Geri Dön

Selüloz nanokristal (CNC) arayüzeye sahip metal/yalıtkan/yarıiletken (MIS) yapılı aygıtların karakterizasyonu

Characterization of metal/insulator/semiconductor (MIS) structured devices with nanocellulose crystal (CNC) interface

  1. Tez No: 879122
  2. Yazar: HİCRAN BİLGE
  3. Danışmanlar: PROF. DR. OSMAN PAKMA
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Batman Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 97

Özet

Bu tez çalışmasında selüloz nanokristal (CNC) yalıtkan malzemesi metal/yarıiletken arayüzeyine uygulayarak Al/CNC/p-Si (MIS) yapısı elde edilmiştir. Öncelikle analiz çalışmaları için ayrılan nanoselülözün; dinamik ışık saçılımı spektrometresi (DLS), zeta potansiyeli, ultraviyole ve görünür ışık (UV-Vis) soğurma spektroskopisi, raman spektrometresi ve taramalı geçirimli elektron mikroskobu (STEM) analizleri yapılmıştır. Daha sonra elde edilen Al/CNC/p-Si (MIS) yapısının oda sıcaklığında ve karanlık altındaki elektriksel karakterizasyonları akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. I-V sonuçlarından idealite faktörü (n) değeri 1,72 ve sıfır beslem engel yüksekliği (B) değeri de 0,80 eV olarak hesaplanmıştır. Hesaplanan idealite faktörü değerinden büyük çıkması Al/p-Si arasındaki CNC ara yüzey filminin varlığı ve ara yüzey durum dağılımları, ayrıca da p-Si yarıiletken tabakasının nötral bölgesinin seri direncinin yüksek olması ideallikten sapmaya atfedilmiştir. Ayrıca yapının seri direnç (Rs) etkisi de dikkate alınmış; Norde ve Cheung yöntemiyle Rs değeri hesaplanmıştır. Son olarak Al/CNC/p-Si (MIS) yapımızın C-V ölçümlerinden; frekansa bağlı C-V ve iletkenlik-gerilim (G-V) değişimleri incelenmiştir. Tüm sonuçlar literatür ile karşılaştırılarak yorumlanmıştır. Sonuç olarak; selüloz nanokristal (CNC) yalıtkan malzemesi elektronik aygıt uygulamalarında kullanılabilecek yalıtkan malzemelere potansiyeldir.

Özet (Çeviri)

In this study, Al/CNC/p-Si (MIS) structure was obtained by applaying cellulose nanocrystal (CNC) insulating meterial to the metal/semiconductor interface. First of all, the nanocellulose allocated for analysis studies; dynamic light scattering spectrometry (DLS), zeta potantial, ultraviolet and visible light (UV-Vis) absorption spectroscopy, raman spectrometry and scannig transmission electron microscopy (STEM) analyzes were performed. Then the electrical characterization of the obtained Al/CNC/p-Si (MIS) structure at room temperature and in the dark was carried out by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements. From the I-V results, the ideality factor (n) was calculated as 1.72 and the barrier height (B) was calculated as 0,8 eV. The fact that the calculated ideality factor is higher than the required ideality factor is attributed to the deviation from ideality due to the presence of the CNC interface film between Al/p-Si and the interface state distributions, as well as the high series resistance of the neutral region of the p-Si semiconductor layer. In addition, the series resistance (Rs) effect of the structure was also taken into account; Rs was calculated by Norde and Cheung method. Finally, from the (C-V) measurements of Al/CNC/p-Si (MIS) structure; Frequency-dependent (C-V) and conductivity-voltage (G-V) changes were examined. All results were interpretd by comparing them with the literature. In conclusion; Cellulose nanocrystal (CNC) insulator meterial is a potantial insulator meterial that can be usedin electronic device applications.

Benzer Tezler

  1. Preparation and characterization of polylactide/poly (butylene adipate-co-terephthalate)/cellulose nanocrystal blend nanocomposites

    Selüloz nanokristal içeren polilaktik/poli (bütilenadipat-ko-tereftalat) harman nanokompozitlerin hazırlanması ve karakterizasyonu

    DENİZ SEMA SARUL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Polimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MOHAMMADREZA NOFAR

  2. Fabrication of thin film nanocomposite pressure retarded osmosis (PRO) membranes using cellulose nanocrystal (CNC) and evaluation of performances in the processes

    Selüloz nanokristal kullanılarak ince film nanokompozit basınç geciktirmeli osmoz (BGO) membranlarının üretimi ve proseslerde performans testlerinin gerçekleştirilmesi

    MEHMET EMİN PAŞAOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Çevre Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Çevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMAİL KOYUNCU

  3. Effect of polylactide molecular weight on cellulose nanocrystal dispersion quality

    Polilaktitin molekül ağırlığının selüloz nanokristal dağılım kalitesine etkisi

    ANIL DÜNDAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Polimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MOHAMMADREZA NOFAR

  4. Surface modified cellulose nanocrystal incorporated nanocomposites

    Yüzey modifiye selüloz nanokristal katkılı nanokompozitler

    ONUR NURİ ARSLAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MOHAMMADREZA NOFAR

  5. Influence of cellulose nanocrystals and nanosilica on microstructural and mechanical performance of cementbased materials

    Selüloz nanokristalleri ve nanosilikanın çimento esaslı malzemelerin içyapı ve mekanik performansına etkisi

    ALI SATAR JABER AL-ASKARY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    İnşaat MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ DİDEM OKTAY