Geri Dön

Mo/n-Sİ schottky diyotların üretimi ve elektriksel özelliklerininı-v, c-v-f, g-v-f ölçümlerinden belirlenmesi

Manufacturing of Mo/n-Sİ schottky diodes and determination of their electrical properties from i-v, c-v-f, g-v-f measurements

PDF İndir

  1. Tez No: 991387
  2. Yazar: NEZİHA SEDA YALÇIN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HÜLYA DOĞAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Cheung fonksiyonları, Engel yüksekliği, Schottky diyodları, Schottky engelleri, İdealite faktörü, Cheung functions, Barrier height, Schottky diodes, Schottky barriers, Ideality factor
  7. Yıl: 2026
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, Mo/n-Si/Al Metal-Yarıiletken (MS) Schottky diyotlar hazırlandı. Diyotun akım-voltaj (I-V) ve frekansa bağlı kapasite-voltaj (C-V) ile iletkenlik-voltaj (G-V) ölçümleri oda sıcaklığında alındı. I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n=1,88), sıfır beslem engel yüksekliği (e b0b0=0,771 eV) olarak belirlendi. Seri direnç(Rs) hem Cheung hem de Norde metodu ile hesaplandı. I-V ve ters beslem C-2-V eğrilerinden elde edilen sıfır beslem engel yüksekliği değerleri birbirleri ile karşılaştırıldı. Ters beslem C-2-V eğrisinden ( b0(C V))V))'nin yanı sıra verici atomların yoğunluğu (Nd), Fermi enerji seviyesi (EF) ve difüzyon potansiyeli (Vd) gibi değerler 30 kHz ile 5MHz frekans aralığında hesaplandı. Kapasite ve iletkenlik değerlerinin voltaja ve frekansa bağlı olduğu ve artan frekans ile azaldığı görüldü. C ve G 'nin frekans ile üstel olan değişiklikleri metal yarıiletken arayüzeyinde bulunan arayüzey durumlarına (Nss) atfedildi. Düşük (30kHz) ve yüksek (1MHz) frekans kapasite (CLF-CHF) değerleri ile Nss- V grafiği çizildi ve Nss-V grafiğinde bir pik gözlemlendi. C-V eğrilerinde ileri voltajlarda özellikle yüksek frekanslarda gözlenen bükülme Rs değerine atfedildi.

Özet (Çeviri)

In this study, Mo/n-Si/Al Metal–Semiconductor (MS) Schottky diodes were fabricated. Current–voltage (I–V), capacitance–voltage (C–V), and conductance–voltage (G–V) measurements as a function of frequency were taken at room temperature. From the I–V measurements, the ideality factor (n = 1.88) and the zero-bias barrier height (eΦb0 = 0.771 eV) were determined. The series resistance (Rs) was calculated using both the Cheung and Norde methods. The zero-bias barrier height values obtained from the I–V and reverse-bias C⁻²–V curves were compared with each other. From the reverse-bias C⁻²–V characteristics, the zero-bias barrier height Φb0(C–V), donor concentration (Nd) Fermi energy level (EF), and diffusion potential (Vd) were calculated in the frequency range of 30 kHz to 5 MHz. It was observed that the capacitance and conductance values depend on both voltage and frequency, and decrease with increasing frequency. The exponential variation of C and G with frequency was attributed to the interface states (Nss) located at the metal–semiconductor interface. Using the low-frequency (30 kHz) and high-frequency (1 MHz) capacitance values (CLF–CHF), the Nss–V graph was plotted, and a peak was observed in the Nss–V curve. The bending observed in the C–V curves at forward voltages, especially at high frequencies, was attributed to the effect of the series resistance (Rs).

Benzer Tezler

  1. Tez No

    523064

    Polimer arayüzey kullanılarak hazırlanan Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of frequency dependent electric and dielectric properties of Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si Schottky barrier diode prepared by using polymer interface layer

    AYNUR ÖZTÜRK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDüzce Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN

  2. Tez No

    540707

    Au/p-Si yapılarının elektriksel özellikleri üzerine arayüzey tabakasının etkisi

    The effect of interface layer on the electrical characteristics of au / p-Si structures

    MİNE KESKİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ

  3. Tez No

    729716

    Farklı alkoller kullanılarak üretilen gözenekli silisyum yapının gözenekli silisyum tabanlı yakıt pillerinin verimine etkisinin incelenmesi

    Investigation of the effect of porous silicon structure manufactured using different alcohols on the efficiency of porous silicon based fuel cell

    SADETTİN BERKAY ŞARLI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SÜREYYA AYDIN YÜKSEL

  4. Tez No

    287383

    Plasmonically enhanced silicon infrared schottky detector

    Plazmonik yapılarla geliştirilmiş silikon kızılötesi schottky algılayıcı

    KAZIM GÜRKAN POLAT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY

  5. Tez No

    647230

    n-Si/Mo Schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu

    Temperature dependent electrical characterization of n-Si/Mo Schottky diodes

    RECAİ ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KEMAL AKKILIÇ

Geri Dön