N-tipi ve p-tipi ZnO ince filmlerin hazırlanması, yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Preparation of n-type and p-type ZnO thin films and investigation of their structural, optical, and electrical properties
- Tez No: 961088
- Danışmanlar: PROF. DR. FERHAT ASLAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Harran Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 56
Özet
Bu tez çalışmasında kobalt katkılı ve katkısız ZnO ince filmler sol-jel kimyasal yöntemle hazırlanmıştır. Hazırlanan filmlerin yapısal, morfolojik, optiksel ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. XRD sonuçlarına göre kobalt katkılı filmlerde pik şiddetleri artmaktadır. UV-Vis spektrometresi ile gerçekleştirilen ölçümler örneklerin yasak bant aralıklarının 3.27 eV ile 3.31 eV aralığında değiştiğini göstermektedir. Elektriksel ölçümlere göre katkısız ZnO filmler n-tipi özellik göstermekte ve kobalt katkılı örnekler ise p-tipi özelliktedir. Hazırlanan filmlerle başarılı bir şeklide pn eklem yapılar oluşturulmuştur. UV ışığı altında yapılan ölçümler pn eklem yapıların herhangi bir dış gerilim uygulanmadan fotodedektör özellik gösterdiğini doğrulamaktadır. Hazırlanan pn eklem fotodedektörler hava ve vakum ortamında olmak üzere iki farklı ortamda ısıl işleme tabi tutulmuşlardır. Hava ortamında tavlanan %1, %3 ve %5 kobalt katkılı örneklerin fotohassasiyetleri sırasıyla % 306, %451ve %271iken vakum ortamında tavlanan örneklerde bu değerler % 2226, % 10301 ve % 34053 olmaktadır. Hava ortamında tavlanan %1, %3 ve %5 kobalt katkılı örneklerin fotoyanıt değerleri ise sırasıyla 99 µA/W, 47 µA/W ve 95 µA/W iken vakum ortamında tavlanan örneklerde bu değerler 120 µA/W, 273 µA/W ve 255 µA/W olmaktadır. Bu çalışmada elde edilen sonuçlar kobalt katkılı ZnO filmlerin p-tipi elektriksel özellik göstererek katkısız ZnO filmlerle pn eklem yapı oluşturulabileceğini göstermektedir. Ayrıca tavlama ortamının cihazların performansını önemli oranda etkilediği sonucuna varılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, cobalt doped and undoped ZnO thin films were prepared by sol-gel chemical method. The structural, morphological, optical and electrical properties of the prepared films were investigated. According to XRD results, peak intensities increase in cobalt doped films. Measurements performed with UV-Vis spectrometer show that the band gaps of the samples vary between 3.27 eV and 3.31 eV. According to electrical measurements, undoped ZnO films show n-type properties and cobalt doped samples have p-type properties. pn junction structures were successfully formed with the prepared films. Measurements performed under UV light confirm that pn junction structures exhibit photodetector properties without applying any external voltage. The prepared pn junction photodetectors were subjected to heat treatment in two different environments, air and vacuum. The photosensitivity of 1%, 3% and 5% cobalt doped samples annealed in air were 306%, 451% and 271%, respectively, while these values were 2226%, 10301% and 34053% in samples annealed in vacuum. The photoresponse values of 1%, 3% and 5% cobalt doped samples annealed in air were 99 µA/W, 47 µA/W and 95 µA/W, respectively, while these values were 120 µA/W, 273 µA/W and 255 µA/W in samples annealed in vacuum. The results obtained in this study show that cobalt doped ZnO films exhibit p-type electrical properties and that pn junction structures can be formed with undoped ZnO films. It is also concluded that the annealing environment significantly affects the performance of the devices.
Benzer Tezler
- Çinko oksit (ZnO) nanoyapıların organik güneş pillerinde uygulaması
Organic solar cells on ZnO nanostructures
FARUK BALLIPINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİGEN KADIRGAN
- Farklı yöntemlerle büyütülen ZnO ince filmlerin optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of ZnO thin films grown using different methods
ALİYE ÇANKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiNevşehir Hacı Bektaş Veli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TACETTİN YILDIRIM
- Spin kaplama yöntemi kullanılarak N ve P tipi ZnO ve P-N eklem yapıların üretimi
Production of P and N type ZnO films and P-N junctions by spin coating
MERHAN KILIÇ
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAMİDE KAVAK
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Pfcvad sistemi ile üretilen n ve p tipi zno ince filmlerin fotoiletkenlik özelliklerinin karşılaştırılması
Comparison of the photoconductivity properties of the n and p type zno thin films which are grown by pfvad system
KAMURAN KARA
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAMAZAN ESEN