Finfet transistörlerde güç, kazanç ve kararlılık analizi
Power, gain and stability analysis of finfet transistors
- Tez No: 988640
- Danışmanlar: DOÇ. DR. LEVENT GÖKREM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2026
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Entegre devre teknolojilerindeki ilerlemeleri desteklemek için geliştirilmiş bir transistör olan FinFET (Fin Alan Etkili Transistör), mikroelektroniğin daha verimli ve daha güçlü sistemler üretmesine olanak tanıyan bir yapıdır. MOSFET'lerin sınırlamalarını aşmak amacıyla, daha küçük boyutlarda yüksek performans ve düşük güç tüketimi sağlamak için tasarlanmıştır. Bu transistörler, üç yüzeyden kapı elektrodu kontrolüne sahip bir kanat yapısı ile kısa kanal etkilerini en aza indirerek düşük güç tüketimi, yüksek frekanslı çalışma ve iyileştirilmiş kararlılık gibi gelişmiş özellikler sunar. Çalışmanın birincil amacı, FinFET'lerin parmak sayısına göre güçlendirme ve kararlılık üzerindeki etkisini karşılaştırmaktır. Farklı parmak sayılarına sahip FinFET'ler Multisim simülasyon platformunda simüle edilerek elektrostatik kararlılık ve dayanıklılık incelenmiştir. MATLAB ortamında devre modelleri simüle edilmiş, S - parametreleri ölçülmüş ve transistörlerin Smith grafiğindeki frekans tepkileri titizlikle incelenmiştir. Değerler FinFET güç kazancı, akım güç kazancı ve dönüştürücü güç kazancı açısından karşılaştırılmıştır. Bu parametrelerin çeşitli frekansları üzerindeki voltaj, FinFET transistörlerindeki kararlılık bölgelerinin daha uygun şekilde analiz edilmesini sağlamıştır . Bu bağlamda, değişen parmak düzenlerinin güç kazancı üzerindeki etkisi ortaya konmuş ve kararlılık profili cihazlar incelenmiştir. Çalışma sonucunda farklı parmak sayılarına sahip FinFET'lerin güç kazanımı ve kararlılık açısından anlamlı farklar gösterdiği ortaya çıkmıştır. Farklılıkların yüksek frekanslı devre tasarımlarında yol gösterici olabileceği vurgulanmış olup, elde edilen verilerin gelecekteki cihaz tasarımlarında kullanılabilecek mühendislik yaklaşımlarına katkı sağlaması amaçlanmıştır.
Özet (Çeviri)
FinFET (Fin Field Effect Transistor), a transistor developed to support advances in integrated circuit technologies, is a structure that allows microelectronics to produce more efficient and more powerful systems. In order to overcome the limitations of MOSFETs, it is designed to provide high performance and low power consumption in smaller sizes. These transistors offer advanced features such as low power consumption, high frequency operation and improved stability, minimizing short channel effects with a wing structure with door electrode control from three surfaces. The primary purpose of the study was to compare the effect of FinFETs on strengthening and stability according to the number of fingers. FinFETs with different finger numbers were simulated in Multisim simulation platform and electrostatic stability and durability were examined. in the MATLAB environment, circuit models have been simulated,S-parameters have been measured and frequency responses of transistors on the Smith graph have been rigorously examined. The values are compared in terms of FinFET power gain, current power gain and converter power gain. The voltage on the various frequencies of these parameters allowed for more convenient analysis of the stability zones in the FinFET transistors. In this context, the effect of changing finger patterns on power gain has been demonstrated and stability profile devices have been examined . As a result of the study, FinFETs with different finger numbers showed significant differences in strength gain and stability. It is emphasized that the differences can be guiding in high-frequency circuit designs and the data obtained is intended to contribute to engineering approaches that can be used in future device designs.
Benzer Tezler
- Yüksek güç elektroniği uygulamaları için GaN tabanlı FinFET yapısının optimizasyonu
Optimization of GaN-based FinFET structure for high power electronics applications
DOĞAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Enhancing FinFET Transistor Performance Using Permittivity Graded Dielectric Materials
FinFET Transistör Performansının Kademeli Dielektrik Geçirgenliğe Sahip Malzemeler ile Geliştirilmesi
ALPER ÜLKÜ
Doktora
İngilizce
2025
Metalurji MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET YAVUZ ORAL
- Düşük güç tüketimli analog devre tasarımı
Low power analog circuit design
ELİF DEMİRCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SİNEM KELEŞ
- Finfet transistörlerde intermodülasyon distorsiyon analizi
Intermodulation distortion analysis in finfet transistors
ABDULSAMET YURTSEVEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiTokat Gaziosmanpaşa ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. LEVENT GÖKREM
- FinFET kanal uzunluk ve genişlik parametrelerinin yapay sinir ağları ile belirlenmesi
Determination of finFET channel length and width parameters by artificial neural networks
MÜCAHİT OSMAN KAĞNICI
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SİNEM KELEŞ