In0.51Ga0.49As ve In0.60Ga0.40As yarıiletkenlerinde mobilite hesaplamaları
Mobility calculations in In0.51Ga0.49As and In0.60Ga0.40As semiconductors
- Tez No: 114858
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Hareketlilik hesaplama, Saçılma, Yarı iletkenler, Mobility calculation, Scattering, Semiconductors
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada Ino.51Gao.49As ve Ino.60Gao.40As yarıiletkenlerinde bireysel dislokasyon saçılmasından kaynaklanan Hail mobilitesi hesaplandı. İlgili yarıiletkenlerde muhtemel saçılma mekanizmalarının tümünü içeren ISBE ile toplam mobilite hesaplandı. Hesaplama sonuçlarının deneysel sonuçlarla uyumlu olduğu bulundu. Bilim koduAnahtar kelimeler Sayfa adedi Tez yöneticisi 500.10.02 ISBE, Mobilite, Saçılma mekanizmaları
Özet (Çeviri)
In this work the mobility controlled by the dislocation scattering in Ino.51Gao.49As and Ino.6oGao.4oAs has been calculated. The overall mobility in the considered semiconductors has also been calculated using the ISBE including all possible scattering mechanisms. It is found that the calculated resutls are in a good agreement with the experiment. Science codeKeywords Page Supervisor 500.10.02 ISBE, Mobility, Scattering mechanisms
Benzer Tezler
- In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklemlerin elektronik transport özellikleri ve iki-boyutlu elektronların güç kaybı mekanizmalarının Shubnikov -de Haas osilasyonları yöntemiyle araştırılması
Investigation of the electronic transport properties and power loss mechanisms of the two-dimensional electrons in In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heterojunctions by Shubnikov -de Haas oscillations technique
ENGİN TIRAŞ
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET CANKURTARAN
- Seçici katkılı In0.4Al0.52As/In0.57Ga0.43As heteroeklemli yapılarda saçılma mekanizmaları
Scattering mechanisms in In0.4Al0.52As/In0.57Ga0.43As modulation doped heterojunctions
LEYLA KILIÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
- High performance near/short wavelength infrared megapixel InGaAs focal plane array fabrication development and new design proposals
Yüksek performans yakın/kısa dalga boyu kızılötesi megapiksel InGaAs odak düzlem dizinlerinin fabrikasyonunun geliştirilmesi ve yeni dizayn önerileri
UTKU KARACA
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SERDAR KOCAMAN
- Molecular beam epitaxy growth of InP/InGaAs structures for short wavelength infrared photodetectors
InP/InGaAs yapılarının kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörler için moleküler ışın epitaksisi tekniği ile büyütülmesi
OĞUZHAN TEMEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- InGaP yarı iletkeninde mobilite analizi
Mobility analysis in InGaP semiconductors
SEDEF ŞEBNEM TUNALIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TOFİG MAMMADOV