İki farklı foto – polimer ara yüze sahip metal – polimer - yarıiletken (MPS) aygıtının elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of metal-polymer-semiconductor (MPS) devices with two different photo-polymer interfaces
- Tez No: 884169
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞADAN ÖZDEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
Bu tez çalışmasında iki farklı (TMPTA ve NOA65) foto – polimer kullanarak Al/TMPTA+NOA65/p-Si metal – polimer – yarıiletken (MPS) aygıtı üretilmiş ve bu aygıtın elektriksel karakterizasyonu yapılmıştır. Sonuçlara göre aygıt 420 değerinde yüksek bir doğrultma faktörüne, 10-7 A ters besleme doyma akımına sahiptir ve diyot idealite sabiti de 2 olarak bulunmuştur. Aygıtta seri direnç etkileri olduğu belirlenmiştir ve bu direncin değeri iki farklı yöntemle 6,7 kΩ ve 1,5 kΩ civarında bulunmuştur. Farklı aydınlatma şiddetleri altında yapılan ölçümler aygıtın iyi bir foto diyot davranışı sergilediği göstermiştir ve ayrıca TMPTA ve NOA65'in yalnız başına kullanıldıklarına göre çok daha yüksek bir foto duyarlılık değeri elde edilmiştir. Ayrıca hem akım – voltaj hem de frekansa bağlı kapasitans, kondüktans voltaj ölçümleri aygıtta ara yüz durumlarının oldukça etkin olduğunu göstermiştir. Birlikte kullanılan iki foto – polimerin hem doğrultucu kontak hem de fotodiyot özellikleri açısından uygun ara yüz malzemeleri oldukları bu çalışmada gösterilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, Al/TMPTA+NOA65/p-Si metal - polymer - semiconductor (MPS) device was fabricated using two different (TMPTA and NOA65) photo - polymers and electrical characterization of this device was performed. The results show that the device has a high rectification factor of 420, a reverse bias saturation current as 10-7 A and a diode ideality factor of 2. The device was found to have series resistance effects and the value of this resistance was found to be around 6.7 kΩ and 1.5 kΩ by two different methods. Measurements under different illumination intensities showed that the device exhibited good photodiode behavior and also a much higher photosensitivity value was obtained than when TMPTA and NOA65 were used alone. In addition, both current-voltage and frequency dependent capacitance and conductance - voltage measurements have shown that the interface states in the device are highly efficient. The two photo-polymers used together have been shown to be suitable interface materials in terms of both rectifier contact and photodiode properties.
Benzer Tezler
- Au/(AgCdS:PVP)/n-Si schottky diyotların akım-voltaj (I-V) ve kapasitans/iletkenlik-voltaj (C/G-V) özelliklerinin karanlık ve 100 mw/cm2 ışık şiddeti altında incelenmesi
Investigation of current-voltage (I-V) and apacitance/conductivity-voltage (C/G-V) properties of Au/(AgCdS:PVP)/n-Si schottky diodes in dark and under 100 mw/cm2 illumination intensity
GAMZE ASLANBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. PERİHAN DURMUŞ
PROF. DR. HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA
- Thin film composite (TFC) nanofiltration membranes for water softening
Su yumuşatma amaçlı kullanılan ince film kompozit nanofiltrasyon membranları
TUTKU NUR MEMİÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞERİFE BİRGÜL ERSOLMAZ
DR. SİMGE TARKUÇ
- New approaches for photoinduced step-growth polymerizations
Fotobaşlatılmış aşamalı polimerizasyonlar için yeni yaklaşımlar
HÜSEYİN CEM KILIÇLAR
- Kinolin sübstitüe ftalosiyaninlerin sentezi, optik ve elektrokimyasal özelliklerinin incelenmesi
Synthesis and examination of optical and electrochemical properties of quinoline-substituted phthalocyanines
FUAT DAHİL
- Development of reactive phosphonate and phosphonic acid-contaning methacrylates
Fosfonat ve fosfonik asit içeren reaktif metakrilatların geliştirilmesi
SEDA EDİZER