Yarıiletken heteroyapılarda sıcaklığın ve basıncın yüklü parçacıklara etkisinin bilgisayar analizi
Computer analysis of temperature and pressure effects on the charged particles in semiconductor heterostructures
- Tez No: 101011
- Danışmanlar: DOÇ.DR. HİLMİ ÜNLÜ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 50
Özet
YARIİLETKEN HETEROYAPILARDA SICAKLIĞIN VE BASINCIN ELEKTRİK YÜKLÜ PARÇACIKLARA ETKİSİNİN BİLGİSYAR ANALİZİ ÖZET Günümüzde önemli rol oynayan bilgi işlem ve haberleşme teknolojilerinin yapıtaşlanm oluşturan elektronik cihazların üretiminde Ge, Si, GaAs ve InP gibi yarıiletken kristaller büyük önem taşımaktadır. GaAs, InP gibi III-V ikili ve AlGaAs ve InGaAs gibi alaşım yarıiletkenlerden yapılan heteroyapılar ekonomik olarak teknolojide geniş ölçüde uygulanmaktadır. Elektronik ve optiksel özelliklerinden yararlanılarak önemli kristaller yapılmaktadır. III-V ikili ve üçlü (alaşım) bileşiklerinden oluşan heteroyapılarda, serbest yüklü taşıyıcıların hareket yeteneğinin ve sürüklenme hızının yüksek olmasından dolayı mikrodalga ve haberleşme optiksel cihazlarda kullanılmaktadır. Bu yarıiletkenler Si ve Ge tabanlı cihazlardan çok daha yüksek elektron ve boşluk mobilitesine (hareket yeteneği) sahiptir. ikili (binary) ve üçlü (ternary) yarıiletken heteroyapılardan yapılan yüksek hızlı ve düşük fiziksel gürültülü elektronik ve optoelektronik cihazların kullanımında, ortam sıcaklığının ve basıncın neden olduğu bazı ölçüm belirsizlikleri vardır. Bu tezin kapsamı içinde, sayısal modelleme ile fiziksel gürültüsü düşük, yüksek hızla çalışan GaAs ve mikrodalga VLSI devre tasarımı için önemli olan, GaAs/Ge heteroyapıda sıcaklığın ve basıncın enerji band seviyelerine ve serbest yüklü parçacık (elektron ve boşluk) hareketlerine etkileri incelenmiştir. Özellikle, NGaAs/pGe/nGe (EgN>Egp) heteroyapısının (HBT) enerji band aralığı ve yüklü parçacık hareketi sıcaklığın ve basıncın fonksiyonu olarak incelendi. Bu çalışmanın sonunda, elektron-fonon etkileşmesinin ve hacimsel genleşmenin heteroyapı bipolar transistörlerin veriminde önemli rol oynadığı tespit edilmiştir. xı
Özet (Çeviri)
COMPUTER ANALYSIS OF TEMPERATURE AND PRESSURE EFFECTS ON ELECTRICALLY CHARGED PARTICLES IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES SUMMARY Semiconductor crystals such as Ge, Si, GaAs and InP are very important for the fabrication of electronic and optoelectronic devices, which form the corner stones of data processing and communication technologies in our daily life. Heterostructures made from binary and ternary semiconductors such as GaAs, InP, AlGaAs and InGaAs, are important in computer technology on vast scale. Important crystals are made by benefiting from their electronic and optoelectronic properties. They are important because of the fact that the mobility therefore speed of free carriers are much higher than bulk Si and Ge crystals. There are uncertainties in measurement of the performance of the devices caused by environment temperature and pressure. The effects of temperature and pressure on the energy levels and the mobility of free carriers (electrons and holes) in GaAs/Ge heterostructures and the current gain of Npn GaAs/Ge heterojunction bipolar transistors (HBT) are studied using numerical analysis. It is concluded that the electronic band structure of bulk semiconductors and GaAs/Ge heterostructures show alterations upon increasing temperature. Furthermore, the dc current gain of Npn GaAs/Ge heterojunction bipolar transistors (HBTs) decreases with increasing temperature. Xll
Benzer Tezler
- AlGaAs/GaAs heteroyapılarda öz uyumlu potansiyel hesabı
Self-consistent calculation of the potential at AlGaAs/GaAs heterostructures
SELMAN MİRİOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. GÖRKEM OYLUMLUOĞLU
- İki boyutlu Van der Waals heteroyapılara ait magnetik özelliklerin ilk ilkesel yöntemlerle incelenmesi
Investigation of the magnetic properties of two dimensional Van der Waals heterostructures with first principles methods
DOĞUKAN LELOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞABAN BORA ALKAN
- Semiconductor nanoplatelet heterostructures enhanced via combinations of colloidal atomic layer deposition and hot injection shell growths
Koloidal atomik katman kaplama ve sıcak enjeksiyon kabuk kaplama yöntemlerinin birleşimiyle geliştirilen yarı iletken nanolevha heteroyapıları
ULVIYYA QULIYEVA
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR
- Material and device characterization of ZnInSe2 and Cu0.5Ag0.5InSe2 thin films for photovoltaic applications
ZnInSe2 ve Cu0.5Ag0.5InSe2 ince filmlerinin fotovoltaik uygulamalar için malzeme ve aygıt karakterizasyonu
HASAN HÜSEYİN GÜLLÜ
Doktora
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET PARLAK
PROF. DR. AYŞE ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- Nitrit temelli (III-V) yarıiletken heteroyapıların morfolojik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigaton of morphologic and electrical properties of nitride-based (III-V) semiconductor?s heterostructure
ZEKİ TEKELİ