İndium nitrit yarıiletken bileşiğinde elektron taşınım özelliklerinin serbest taşıyıcı yoğunluğuna bağlı olarak Monte Carlo yöntemiyle incelenmesi
Investigation of electron transport properties of indium nitride semiconductor compound depending on free charge carrier density with Monte Carlo method
- Tez No: 930770
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışması elektronik ve fotonik cihazların yapımında kullanılan İndium Nitrit (InN) yarıiletken bileşiğinin elektron taşınım özelliklerini serbest taşıyıcı yoğunluğuna bağlı olarak incelemektedir. Günümüze kadar bu alanda yapılan çalışmalarda serbest taşıyıcı yoğunluğu safsızlık saçılmalarını değiştiren bir etken olarak görülmekteydi. Ancak bu tez çalışmasında serbest taşıyıcı yoğunluğu artışının yarıiletkenin sahip olduğu band yapısını değiştirerek yeni bir band yapısına sebep olduğu ve buna bağlı olarak serbest elektronların yeni bir etkin kütle değeriyle iletime katıldığını göstermektedir. Tek elektron Monte Carlo metodu ile yarıiletken InN bileşiğinin elektronik performansı hesaplandığında ortaya çıkan dinamik davranışın önemli ölçüde değiştiği görülmektedir. Farklı serbest taşıyıcı yoğunluğu değerleri için hesaplanan band parametreleriyle incelenen dinamik sistemde saçılma, sürüklenme süreçlerinin değişime uğrayarak InN yarıiletken bileşiğine yeni bir elektronik davranış kazandırdığı anlaşılmaktadır. Bu elektronik davranış InN bileşiğinin yarıiletken tabanlı cihaz teknolijisi üretiminde kullanım alanlarını değiştireceği öngörülmektedir.
Özet (Çeviri)
This thesis study examines the electron transport properties of Indium Nitrite (InN) semiconductor compound, which is used in the construction of electronic and photonic devices, depending on the free carrier density. Until today, free carrier density was seen as a factor that changes impurity scattering. However, in this thesis study, it is shown that the increase in free carrier density causes a new band structure by changing the band structure of the semiconductor, and accordingly, free electrons participate in conduction with a new effective mass value. When the electronic performance of the semiconductor InN compound was calculated by the single electron Monte Carlo method, it was observed that the resulting dynamic behavior changed significantly. It is understood that the scattering and drift processes in the dynamic system examined with the band parameters calculated for different free carrier density values, change and give the InN semiconductor compound a new electronic behavior. It is predicted that this electronic behavior InN compound will change the fields of use in the production of semiconductor-based device technology.
Benzer Tezler
- Polimerik membranlarda kimyasal ve makromoleküler yapının membranın oksijen ve iyonik geçirgenliğine etkileri
The Dependence of the anygen and ionic permeabilities of some polymeric membranes on their chemical and macromolecular structures
H. YILDIRIM ERBİL
- Deri sanayii sıvı artıklarının aktif çamur metodu ile tasfiyesinin kinetiği üzerine bir araştırma
Başlık çevirisi yok
ALİ KALENDER
- Sosyal turizm ve Türk turizmindeki yeri
Başlık çevirisi yok
ŞEHNAZ DEMİRKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Turizmİstanbul ÜniversitesiTurizm İşletmeciliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. AHMET İNCEKARA