GZO ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve aygıt uygulaması
Deposition, characterization and device application of GZO thin films
- Tez No: 927920
- Danışmanlar: PROF. DR. FUNDA AKSOY AKGÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışması, n-GZO/p-Si heteroeklemli nanoyapıların üretimi ve aygıt karakterizasyonu üzerinedir. İlk olarak GZO ince filmleri ucuz ve basit bir yöntem olan sol-jel spin kaplama tekniği kullanılarak üretildi ve hazırlanan ince filmlerin yapısal, optik, morfolojik ve elektriksel özellikleri, üretim sonrası tavlama sıcaklığının bir fonksiyonu olarak incelendi. Daha sonra, Si nanoteller yine solüsyon bazlı bir teknik olan metal destekli kimyasal aşındırma yöntemi ile sentezlendi ve Si nanotel kümeleri üzerine GZO ince filmleri sol-jel spin kaplama tekniği ile kaplanarak nanoyapılı aygıtlar oluşturuldu. Bu aygıtların cihaz karakteristikleri oda sıcaklığında, karanlıkta ve AM 1.5G aydınlatma koşulları altında ayrıntılı olarak incelendi. Gözlemlenen aygıt performansı, bu tez çalışması kapsamında araştırılan n-GZO/p-Si heteroeklem yapısından oluşan nanoyapılı cihaz tasarımının, gelecekteki optoelektronik uygulamalar için umut vadeden bir alternatif olabileceğini açıkça göstermektedir.
Özet (Çeviri)
This thesis study is about the fabrication and device characterization of n-GZO/p-Si heterojunction nanostructures. First, GZO thin films were produced using the sol-gel spin coating technique, which is a cheap and simple method, and the structural, optical, morphological and electrical properties of the prepared thin films were investigated as a function of the annealing temperature after fabrication. Then, Si nanowires were synthesized by the metal-assisted chemical etching method, which is also a solution-based technique, and GZO thin films were coated on Si nanowire arrays by the sol-gel spin coating technique to form nanostructured devices. The device characteristics of these devices were investigated in detail at room temperature, in the dark and under AM 1.5G illumination conditions. The observed device performance clearly shows that the nanostructured device design consisting of n-GZO/p-Si heterojunction structure investigated in this thesis study can be a promising alternative for future optoelectronic applications.
Benzer Tezler
- Türk tekstil sektörünün genel görünümü ve hazır giyim sektörümüz
Başlık çevirisi yok
ZEYNEP ASLANTÜRK(DİLBAZ)
Yüksek Lisans
Türkçe
1989
Tekstil ve Tekstil Mühendisliğiİstanbul Üniversitesiİktisat Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HALİT TARGAN ÜNAL
- Gemilerin manevra denklemlerinin bilgisayarla çözümü
The Solutions of equations of ship manoeuvres by the computer
EMİN KORKUT