Geri Dön

Seçici katkılı In0.4Al0.52As/In0.57Ga0.43As heteroeklemli yapılarda saçılma mekanizmaları

Scattering mechanisms in In0.4Al0.52As/In0.57Ga0.43As modulation doped heterojunctions

  1. Tez No: 176658
  2. Yazar: LEYLA KILIÇ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 51

Özet

Bu çalışmada, seçici katkılı In0.48Al0.52As/In0.57Ga0.43As heteroeklemli yapıdaelektron Hall mobilitesini etkileyen saçılma mekanizmaları teorik olarak incelenmiştir.Başlıca saçılma mekanizmaları olarak akustik fonon, optiksel fonon, uzaklaştırılmış vearka plan iyonize olmuş safsızlık saçılmaları, alaşım düzensizliği ve ara yüzeypürüzlülüğünden kaynaklanan saçılmalar göz önüne alınmıştır. Teorik hesaplamalar,literatürde yayınlanmış Hall mobilite ölçümlerine uygulanmıştır.Teorik ve deneysel sonuçların karşılaştırmalarından, düşük sıcaklıklarda alaşımdüzensizlik saçılmasının, yüksek sıcaklıklarda ise polar optik fonon saçılmasınınbaskın olduğu bulunmuştur. Bununla birlikte uzaklaştırılmış-iyonize olmuş saçılmasının,arka plan-iyonize olmuş saçılmasının, deformasyon potansiyel ve piezoelektriksaçılmalarının ve ara yüzey pürüzlülüğü saçılmasının elektron Hall mobilitesi üzerineetkileri tüm sıcaklıklarda alaşım düzensizliği saçılmasından çok daha küçüktür. Ayrıcafarklı tampon tabaka kalınlıkları için alaşım düzensizliği saçılma potansiyelinin değerleribulunmuş ve literatürdeki diğer değerlerle karşılaştırılmıştır.ANAHTAR SÖZCÜKLER: In0.57Ga0.43As / İki Boyutlu Sistemler / Seçici TipiKatkılama / Saçılma Mekanizmaları/ Alaşım Düzensizliği Saçılma Potansiyeli.

Özet (Çeviri)

In this work, the effect of scattering mechanisms on the electron Hall mobility inmodulation-doped In0.48Al0.52As/In0.57Ga0.43As heterostructures was investigatedtheoretically. The acoustic phonon scattering, remote-ionized impurity scattering,background-ionized impurity scattering, polar optical phonon scattering, alloy disorderscattering and interface roughness scattering were considered as major scatterings. Thetheoretical calculations were applied the recently published experimental Hall mobilitydata in the literature.From the comparison of the theoretical results with the experimental results, it isfound that alloy disorder scattering mechanisms is dominant at lower temperatures whilepolar optical phonon scattering is dominant at high temperatures. However, the effectsof remote-ionized impurity scattering, background-ionized impurity scattering, acousticphonon scattering, polar optical phonon scattering and interface roughness scattering onthe electron Hall mobility are much smaller than that alloy disorder scattering at alltemperatures.Finally, the alloy disorder scattering potential was also calculated for thedifferent spacer layer thicknesses and compared with the other values in literature.KEY WORDS: In0.57Ga0.43As / Two Dimensional Systems/Modulation Doping/Scattering Mechanisms/ Alloy Disorder Scattering Potential

Benzer Tezler

  1. Katkılı NiFe2O4 polimer tabanlı mikrodalga yutucuların frekans seçici malzeme tasarımı

    Frequency selector material design by using microwave absorbers wi̇th doped NiFe2O4 polymmer based

    ETHEM İLHAN ŞAHİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İletişim Sistemleri Ana Bilim Dalı

    PROF. MESUT KARTAL

  2. Bor katkılı elmas elektrot kullanarak progesteron hormonunun elektroanalitik incelenmesi

    Electroanalytical determination of progesterone hormone using boron-doped diamond electrode

    MUHLİS UÇAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    KimyaBatman Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULKADİR LEVENT

  3. Seçici metal iyonları katkılı CeO2 ince filmin karakterizasyonu

    Characterization of CeO2 thin film doped with selective metal ions

    BETÜL KAPUZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEMA KURTARAN

  4. Pt katkılı nanotüp yapılı TiO2 elektrotlar ile 5- (hidroksimetil)-2-furaldehitin sulu ortamda seçici Fotoelektrokatalitik yükseltgenmesi

    selective photoelectrocatalytic oxidation of 5-(hydroxymethyl)-2-furaldehyde in water by Pt loaded nanotube structure of TiO2 electrodes

    PINAR AK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    KimyaAfyon Kocatepe Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. LEVENT ÖZCAN

  5. Production of inorganic charge selective layers for mesoscopic perovskite solar cells

    Mezoskopik perovskit güneş hücreleri için inorganik seçici taşıyıcı katmanların üretilmesi

    KEREM ÇAĞATAY İÇLİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    EnerjiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET MACİT ÖZENBAŞ

    PROF. DR. BURCU AKATA KURÇ