Geri Dön

Electronic band structure of stepped Si(100) and water-stepped Si(100) systems

Basamaklı Si(100) ve su-basamaklı Si(100) sistemlerinin elektronik band yapıları

  1. Tez No: 93261
  2. Yazar: SALMAN SAED A.
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞENAY KATIRCIOĞLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Dış güdümlü sıkı bağ yöntemi (ETB), Moleküler Dinamik (MD) metodu, basamaklı Si(100) yüzeyi, ideal Si(100) yüzeyi, yapışma, toplam durum yoğunluğu, yerel durum yoğunluğu, molekül halinde yapışma, çözülen türde yapışma, Lennad Jones- Axillord Tiller potensiyeli, potensiyel enerji fonksiyonu (PEF), toplam elektronik enerji. VI, Empirical - Tight Binding (ETB) method, Molecular Dynamics (MD) method, Stepped Si(100) surface, ideal Si(100) surface, adsorption, total density of states, local density of states, molecular adsorption, dissociative adsorption, Lennard- Jones Axilord-Tiller potential energy function (PEF), total electronic energy. IV
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 121

Özet

öz BASAMAKLI Si(lOO) VE SU-BASAMAKLI Si(100) SİSTEMLERİNİN ELEKTRONİK BAND YAPILARI Salman, Saed Amin. Doktora, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi Prof. Dr. Şenay Katircioğlu Ortak Tez Yöneticisi Prof. Dr. Şakir Erkoç Haziran 2000, 108 sayfa. Bu çalışmada, suyun SA, DA ve Db tipi basamaklı Si(100) yüzeylerine (Chadi'nin basamaklı yüzeyleri) uygun yapışma şeklini bulmak için suyun mümkün olan yapışma modelleri incelenmiştir. Suyun iki çeşit yapışma modeli düşünülmüştür; birinci modelde su H ve OH moleküllerine ayrılarak, ikinci modelde H2O molekülü olarak yapışır. Su (molekül halinde veya ayrışarak)- SA, DA ve Db tipi basamaklı Si(100) sistemlerinin elektronik band hesaplamaları, dış güdümlü sıkı bağ yöntemiyle (ETB) yapılmıştır. Elde edilen toplam durum yoğunluğu hesaplamaları, suyun, H ve OH moleküllerine ayrışarak SA, DA ve DB tipi basamaklı Si(100) yüzeylerine yapıştığını göstermiştir. Bu çalışmada ayrıca, ideal Si(100) yüzeyinden elde edilen tek ve çift basamaklı Si(100) yüzeyleri, Moleküler Dinamik (MD) yöntemiyle dengeye getirilerek, yenidengeye gelmiş tek ve çift basamaklı Si(lOO) yüzeyleri oluşturulmuştur. Basamaklı bu yüzeylerin dengeye gelmeleri, çalışılan hücre boyutuna ve ısı uygulama şekline bağlı olarak incelenmiştir. Her iki basamaklı Si(100) yüzeylerinde, sürekli MD uygulamasının, düzgün dengeye gelmiş bir yüzey vereceği bulunmuştur. Çalışılan hücre boyutuna bağlı dengeye olma, sadece tek basamaklı Si(100) yüzeylerinde bulunmuştur. Yapılan toplam potansiyel enerji hesaplamaları çift basamaklı Si(100) yüzeyinin, tek basamaklı Si(100) yüzeyine göre daha kararlı olduğunu göstermiştir. Yapılan ETB hesaplamaları, tek basamaklı Si(100) yüzeyinin elektronik band yapısının SA (veya SB) tipi basamaklı Si(100) yüzeyininki ile, çift basamaklı Si(100) yüzeyinin elektronik band yapısının ise DA tipi Si(100) yüzeyininki ile benzer olduğunu göstermiştir. Bu çalışmada ayrıca Sa, Da ve DB tipi basamaklı Si(100) yüzeylerinin hidrojenlenmesi ve oksijenlenmesinin başlangıcı incelenmiştir; ETB metodu ile toplam elektronik enerji hesaplanarak hidrojen ve oksijenlerin yapışma olasılığı en yüksek yerleri bulunmuştur. Toplam elektronik enerji değerlerine göre, basamaklı Si(100) yüzeylerinin oksijenlenmesinin başlangıç aşamasında oksijen atomları basamak bölgesi etrafındaki Si atomlarına bağlanırken, hidrojenlenmenin başlangıç aşamasında hidrojen atomları basamak bölgesine komşu alt basamak bölgesindeki Si atomlarına bağlanır.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT ELECTRONIC BAND STRUCTURE OF STEPPED Si(100) AND WATER- STEPPED Si(100) SYSTEMS Salman, Saed A. Ph. D., Department Of Physics Supervisor: Prof. Dr. Şenay Katircioğlu Co-Supervisor: Prof. Dr. Şakir Erkoç June 2000, 108 pages In this work, the possible water adsorption models are investigated to find out the adequate adsorption form of water on S a, Da and Db type stepped Si(100) surfaces (Chadi's stepped surfaces). Two types of adsorption models of water have been considered; one of them is dissociative type (FLOH) and the other is the molecular type (H2O). The electronic band calculations are carried out for both water (molecular or dissociative)- S a, Da and Db type stepped Si(100) systems by using Empirical Tight Binding (ETB) method. The total density of state calculations compared to the experiments lead to the dissociative type of water adsorption on S a, Da and Db type stepped Si(100) surfaces. First, new relaxed stepped Si(100) surfaces are also formed by relaxing the single and double layer stepped ideal Si(100) surfaces using molecular dynamics (MD) m r^ı.^3method. The relaxation of these surfaces depending on working cell size and heat treatment İs investigated. It is found that smooth relaxation can be satisfied for both types of stepped Si( 100) surfaces by continuous MD runs. The working cell size dependent relaxation is found for only single layer stepped Si(100) surface. The total potential energy calculation, by MD, shows that the double layer Si(100) surface is more stable with respect to the single layer stepped Si(100) surface. The ETB calculations reveal that, the electronic band structures of single and double layer stepped Si(100) surfaces look like the electronic band structures of S a (or Sb) and DA type stepped Si(100), respectively. Then, also the initial stage of the hydrogenation and oxygenation of Sa, Da and DB type stepped Si(100) surface are investigated; the most probable adsorption sites of hydrogen and oxygen atoms are found by total electronic energy calculations of ETB. According to the total electronic energy values, in the initial stage of the oxygenation and hydrogenation processes, the oxygen atoms bond to Si surface atoms around the step, meanwhile the hydrogen atoms bond to the Si atoms on the lower terrace just neighbor to the step.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    14425

    Silisyumun yönlü aşındırılması ve mikroalgılayıcılar

    Anisotropic etching of silicon and microsensors

    F.ALİ ALDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ

  2. Tez No

    643474

    Development of metal & metal oxides decorated graphene-based electrode materials for next generation Li-ion and Li-O2 batteries

    Yeni nesil Li-iyon ve Li-O2 pilleri için metal ve metal oksit dekore edilmiş grafen esaslı elektrot malzemelerinin geliştirilmesi

    ADNAN TAŞDEMİR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Bilim ve TeknolojiSabancı Üniversitesi

    PROF. DR. SELMİYE ALKAN GÜRSEL

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ALP YÜRÜM

  3. Tez No

    325693

    Düşük boyutlu yarıiletken sistemlerde elektronik transport olaylarının incelenmesi

    An investigation of electronic transport processes in low dimensional semiconductor systems

    FERHAT NUTKU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN

  4. Tez No

    362591

    Kalikspirol bağlı yeni tip ftalosiyanin sentezi ve anyon bağlama özellikleri

    Syntheses of a new type of phthalocyanine bearing calixpyrrole units and their anion bonding properties

    ZEYNEP NESLİHAN EROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Bölümü

    PROF. DR. ESİN HAMURYUDAN

  5. Tez No

    269102

    Design and realization of broadband instantaneous frequency discriminator

    Geniş bantlı anlık frekans ayrıştırıcı tasarımı ve gerçeklenmesi

    GÖKHAN PAMUK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. NEVZAT YILDIRIM

Geri Dön