Low temperature photoluminescence study in GaS-GaSe layered crystals
GaS-GaSe katmanlı kristallerin düşük sıcaklıkta fotoışıma incelemesi
- Tez No: 119139
- Danışmanlar: PROF. DR. NİZAMİ HASANLİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fotoışıma, safsızlık durumları, yeniden birleşme mekanizmaları, band yapısı iv, Photoluminescence, impurity states, recombination mechanisms, band structure m
- Yıl: 2002
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 82
Özet
oz GaS-GaSe KATMANLI KRİSTALLERİNİN DÜŞÜK SICAKLIKTA FOTOIŞIMA İNCELEMESİ Gökşen, Kadir Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Nizami Hasanlı Ortak Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Hüsnü Özkan Ağustos 2002, 73 sayfa GaSxSe|.x katlı kristallerinin safsızlık durumları, x = 1, 0.5 ve 0 değerleri için fotoışıma deneyleri aracılığıyla incelendi. Bileşik parametresinin (x) her bir değeri için (GaS, GaSo.sSeo.5 ve GaSe kristalleri için), fotoışıma spektrumunun sıcaklığa ve lazer uyarma şiddetine bağımlılığı incelendi. Analizler sonucu, her bir kristal için enerji bandı diyagramı çizildi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE STUDY IN GaS-GaSe LAYERED CRYSTALS Gökşen, Kadir M. S. Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Nizami Hasanli Co-supervisor: Prof. Dr. Hüsnü Özkan August 2002, 73 pages The impurity states in GaSxSei_x single crystals were studied for the values of x~ 1, 0.5 and 0 by photoluminescence experiments. For each value of compositional parameter, x, (for GaS, GaSo.sSeo.5 and GaSe crystals), the variation of the photoluminescence spectra as a function of temperature and excitation laser intensity was investigated. As a result of analysis, the energy band diagram for each crystal was drawn.
Benzer Tezler
- AlxGa1-xN/GaN 2 boyutlu elektron gazının elektriksel ve optiksel özellikleri arasındaki ilişkinin incelenmesi
Electrical and optical characterization of 2 DEG in AlxGa1-xN/GaN heterostructure
SALİH TOLGA BAYRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ TEKE
- Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu
Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization
İSMAİL ALTUNTAŞ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Safir alttaş üzerine MOCVD ile büyütülen mavi LED yapısının elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of blue LED structure growth by MOCVD on sapphire substrate
DİDEM ALTUN
Doktora
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Gama ışınlarına maruz kalmış ZrO2 ince filmlerin karakterizasyonu
The characterization of ZrO2 thin films irradiated with gamma radiation
DEFNE ABAYLI
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiNükleer Araştırmalar Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Katalitik büyütme ile elde edilen II-VI grubu nanotellerinin fiziksel özelliklerinin incelenmesi
An investigation of physical properties of group II-VI nanowires obtained with catalytic growth
NESLİHAN ÜZAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. M. ÇETİN ARIKAN