Au/PEG-Er:MnFe2O4/n-Si arayüzey tabakalı engel diyodun akım iletim mekanizmasının sıcaklığa bağlı incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 938901
- Danışmanlar: PROF. DR. HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Au/PEG:Er-MnFe2O4/n-Si bağlantılarının CCM'leri, 80-340 K üzerinde sıcaklık bağımlılığı akım-voltaj (I-V) deneyleri kullanılarak incelenmiştir. İleri sapma yarı logaritmik IV eğrileri iki farklı doğrusal bölgeye sahiptir. Klasik termiyonik emisyon (TE) teorisinin aksine, her iki bölge için sıcaklık artarken ideallik faktöru (n) azalır, ancak sıfır önyargı bariyer yüksekliği (ΦBo) artar. Bunların Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre analizi, sıfır önyargılı bariyer yüksekliğinin (ΦBo) artan sıcaklıkla arttığını, idealite faktörünün ise azaldığını göstermiştir. Bu davranışlar, metal yarı iletken arayüzündeki bariyer yüksekliğinin bir Gauss dağılımına (GD) bağlandı. n vs ΦBo, q/2kT vs ΦBo ve q/2kT vs n-1-1 grafiklerinin iki doğrusal bölgesi vardır Bu, Çift Gauss Dağılımını (DGD) gösterir. Sonuç olarak, M/S arayüzlerindeki baskın CTM'ler DGD tarafından TE temelinde netleştirilebilir.
Özet (Çeviri)
The CCMs of Au/PEG:Er-MnFe2O4/n-Si junctions was investigated using temperature dependence current-voltage (I-V) experiments over 80-340 K. The forward bias semi-logarithmic I-V curves have two different linear regions. Contrary to classical thermionic emission (TE) theory, the ideality factor (n) decreases but the zero bias barrier height (ΦBo) increases while the temperature increases for both regions. The analysis of of them according to the Termionic emission (TE) theory showed that the zero-bias barrier height (ΦB0) increased with increasing temperature while the ideality factor decreased. These behaviors were attributed to a Gaussian distribution (GD) of the barrier height at the metal semiconductor interface. The plots of n vs ΦB0, q/2kT vs ΦB0 and q/2kT vs n-1-1 have two linear regions This indicates the Double Gaussian Distribution (DGD). Consequently, the predominant CTMs at M/S interfaces can be clarified by DGD on the basis of TE.
Benzer Tezler
- Cam ve plastik seraların sonbahar domates üretimi yönünden karşılaştırılması
Başlık çevirisi yok
ERGUN DURAN
- Kuyruk modelleri ve analizi üzerine bir uygulama
Başlık çevirisi yok
DİDEM ÖZPULAT
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
İstatistikEge ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FİKRET İKİZ
- Landsat uydusu aracılığı ile elde edilen görüntülerin sınıflandırılmaları ve bunlara ilişkin bilgisayar programlarının hazırlanması
Başlık çevirisi yok
G. FERZAN KÜÇÜKA
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolEge ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİS PÜSKÜLCÜ
- Dokuma kumaşlarda örgü tipinin ham kumaşın boyutları ve geometrik özellikleri üzerindeki etkilerinin araştırılması
Başlık çevirisi yok
EMEL ÖNDER
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜNGÖR BAŞER
- Ege bölgesi keçi liflerinin bazı önemli fiziksel, kimyasal özellikleri ve değerlendirme imkanları
Başlık çevirisi yok
NİLÜFER ERDEM
Doktora
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLSEREN YAZICIOĞLU