Geri Dön

İndium nitrit yarıiletken bileşiğinde elektron taşınım özelliklerinin serbest taşıyıcı yoğunluğuna bağlı olarak Monte Carlo yöntemiyle incelenmesi

Investigation of electron transport properties of indium nitride semiconductor compound depending on free charge carrier density with Monte Carlo method

PDF İndir

  1. Tez No: 930770
  2. Yazar: ERCAN OCAK
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 100

Özet

Bu tez çalışması elektronik ve fotonik cihazların yapımında kullanılan İndium Nitrit (InN) yarıiletken bileşiğinin elektron taşınım özelliklerini serbest taşıyıcı yoğunluğuna bağlı olarak incelemektedir. Günümüze kadar bu alanda yapılan çalışmalarda serbest taşıyıcı yoğunluğu safsızlık saçılmalarını değiştiren bir etken olarak görülmekteydi. Ancak bu tez çalışmasında serbest taşıyıcı yoğunluğu artışının yarıiletkenin sahip olduğu band yapısını değiştirerek yeni bir band yapısına sebep olduğu ve buna bağlı olarak serbest elektronların yeni bir etkin kütle değeriyle iletime katıldığını göstermektedir. Tek elektron Monte Carlo metodu ile yarıiletken InN bileşiğinin elektronik performansı hesaplandığında ortaya çıkan dinamik davranışın önemli ölçüde değiştiği görülmektedir. Farklı serbest taşıyıcı yoğunluğu değerleri için hesaplanan band parametreleriyle incelenen dinamik sistemde saçılma, sürüklenme süreçlerinin değişime uğrayarak InN yarıiletken bileşiğine yeni bir elektronik davranış kazandırdığı anlaşılmaktadır. Bu elektronik davranış InN bileşiğinin yarıiletken tabanlı cihaz teknolijisi üretiminde kullanım alanlarını değiştireceği öngörülmektedir.

Özet (Çeviri)

This thesis study examines the electron transport properties of Indium Nitrite (InN) semiconductor compound, which is used in the construction of electronic and photonic devices, depending on the free carrier density. Until today, free carrier density was seen as a factor that changes impurity scattering. However, in this thesis study, it is shown that the increase in free carrier density causes a new band structure by changing the band structure of the semiconductor, and accordingly, free electrons participate in conduction with a new effective mass value. When the electronic performance of the semiconductor InN compound was calculated by the single electron Monte Carlo method, it was observed that the resulting dynamic behavior changed significantly. It is understood that the scattering and drift processes in the dynamic system examined with the band parameters calculated for different free carrier density values, change and give the InN semiconductor compound a new electronic behavior. It is predicted that this electronic behavior InN compound will change the fields of use in the production of semiconductor-based device technology.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    917292

    Farklı Bakır Kaynakları Kullanılarak Cu2O İnce Filmlerin Elektrokimyasal Depolama Yöntemi ile Hazırlanması ve Özelliklerinin Araştırılması

    Preparation of Cu2O Thin Films by Electrochemical Deposition Method Using Different Copper Sources and Investigation of Their Properties

    NUHAT SAKİN URFAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ

  2. Tez No

    450635

    Biological applications of nanoparticles produced by laser ablation method

    Lazer ablasyon yöntemiyle üretilen nanoparçacıkların biyolojik uygulamaları

    CANAN KURŞUNGÖZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BÜLEND ORTAÇ

  3. Tez No

    246561

    Refractive index tuning with burstein-moss effect in indium nitrite under photoexcitation

    Işık uyarımı altında indiyum nitratın burstein-moss etkisiyle kırınım indisindeki değişim

    CEM MURAT TURGUT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY

  4. Tez No

    398016

    Growth and characterization of sol-gel derived Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin-films and beta irradiation effect

    Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) ince filmlerin sol-jel tekniğiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve beta ışınlarının etkisinin incelenmesi

    ŞENGÜL AKYOL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  5. Tez No

    259199

    Synthesis, characterization and investigation of thermoluminescence properties of strontium pyrophosphate doped with metals

    Metal katkılı stronsiyum pirofosfat sentezi, karakterizasyonu ve ısısal ışıma özelliklerinin incelenmesi

    LEVENT SAİT İLKAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Maden Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYŞEN YILMAZ

    PROF. DR. GÜLHAN ÖZBAYOĞLU

Geri Dön