Metal-silisyum schottky diyotların I-V ve C-V karakteristiklerinin incelenmesi
I-V and C-V characteristics of metal-si schottky diodes
- Tez No: 109923
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 83
Özet
ÖZET İV.^ Bu çalışmada, Schottky kontak oluşturmak için termal buharlaştırma yöntemiyle n-tipi ve p-tipi Si(100) altabanlar üzerine farklı çaplarda Cu (bakır) ve Ag (gümüş) kaplamaları yapılmıştır. Bunlardan bazı alttabanlarm arkasına omik kontak amacıyla Al (alüminyum) kaplanmıştır. Oluşturulan bu Al kaplamalardan bazılarına tavlamalar yapılmıştır. Elde edilen kontakların elektriksel özellikleri akım-voltaj ve kapasitans- voltaj teknikleri ile incelenmiştir. Alttabanlarm arka taraflarına yapılan Al kaplamaların omik kontak oluşumunda gerekli olduğu elde edilen daha iyi deneysel sonuçlarla gösterilmiştir. Eklem oluşumunda, engel yüksekliği etldsinin çok az veya hiç olmadığı deneysel olarak görülmüştür. Engel yüksekliğinin metalin cinsine göre değiştiği ve ideallik parametresinin de metalin cinsine bağlı olmadığı doğrulanmıştır. Bu sonuçlar, arayüzeyde Fenni seviyesinin değerlik bandı kenarına göre sabitlendiğini göstermektedir. Eklem tayininde en belirgin parametrelerden olan potansiyel engel yükseklikleri, ideallik faktörleri, taşıyıcı konsantrasyonları ve omik/schottky yapı özellikleri hakkında incelemeleri yapılmış ve en kararlısı belirlenmiştir. Teorik hesaplamalar deneysel sonuçlarla uyum sağlamıştır. Cu 'nun Ag 'den daha iyi bir Schottky kontak özelliği sağladığı gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this work, Cu and Ag contacts are formed on p- and n-type Si(100) substrates at various diameters by thermal evaporation technique to establish Schottky contacts. Al coatings are formed on back side of some substrates for ohmic contact. Some of these Al coatings are also annealed. Electrical properties of the contacts are explored by current-voltage and capacitance-voltage techniques. It has been shown that Al coatings are necessary to obtain ohmic behaviour of the back side of the substrates. The effect of barrier height is almost not affected by the formation of the junctions. It is confirmed that barrier heights are changed by the type of metal and, ideality parameters are not dependent on the metal type. These results suggest that the Fermi level at the interface is pinned relative to the valance-band edge. Investigation of potential barrier heights, ideallity factors, concentration of carriers, and Ohmic/Schottky structure properties which are most evident parameters for indication of contacts is performed and the most stable one is defined. Theoretical results are mached with the experimental ones. It was observed that Cu on Si forms a better Schottky contact than Ag.
Benzer Tezler
- Organometalik ara katmanlı metal/yarıiletken schottky fotodiyotların elektriksel ve fotoelektriksel karakteristiklerinin deneysel ve optimizasyon teknikleri ile belirlenmesi
Determination of electrical and photoelectrical characteristics of metal/semiconductor schottky photodiodes with organometallic intermediate layer using experimental and optimization techniques
FATMA ZEHRA BAYAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜLYA DOĞAN
DOÇ. DR. MUSTAFA ŞEKER
- Sn/p-Si Schottky diyot karakteristiklerine doğal oksit tabakasının etkisi
Effect of native oxide layer on Sn/p-Si Schottky diode characteristics
GÜLŞAH AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. H. ALİ ÇETİNKARA
- Au/P3HT:PCBM:F4-TCNQ/n-Si schottky bariyer diyotların oda sıcaklığında elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of Au/P3HT:PCBM:F4-TCNQ/n-Si schottky barrier diodes at room temperature
ENGİN YAĞLIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDüzce ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
- Sn/p-Si metal- yarıiletken yapıların elektriksel ve dielektrik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Sn/p-Si semiconductor structures inventigation of the electrical and dielectric properties based temperature
ZEKERİYA KARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Arayüz oksit tabakası ve seri dirence sahip ruln-Si schottky diyod parametrelerinin doğru beslem I-V ve C-V karakteristiklerinden hesaplanması
Başlık çevirisi yok
ÖZKAN VURAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL