Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların (MIS) elektriksel özellikleri
Electrical properties of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures
- Tez No: 126056
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZEK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MİS, Sn02 arayüzey
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
METAL-YALITKAN-YARltLETKEN YAPILARIN (MIS) ELEKTİRİKSEL ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Dilber Esra Yıldız Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Ağustos 2002 ÖZET Bu çalışmada; Sn02 arayüzey tabakasına sahip Au/n-Si/Sn02/Au MİS diyodlarmm elektroniksel özellikleri araştırıldı. Bu amaçla, n-tipi 4Q-cm özdirençli (111) yönelimli silisyum tek kristali kullanılarak Au/n- Si/Sn02/Au diyodları hazırlandı. Sn02 tabakası püskürtme yöntemiyle oluşturuldu. Elde edilen diyodlara etki eden faktörler ve elektronik parametreler incelendi. Düz bestem akım-gerilim (I-V) ve ters beslem kapasite-gerilim (C-V) belirtkenleri 200-350 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Elde edilen sonuçlara göre akım iletim mekanizması idalite faktörünün 1'den büyük olduğu tünelleme katkılı termiyonik emisyon modeline uymaktadır. C-Y ölçümlerinden hesaplanan engel yüksekliği I-Y ölçümlerinden hesaplanan engel yüksekliğinden daha büyük bulunmuştur. Bilim Kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
11 ELECTRICAL PROPERTIES OF METAL-INSULATOR-SEMİCONDUCTOR (MIS) STRUCTURES (Thesis for Master of Science) Dilber Esra Yıldız GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY Ağustos 2002 ABSTRACT The effect of surface electronic conductivity of Au/Sn02/n-Si/Au structures are determined in this study. Au/Sn02/n-Si/Au diodes were prepared in n-type, 4 Q-cm resistivity and (111) oriented silicon crystals. Sn02 thin films are provided by spraying system. The effects of electrical currents and other physical characteristics on the electronical conductivity of the structures were observed. Both the forward bias current-voltage (I-V) and reverse capacitance-voltage (C-V) characteristics were measured at the temperature ranges of 200-350 K. As for the results of our experiments, the current transport mechanism is in accordance with the TE theory, which is valid for ideality factor n>l. It is found that our experimental values the calculated (J>B of C-Y values are higher than the I-V measurements. Science code:404.05.01 Key Words :MIS,Sn02,interface states Page number:80 Adviser : Assist. Professor Metin ÖZER
Benzer Tezler
- Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical properties of metal-insulator-semiconductor structures
FARUK KİRAZOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ADNAN TATAROĞLU
- Metal/yalıtkan/yarıiletken (MIS) yapıların farklı frekanslar altında elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of electrical properties of metal/insulator/semiconductor (MIS) structures under different frequencies
DİLEK ŞAHİN CÜCE
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEHZAD BARIŞ
- Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures
DİLBER ESRA YILDIZ
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures
FATİH YİĞİTEROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ
- Farklı kalınlıklarda al2o3 arayüzey tabakasının metal-yarıiletken yapılara eklenmesi ile dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Dielectric properties investigation of metal-semiconductor structures by adding al2o3 interlayer in different thicknesses
BİLAL ARSLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN