Farklı alttaban üzerine kimyasal depolama yöntemi ile sns elde edilmesi ve karakterizasyonu
Obtaining and characterizing sns by chemical deposition method on different substrates
- Tez No: 1023038
- Danışmanlar: PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR, ÖĞR. GÖR. SEVDA İLDAN ÖZMEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2026
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Mersin Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, SnS yarıiletken ince filmleri kimyasal depolama (Chemical Bath Deposition, CBD) yöntemi kullanılarak cam, p-Si ve ITO alttabanlar üzerine 55 °C'de başarıyla büyütülmüştür. Elde edilen ince filmler tavlanmamış, 200 °C ve 400 °C'de tavlanmış olmak üzere farklı koşullar altında incelenmiş ve oluşan Cam/SnS, p-Si/SnS ve ITO/SnS heteroyapılarının optik, yapısal, morfolojik ve elektriksel özellikleri kapsamlı biçimde karakterize edilmiştir. UV–Vis spektroskopisi sonuçları, SnS ince filmlerinin doğrudan bant aralığına sahip olduğunu ve optiksel yasak enerji aralığının tavlama sıcaklığına bağlı olarak azaldığını göstermiştir. X-ışını kırınımı (XRD) analizleri tüm filmlerin ortorombik yapıda olduğunu göstermiştir, tavlama işlemiyle kristal kalitesinin arttığı belirlenmiştir. Raman spektroskopisi analizleri ile ortorombik SnS fazına ait karakteristik titreşim modları görülmüş ve tavlamanın etkisiyle pik şiddetlerinde gözlenen artışın SnS filminde kristal kalitesinin arttığına işaret etmiştir. SEM görüntü analizleri, tavlama sıcaklığının artmasıyla tane boyutunun büyüdüğünü ve yüzey morfolojisinin daha yoğun ve homojen hale geldiğini ortaya koymuştur. Hall etkisi ölçümleri, SnS ince filmlerinin elektriksel özelliklerinin alttaban türüne güçlü biçimde bağlı olduğunu göstermiştir. Cam ve p-Si alttabanlar üzerinde p-tipi iletkenlik gözlenirken, ITO alttaban üzerinde arayüzey yük transferi ve bant hizalanması etkileri nedeniyle n-tipi davranış ortaya çıkmıştır. Elde edilen sonuçlar SnS ince filmlerinin elektriksel özelliklerinin, kullanılan alttaban türü ve tavlama parametreleri ile kontrol edilebildiği görülmüştür. Bu durum, söz konusu yapıların güneş pilleri ve optoelektronik aygıt uygulamaları için önemli bir potansiyele sahip olduğunu ortaya koymaktadır.
Özet (Çeviri)
In this study, SnS semiconductor thin films were successfully fabricated on glass, p-Si, and ITO substrates at 55 °C using the Chemical Bath Deposition (CBD) method. The obtained films were investigated under three different conditions namely as-deposited, annealed at 200 °C, and annealed at 400 °C, and the optical, structural, morphological, and electrical properties of the resulting Glass/SnS, p-Si/SnS, and ITO/SnS heterostructures were comprehensively characterized. UV–Vis spectroscopy results revealed that the SnS thin films exhibit a direct optical band gap, which decreases with increasing annealing temperature. X-ray diffraction (XRD) analysis confirmed that all films exhibited orthorhombic SnS phase, while annealing improved the crystallinity of the films. Raman spectroscopy analyses revealed the characteristic vibrational modes of the orthorhombic SnS phase, and the observed increase in peak intensities due to annealing indicated an improvement in the crystal quality of the SnS film. SEM image analysis revealed that grain size increased and surface morphology became denser and more homogeneous with increasing annealing temperature. Hall effect measurements indicated that the electrical properties of SnS thin films strongly depend on the substrate type. While p-type conductivity was preserved on glass and p-Si substrates, n-type behavior was observed on ITO substrates due to interface charge transfer and band alignment effects. The obtained results showed that the electrical properties of SnS thin films can be controlled by the substrate type used and the annealing parameters. This situation demonstrates that these structures have significant potential for solar cell and optoelectronic device applications.
Benzer Tezler
- SnS ince filmlerinin kimyasal depolama yöntemi ile üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of the SnS thin films by chemical bath deposition
ŞAFAK HAZAL TEMİZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Bilim ve TeknolojiMersin ÜniversitesiNanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR
- p tipi Si ve iletken tabanlı CdS heteroeklemlerin kimyasal depolama yöntemiyle elde edilmesi ve karakterizasyonu
Obtaining and characterization of p type Si and conductive substrated CdS heterojunctions by chemical bath deposition method
EMEL YILDIRIM
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR
DOÇ. DR. ALİ KEMAL HAVARE
- Kimyasal depolama yöntemiyle elde edilen CdSe ince filmlerinin optik özellikleri ve karakterizasyonu
The optical properties and the characterization of CdSe thin films prepared by chemical bath deposition
SELMA ERAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ. HÜLYA METİN
- GaSe ince filmlerinin farklı tabanlar üzerinde sılar yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization ofGaSe thin films by SILAR method on different substrates
YUNUS ALKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT
- Gase ince filmlerinin büyütülmesi ve fiziksel özelliklerinin araştırılması
Growth of gase thin films and investigation of their physical properties
MURAT DÖNMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. HASAN MAMMADOV