniques, are quite remarkable in terms of their properties in optoelectronic and microelectronic applications. These alloys have an important role in the development of high-power electronic and optoelectronic devices. Particles in this semiconductor move at very high speeds, and the femtosecond lifetime of the carriers makes them highly desirable for device designs. The band gap of InGaAs has a wide range from 0.36 to 1.42 eV (x = 0 to 1). Therefore, this material group is advantageous for fiber optic and detector construction. External factors applied to the structure, such as hydrostatic pressure and temperature, are an important thermodynamic variable to tune and study the optical and electronic properties of the material. With this motivation, within the scope of this thesis, the effects of hydrostatic pressure and temperature on the ground state electronic energy levels and impurity binding energy of electrons in the InxGa1−xAs/GaAs square well potential were calculated under the effective mass approach.
Benzer Tezler
- Stability of two dimensional (2D) structures based on GaAs
GaAs tabanlı iki boyutlu (2b) yapıların kararlılıkları
MUSTAFA EROL
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OĞUZ GÜLSEREN
- Fabrication, modeling and characterization of GaN HEMTs, and design of high power MMIC amplifiers
GaN HEMT yapılarının üretimi, modellenmesi ve ölçümü, ve yüksek güçlü MMIC yükselteçlerin tasarımı
MUHAMMED ABDULCELİL ACAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Farklı katkılanmış yarı iletken malzemelerin arayüzey potansiyel profillerinin belirlenmesi
The determination of interface potential profiles of differently doped semiconductor materials
EMİNE ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. YÜKSEL ERGÜN
- Study of the II superconductor properties and new preparation technique
İkinci tip süperiletkenin özellikleri, çalışması ve yeni hazırlama tekniği
İBRAHİM HALİL MUTLU
- Fotonik kristallerin özellikleri ve bazi parametrelerinin hesaplanmasi
Properties of photonic crystals and calculation of their some parameters
UTKU ERDİVEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. YÜKSEL UFUKTEPE