İki boyutlu InGaAs/GaAs yapısında elektronik enerjilere ve safsızlık bağlanma enerjisine, basınç, sıcaklık ve yapı parametrelerinin etkisi
Effect of pressure, temperature and structure parameters on electronic energies and impurity binding energy in two-dimensional InGaAs/GaAs structure
- Tez No: 871963
- Danışmanlar: PROF. DR. PINAR BAŞER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 58
Özet
Parçacık hareketinin çeşitli boyutlarda kuşatılması ile elde edilen düşük boyutlu sistemler teorik ve deneysel araştırmacıların oldukça ilgisini çekmiştir. Taşıyıcı hareketinin tek boyutla kuşatılmış ve iki boyutta serbest olduğu, yarı iletken malzemeler kuantum kuyuları olarak bilinir. Bu yapılar ayarlanabilir bant aralığı, katkılama ve ayarlanabilir sıcaklık ve iletkenlik gibi özelliklerinden dolayı pek çok optoelektronik cihaz oldukça dikkat çeken yapılardır. Örneğin, THz fotodedektörler, infrared fotodedektörler, lazerler, heteroeklem bipolar transistörler gibi pek çok uygulama alanına sahiptirler. Kristal büyütme teknikleri ile üretilen III-V yarı iletkenlerinden InxGa1−xAs/GaAs kuantum kuyuları optoelektronik ve mikroelektronik uygulamalardaki özellikler bakımından oldukça dikkat çekicidir. Bu alaşımlar yüksek güçlü elektronik ve optoelektronik cihazların geliştirilmesinde önemli bir role sahiptir. Bu yarı iletkendeki parçacıklar çok yüksek hızlarda hareket eder ve taşıyıcıların femtosaniyelik ömrü onları cihaz tasarımları için oldukça tercih edilir. InGaAs'ın bant aralığı 0.36'dan 1.42 eV'ye (x= 0 ile 1 arasında ) kadar geniş bir aralığı kapsar. Bu nedenle fiber optik ve dedektör yapımı için bu malzeme grubu avantajlıdır. Hidrostatik basınç ve sıcaklık gibi yapıya uygulanan harici etkenler malzemenin optik ve elektronik özelliklerini ayarlamak ve incelemek için önemli bir termodinamik değişkendir. Bu motivasyonlabu tez kapsamında hidrostatik basınç ve sıcaklık etkisinin InxGa1−xAs/GaAs kare kuyu potansiyelindeki elektronların taban durum elektronik enerji düzeylerine ve safsızlık bağlanma enerjisine etkisi etkin kütle yaklaşımı altında hesaplandı.
Özet (Çeviri)
Low-dimensional systems obtained by confinement particle motion in various dimensions have attracted much attention from theoretical and experimental researchers. Semiconductor materials in which carrier movement is confined in one dimension and free in two dimensions are known as quantum wells. These structures attract attention in many optoelectronic devices due to their features such as adjustable band gap, doping, adjustable temperature and conductivity. For example, they have many application areas such as THz photodetectors, infrared photodetectors, lasers, heterojunction bipolar transistors. InxGa1−xAs/GaAs quantum wells, one of the III-V semiconductors produced by crystal growth techniques, are quite remarkable in terms of their properties in optoelectronic and microelectronic applications. These alloys have an important role in the development of high-power electronic and optoelectronic devices. Particles in this semiconductor move at very high speeds, and the femtosecond lifetime of the carriers makes them highly desirable for device designs. The band gap of InGaAs has a wide range from 0.36 to 1.42 eV (x = 0 to 1). Therefore, this material group is advantageous for fiber optic and detector construction. External factors applied to the structure, such as hydrostatic pressure and temperature, are an important thermodynamic variable to tune and study the optical and electronic properties of the material. With this motivation, within the scope of this thesis, the effects of hydrostatic pressure and temperature on the ground state electronic energy levels and impurity binding energy of electrons in the InxGa1−xAs/GaAs square well potential were calculated under the effective mass approach.
Benzer Tezler
- Electrıcal characterısatıon of InGaAs/GaAs quantum well and graphene semıconductor structures
InGaAs/GaAs kuantum kuyusu ve grafen yarıiletken yapıların elektriksel karakterizasyonu
ADAL. AB. MA. RAJHI ADAL. AB. MA. RAJHI
Doktora
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- Tek ve çok eklemli GAAS/Sİ güneş hücrelerinin iki boyutlu modellenmesi ve optimizasyonu
2-dimensional modeling and optimization of single junction and multijunction GAAS/Sİ solar cells
TAHİR KARADAĞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMaltepe ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NEVİN TAŞALTIN
- Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
TOLGA YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Kesirli kuantize Hall etkisinin mikroskobik temelli perdeleme kuramı
Microscopic-based screening theory of fractional quantized Hall effect
AYSEVİL SALMAN
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAkdeniz ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MELİKE B. YÜCEL
- GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0,3) çoklu kuantum kuyuların elektronik özellikleri ve sıcak elektron güç kaybı mekanizmalarının magnetotransport ölçümlerle incelenmesi
Investigation of electronic properties and hot electron power loss mechanisms in GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0,3) multiple quantum wells by magnetotransport measurements
ENGİN ARSLAN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MEHMET CANKURTARAN