Farklı alt tabanlar kullanılarak hazırlanan Cu2O ince filmlerin fiziksel özelliklerinin araştırılması
Investigation of the physical properties of Cu2O thin films deposited on various substrates
- Tez No: 946187
- Danışmanlar: PROF. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çukurova Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 163
Özet
Bu tez çalışmasının amacı, SILAR yöntemiyle, farklı sıcaklık (30 oC ve 70 oC) ve daldırma döngüsü sayılarında (10, 20 ve 40) cam (amorf) ve FTO (polikristal) alt tabanlar üzerinde Cu2O (kuprit) yarıiletken ince filmler üretmek ve bu parametrelerin filmin fiziksel özelliklerine etkisini araştırmaktır. Çalışmada, alt taban türü, daldırma döngü sayısı ve üretim sıcaklığının, elde edilen filmlerin yapısal, morfolojik ve optik özellikleri üzerindeki etkileri araştırılmıştır. X-ışını kırınımı (XRD) analizleri sonucunda hem cam hem de FTO alt tabanlar üzerinde büyütülen Cu2O ince filmlerin kübik fazda ve polikristal yapıda kristallendiği bulunmuştur. Üretilen yarıiletken filmlerin temel optik parametreleri geçirgenlik (%T), soğurma (A), yansıma (%R), kırılma indisi (n), sönüm katsayısı (k), reel ve imajiner dielektrik sabitleri (Ԑ1, Ԑ2) ile enerji bant aralığı (Eg) UV-vis spektrofotometresinden elde edilen veriler yardımıyla hesaplanmıştır. Cam alt tabanlar üzerinde, 30 oC'de elde edilen filmlerin Eg değerleri 1,98–2,39 eV arasında, 70 oC'de ise 1,88–2,45 eV arasında bulunmuştur. FTO alt tabanlar için bu değerler, 30 oC'de 2,19–2,47 eV ve 70 oC'de 2,20–2,42 eV aralığında bulunmuştur. Alan Emisyonlu Taramalı Elektron Mikroskobu (FE-SEM) görüntüleri, ince filmlerin genel olarak homojen bir morfolojiye sahip olduğunu; ayrıca yer yer çubuksu ve küresel yapılara rastlandığını göstermiştir. Daldırma döngü sayısının ve üretim sıcaklığının artışı ile birlikte, daha sıkı ve yoğun bir yapının oluştuğu gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
The aim of this thesis is to deposit Cu2O (cuprite) semiconductor thin films on glass (amorphous) and FTO (polycrystalline) substrates using the SILAR method at different temperatures (30 oC and 70 oC) and with varying numbers of dipping cycles (10, 20, and 40), and to investigate the effects of these parameters on the physical properties of the films.The effects of substrate type, number of dipping cycles, and deposition temperature on the structural, morphological, and optical properties of the films were investigated. XRD analyses revealed that the Cu2O thin films grown on both glass and FTO substrates exhibited a cubic phase and polycrystalline structure. The fundamental optical parameters of the produced semiconductor films transmittance (%T), absorbance (A), reflectance (%R), refractive index (n), extinction coefficient (k), real and imaginary parts of the dielectric constant (Ԑ1, Ԑ2), and optical band gap energy (Eg) were calculated using the data obtained from UV-vis spectrophotometry. The Eg values of the films on glass substrates were found to be in the range of 1,98–2,39 eV at 30 oC and 1,88–2,45 eV at 70 oC. For the films on FTO substrates, the values ranged between 2,19–2,47 eV at 30 oC and 2,20–2,42 eV at 70 oC. Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM) images revealed that the films generally had a homogeneous morphology and occasionally exhibited rod-like and spherical structures. It was observed that increasing the number of dipping cycles and the deposition temperature led to the formation of a denser and more compact structure.
Benzer Tezler
- Tavlama sıcaklığının farklı kalınlıklarda hazırlanan Cu2O ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkisi
Physical properties of Cu2O thin films prepared with different thicknesses of the annealing temperature effect on
DOĞAN ÖZASLAN
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
- Farklı Bakır Kaynakları Kullanılarak Cu2O İnce Filmlerin Elektrokimyasal Depolama Yöntemi ile Hazırlanması ve Özelliklerinin Araştırılması
Preparation of Cu2O Thin Films by Electrochemical Deposition Method Using Different Copper Sources and Investigation of Their Properties
NUHAT SAKİN URFAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
- Kimyasal depolama yöntemi ile hazırlanan ZnS ve Zn1-xSMnx (0.01≤x≤0.1) yarıiletken ince filmlerin optiksel, yapısal, elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical, structural, electrical properties of ZnS and Zn1-xSMnx (0.01≤x≤0.1) semiconductor thin films prepared by chemical bath deposition
ÖZGE ERKEN
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
- SILAR Yöntemi ile hazırlanan CdO ince filmlerin fiziksel özelliklerinin araştırılması
Investigation of physical properties of CdO thin films prepared by SILAR method
GÖKHAN GÖKALP
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiAdıyaman ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖZGE ERKEN
- Yeni Cami'nin akustik açıdan performans değerlendirmesi
Evaluation of the acoustical performance of the New Mosque
EVREN YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Mimarlıkİstanbul Teknik ÜniversitesiMimarlık Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEVTAP YILMAZ DEMİRKALE