N-kanallı MOS tranzistorlarda sıcak taşıyıcı etkisinin incelenmesi ve tranzistorun eşik gerilimine etkisi
The Investigation of the effect of the hot carriers in N-channel MOS tranzistor and their effects on threshold voltage
- Tez No: 97952
- Danışmanlar: DOÇ.DR. AYTEN KUNTMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 60
Özet
ÖZET N-KANALLI MOS TRANZİSTORLARDA SICAK TAŞIYICI ETKİSİNİN İNCELENMESİ VE TRANZİSTORUN EŞİK GERİLİMİNE ETKİSİ Bu çalışmada, sıcak taşıyıcıların N-MOS tranzistorlar üzerindeki etkileri teorik ve deneysel olarak incelenmiştir. Deneyler için boyutları birbirinden farklı iki tranzistor kullanılmıştır. Yapılan deneyler sonucunda savak akımının arttığı ve buna bağlı olarak eşik gerilimin azaldığı görülmüştür. Deneysel sonuçlardan hareket edilerek, literatürde verilen ve parametrelerin belirlenmesi açısından zorluklar gösteren modellere bir alternatif oluşturmak üzere, polinomsal eğri uydurmaya dayanan bir model önerilmiştir. Deneysel sonuçlar SPICE benzetiminde kullanılarak simüle edilmiş ve ayrıca bir uygulama devresi kurularak elde edilen deneysel ve simülasyon sonuçları karşılaştırılmıştır. Simülasyon sonuçlarının deneysel sonuçlarla uyumlu olduğu önerilen modelle de doğrulanmıştır. VIII
Özet (Çeviri)
ABSTRACT“THE INVESTIGATION OF THE EFFECT OF THE HOT CARRIERS IN N-CHANNEL MOS TRANSISTORS AND THEIR EFFECTS ON THRESHOLD VOLTAGE”In this study, the effects of hot-carriers in N-MOS transistor are investigated both theoretical and experimental. Two transistor with different sizes are used for the experiments. The threshold voltage decrease by the increment of the drain current is observed after the experiments. By using the experimental results, a model which depends on curve-fitting is proped to be an alternative for the given models in the literature whose parameters are difficult to determine. The experimental results are used in the SPICE simulations and an application circuit is constructed to compare the experimental and simulation results. It is verified with the model that the simulation and experimental results are compatible. IX
Benzer Tezler
- A 0.18 µm CMOS X-band low noise amplifier for space applications
Uzay uygulamaları için 0.18 µm CMOS X-bant düşük gürültülü kuvvetlendirici
NERGİZ ŞAHİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Mikrodenetleyici kontrollü tek fazlı PFC'li kesintisiz güç kaynağının tasarımı ve gerçekleştirilmesi
The design and implementation of a microcontroller-based single phase UPS with PFC
AHMET KAYABAŞI
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. RAMAZAN AKKAYA
- Artırılmış gerçeklik teknolojisi ile NMOS elemanının modellenmesi
NMOS device modelling with augmented reality technology
YENER YÜZÜAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKocaeli ÜniversitesiElektronik-Bilgisayar Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİL YİĞİT