Geri Dön

Silicon nitride interfacial layer effect on gallium nitride nanorod growth

Silikon nitrit arayüzeyinin galyum nitrit nanoçubuk üretimine etkisi

PDF İndir

  1. Tez No: 996161
  2. Yazar: FİLİZ KELEŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. HYE-WON SEO
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Unıversıty Of Arkansas At Lıttle Rock
  10. Enstitü: Yurtdışı Enstitü
  11. Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Nanomalzeme Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Galyum nitrit (GaN) nanoçubuklar silikon alttaşı üzerine plazma destekli moleküler ışın epitaksisisi (PAMBE) yardımı ile üretilmişlerdir. Si ve N arasındaki yüksek bağ yapma eğilimi yüzünden GaN oluşumunun ilk aşamasında amorf ve homojen olmayan bir silikon nitrit (SixNy) arayüzeyi oluşur. Kontrol edilmemiş SixNy yüzeyi üzerindeki GaN küme oluşumu esnasında dizilim hatası ve çizgisel kusurlar gibi kusurlar gözlemlenir. Bu kusurlar genellikle malzeme üretimi boyunca muhafaza edilir ve tekrarlanır. Bu çalışmada, SixNy yüzeyi kristal yapısının GaN nanoçubuk kalitesi üzerindeki etkisi PAMBE üretimi esnasında sıcaklık, plazma gücü ve sonradan ısıtma gibi nitritleme parametreleri değiştirilerek incelenmiştir. SixNy yüzeyinin ve GaN nanoçunukların morfolojik, kristal ve optik özellikleri taramalı elektron mikroskobu (SEM), yüksek enerjili elektron saçılımı yansıması (RHEED), atomik kuvvet mikroskobu (AFM), x-ışını foto-elektron spektroskopisi (XPS) ve fotolüminesans (PL) yöntemlerinin yardımı ile incelenmiştir. Nitritleme parametrelerini optimize ederek alttaş yüzey normaline göre oldukça düzgün biçimde hizalanmış ve ilaveten artırılmış kristal ve optik özelliklere sahip GaN nanoçubuklar üretmeyi başardık. Bu durum, SixNy yüzeyinin ilk oluşumu esnasında kontrol altına alınabilmesi ve sonuç olarak daha az kusura sahip olması ile açıklanabilir.

Özet (Çeviri)

Gallium nitride (GaN) nanorods have been grown on Silicon substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). An amorphous and inhomogeneous interfacial silicon nitride (SixNy) layer is unintentionally formed at the initial stage of the GaN growth due to the high affinity between Si and N. The GaN cluster formation on uncontrolled SixNy layer occurs not only tilted but also defect-included such as stacking faults and threading dislocations. These defects mostly would be kept and carried throughout the growth. In this work, we studied the effect of crystal properties of SixNy layer on GaN nanorod quality by varying the nitridation parameters such as temperature, plasma power, post annealing conditions during the PAMBE growth. The morphological, crystalline and optical properties of SixNy layer was investigated by scanning electron microscopy (SEM), reflection high energy electron diffraction (RHEED), atomic force microscopy (AFM), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), photoluminescence (PL) methods. By optimizing nitridation conditions, we have achieved the GaN nanorods much more aligned relative to the substrate normal with better crystal and optical properties. It is because the initial growth on this SixNy layer was under-controlled and starts with less defects.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    439725

    Silisyum karbür ve grafen nano plaka (GNP) takviyeli titanyum diborür seramiklerin spark plazma sinterleme yöntemi ile üretimi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of titanium diborudet ceramics with the additions of silicon carbide and graphene nanoparticles by spark plasma sintering

    ÖZNUR KAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. İPEK AKIN KARADAYI

  2. Tez No

    561484

    Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) kondansatörün dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) capacitor

    SEMA YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADEM TATAROĞLU

  3. Tez No

    910908

    A comparative analysis of silicon carbideand gallium nitride as alternatives tosilicon in high-power semiconductorapplications using QSPICE

    QSPICE kullanilarak yüksek güçlü yarıiletken uygulamalarında silisyuma alternati̇f olarak silisyum karbür vegalyum nitridin karşılaştırmalı analizi

    MOHAMAD ALİ BİLAL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolBahçeşehir Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEREF KALEM

  4. Tez No

    29247

    Slip casting properties of silicon nitride with yttrium oxide and aluminium oxide as sintering additives

    Yttrium oksit ve aluminyum oksit sinterleme katkılı silisyum nitrürün slip döküm özellikleri

    UFUK ŞENTÜRK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1993

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHARREM TİMUÇİN

  5. Tez No

    368795

    Investigation of the production of silicon nitride from Turkish rice husks

    Türk pirinç kabuklarından silisyum nitrür üretiminin araştırılması

    BARIŞ YİĞİT ALPAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Kimya MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAVUZ ALİ TOPKAYA

    PROF. DR. AHMET GEVECİ

Geri Dön