In0.51Ga0.49As ve In0.60Ga0.40As yarıiletkenlerinde mobilite hesaplamaları

Mobility calculations in In0.51Ga0.49As and In0.60Ga0.40As semiconductors

PDF İndir

Tez No: 114858
Yazar: SELÇUK DEMİREZEN
Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET KASAP
Tez Türü: Yüksek Lisans
Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
Yıl: 2001
Dil: Türkçe
Üniversite: Gazi Üniversitesi
Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
Sayfa Sayısı: 80

Özet

Bu çalışmada Ino.51Gao.49As ve Ino.60Gao.40As yarıiletkenlerinde bireysel dislokasyon saçılmasından kaynaklanan Hail mobilitesi hesaplandı. İlgili yarıiletkenlerde muhtemel saçılma mekanizmalarının tümünü içeren ISBE ile toplam mobilite hesaplandı. Hesaplama sonuçlarının deneysel sonuçlarla uyumlu olduğu bulundu. Bilim koduAnahtar kelimeler Sayfa adedi Tez yöneticisi 500.10.02 ISBE, Mobilite, Saçılma mekanizmaları

Özet (Çeviri)

In this work the mobility controlled by the dislocation scattering in Ino.51Gao.49As and Ino.6oGao.4oAs has been calculated. The overall mobility in the considered semiconductors has also been calculated using the ISBE including all possible scattering mechanisms. It is found that the calculated resutls are in a good agreement with the experiment. Science codeKeywords Page Supervisor 500.10.02 ISBE, Mobility, Scattering mechanisms

Benzer Tezler

Tez No
515843
High performance near/short wavelength infrared megapixel InGaAs focal plane array fabrication development and new design proposals
Yüksek performans yakın/kısa dalga boyu kızılötesi megapiksel InGaAs odak düzlem dizinlerinin fabrikasyonunun geliştirilmesi ve yeni dizayn önerileri
UTKU KARACA
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Orta Doğu Teknik Üniversitesi
Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SERDAR KOCAMAN
Tez No
123423
In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklemlerin elektronik transport özellikleri ve iki-boyutlu elektronların güç kaybı mekanizmalarının Shubnikov -de Haas osilasyonları yöntemiyle araştırılması
Investigation of the electronic transport properties and power loss mechanisms of the two-dimensional electrons in In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heterojunctions by Shubnikov -de Haas oscillations technique
ENGİN TIRAŞ
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik Mühendisliği Hacettepe Üniversitesi
Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET CANKURTARAN
Tez No
368772
Molecular beam epitaxy growth of InP/InGaAs structures for short wavelength infrared photodetectors
InP/InGaAs yapılarının kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörler için moleküler ışın epitaksisi tekniği ile büyütülmesi
OĞUZHAN TEMEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Orta Doğu Teknik Üniversitesi
Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
PROF. DR. MEHMET PARLAK
Tez No
176658
Seçici katkılı In0.4Al0.52As/In0.57Ga0.43As heteroeklemli yapılarda saçılma mekanizmaları
Scattering mechanisms in In0.4Al0.52As/In0.57Ga0.43As modulation doped heterojunctions
LEYLA KILIÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik Mühendisliği Balıkesir Üniversitesi
Fizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
Tez No
463583
High performance short wavelength infrared focal plane arrays
Yüksek performanslı kısa dalgaboyu kızılötesi odak düzlem dizinleri
KÜBRA ÇIRÇIR
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Orta Doğu Teknik Üniversitesi
Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

Geri Dön