Benzotiyazol ve maleonitril içeren organik arayüzey tabakalı Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin ışığa bağlı I-V (akım-voltaj) ölçümlerinden belirlenmesi
determination of electrical characteristics of Schottky diodes with organic interface layers containing benzothiazole and maleonitrile from light dependent I-V (current-voltage) measurements
- Tez No: 905840
- Danışmanlar: PROF. DR. SERKAN EYMUR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Arşiv, Archive
- Anahtar Kelimeler: Aydınlatma şiddeti, Organik bileşik, Schottky diyot, Illumination intensity, Organic compound, Schottky diode
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 97
Özet
Bu çalışmada, ABTAM organik bileşiği spin kaplama yöntemi kullanılarak p tipi Si alt plaka üzerine ince film şeklinde yayılarak kaplanmıştır. Sonuç olarak Al/ABTAM/p-Si/Al Schottky diyotu üretilmiş ve oda sıcaklığı ortamında diyotun ana elektriksel karakteristikleri, karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında yapılan I-V ölçümleri kullanılarak incelenmiştir. Elektriksel parametrelerden biri olan idealite faktörü karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 2,71 ve 1,41 olarak elde edilmiştir. Bir diğer elektriksel parametre olan engel yüksekliği (ɸ𝑏) karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 0,67 eV ve 0,76 eV sonuçları bulunmuştur. Aydınlatma şiddetine bağlı olarak idealite faktörü ve engel yüksekliğinde ters orantılı bir ilişki olduğu açıktır. İdealiteden sapmaya neden olan seri direnç (Rs) etkisinin değerleri Cheung ve Cheung fonksiyonları [dV/d(lnI) ve H(I)] kullanılarak ortaya koyulmuştur. Elde edilen seri direnç değerleri dV/d(lnI)-I ve H(I)-I grafiklerinin eğimlerinden karanlık için sırasıyla 67,84 Ω ve 69,14 Ω, 100 mW/cm2 için 60,93 Ω ve 61,65 Ω olarak bulunmuştur. Diğer etkili sapma sebebi olan arayüzey durum yoğunluğu (Nss) değerleri karanlık için 0,40 -Ev ve 0,62 -Ev aralığında 5,89 x 1012 eV-1cm-2'den 1,54 x 1012 eV-1cm-2'ye, 100 mW/cm2 için 4,25 x 1012 eV-1cm-2'den 3,60 x 1011 eV-1cm-2'ye çeşitlenmiştir. Al/ABTAM/p-Si/Al diyotunun fotovoltaik parametrelerini gösteren açık devre voltajı (Voc) ve kısa devre akımı (Isc) sırasıyla 0,114 V ve 9,118 x 10-6 A değerleri 100 mW/cm2 aydınlatma şiddeti altında elde edilmiştir. Diğer fotodiyot parametrelerini gösteren fotohassasiyet (S), akım iletim mekanizmaları incelenmiştir. Al/ABTAM/p-Si/Al diyotu için sonuçların incelenmesinden sonra diyotun bir fotodiyot özelliği gösterdiği ve optoelektronik alanında kullanılabileceği belirgindir.
Özet (Çeviri)
In this study, ABTAM organic compound was spread over p type Si wafer by using sping coating method as a thin film. As a result, Al/ABTAM/p-Si/Al Schottky diode was fabricated and main electrical characteristics of the diode were investigated using I-V measurements in dark and under various illumination intensity at room temperature. The ideality factor (n) values, one of the electrical parameters have been determined to be 2.71, 1.41 for dark and 100 mW/cm2, respectively. The barrier height (ɸ𝑏) values, other electrical parameter, have been found to be 0.67 eV, 0.76 eV for dark and 100 mW/cm2, respectively. It was clear that a relation between ideality factor and barrier height is inversely proportional to each other with respect to the illumination intensity. Values of series resistance effect causing deviation from the ideality was found out by Cheung functions [dV/d(lnI) and H(I)]. Obtained series resistance values for slopes of dV/d(lnI) vs I(A) and H(I) vs I(A) graphs were found as 67.84 Ω ve 69.14 Ω for dark and 60.93 Ω and 61.65 Ω for 100 mW/cm2, respectively. Surface state density (Nss), the other effective reason for the deviation from the ideality has varied from 5.89x1012 eV-1 cm-2 to 1.54 x 1012 eV-1 cm-2 for dark and from 4.25 x 1012 eV-1 cm-2 to 3.60 x 1011 eV-1 cm-2 for 100 mW/cm2 in the range of 0.40 -Ev to 0.62 -Ev , respectively. The open circuit voltage (Voc) and the short circuit current (Isc), reflect for photovoltaic characteristics of the Al/ABTAM/p-Si/Al diode were obtained as 0.114 V and 9.118 x 10-6 A for 100 mW/cm2 illumination intensity, respectively. Also, the other photodiode parameters such as photosensitivity (S) and current conduction as recombination was investigated. After investigation of the results for Al/ABTAM/p-Si/Al diode, it can be seen that the Al/ABTAM/p-Si/Al diode has photodiode characteristic and used at optoelectronic area.
Benzer Tezler
- 1-Benzotiyazol-2-il-4-(o-, m-, p-sübstitüe fenilazo)-1H-pirazol-3,5-diamin azo boyarmaddelerinin sentezi, karakterizasyonu ve UV-GB spektrofotometresindeki davranışlarının incelenmesi
Syntheses and charactarization of 1-Benzothiazole-2-yl-4-(o-, m-, p-sübstitutephenylazo)-1H-pyrazol-3,5-diamine and investigation of UV-vis absorbtion spectra
YASEMİN UMURHAN
- Benzotiyazol ve naftil grupları taşıyan kaliks[4]aren türevlerinin sentezi ve metal iyonları ile etkileşimlerinin incelenmesi
Synthesis of calix[4]arene derivatives carrying benzothiazole and naphthyl groups and investigation of its interactions with metal ions
OSAMAH SAAD MAJEED MAJEED
- Benzotiyazol ve imidazo [ 2,1-b ] [ 1,3,4 ] tiyadiazol halkasını birlikte içeren bileşiklerin sentezi, karakterizasyonu ve biyolojik aktivitelerinin incelenmesi
Synthesis, characterization and investigation of biological activities of compounds containing both benzothiazole and imidazo[ 2,1-b ] [ 1,3,4 ] thiadiazole rings
ARİF ÖZER
- Benzotiyazol ve pirazol halkası içeren yeni disazo boyar maddelerin sentezi, karakterizasyonu ve absorpsiyon özelliklerinin incelenmesi
Synthesis of new disazo dyes containing pyrazol and benzothiazole ring characterization and investigation of absorption properties
GÜLŞAH CİÇEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
KimyaSüleyman Demirel ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TAHİR TİLKİ
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM KARABACAK ATAY
- Yeni benzotiyazol ve naftalik türevli Schiff bazlarının sentezi ve spektroskopik yöntemlerle yapılarının aydınlatılması
Synthesis and characterization of some novel benzothiazole and naphtalic derivative Schiff bases
HAKİME DEMİRCİOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
KimyaEskişehir Osmangazi ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HANDAN CAN SAKARYA