Monte Carlo simulation of lattice growth from solution with lattice defects in three dimensions
Çözeltiden örgü hatalı yüzey büyütmenin üç boyutlu Monte Carlo simülasyonu
- Tez No: 129337
- Danışmanlar: DOÇ. DR. LEVENT KURNAZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2002
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 72
Özet
ÖZET.... ÇÖZELTİDEN ÖRGÜ HATALI YÜZEY BÜYÜTMENİN ÜÇ BOYUTLU MONTE CARLO SİMÜLASYONU Çözeltiden yüzey büyütmenin yapısı ve hata oluşumları kinetik Monte Carlo methoduyla kristal büyütülürken incelendi. Simülasyonlar üç boyutlu bir kristal için yapıldı. Bu tezde kullanılan modelde üç olay hesaba katıldı; adsorpsiyon, desorp- siyon ve difüzyon. Büyüme hızı katı ve sıvı fazların kimyasal potansiyel farkı (A/i) ile kontrol edildi. Mevcut çalışmada, kristal büyütme modeli olarak genellikle kul lanılan katı-üstü-katı kriteri varsayılmadı. Bu durum kristalde örgü hataları (boşluklar) oluşmasını sağladı. Yeterince büyük A/i için, yüzeyin engebeli hale gelmesi ve büyük boşluklara ek olarak noktasal hataların oluşması gösterildi. Ayrıca hata yoğunluğunun A// büyüdükçe arttığı gösterildi. >1&f& ",.-$& !*?£>&
Özet (Çeviri)
IV ABSTRACT MONTE CARLO SIMULATION OF LATTICE GROWTH FROM SOLUTION WITH LATTICE DEFECTS IN THREE DIMENSIONS The structure of surface growth from solution and formation of defects during the growth of a crystal have been studied with the use of a kinetic Monte Carlo method. Simulations have been performed for a three-dimensional lattice. The model used in this thesis takes into account three events; adsorption, desorption and diffusion. The growth rate is controlled by chemical potential change of solid and fluid phases (A/i). The solid-on-solid criterion, which is commonly used in modeling crystal growth, is not assumed in the present study. This extends to make lattice defects (vacancies) created in the crystal. It is shown that for sufficiently large A/jl, the surface becomes rough and large voids are formed as well as point defects. It is also shown that the density of defects increases as A/i becomes large.
Benzer Tezler
- Scaling behaviour in stochastre growth models exhibiting dynimical phase transitions and degenerate spin-glass order in diluted frustratea systems
Dinamik hal değişimi içeren stokastik büyüme modellerindeki ölçeklenme davranışı ve seyreltilmiş bunalımlı sistemlerdeki dejenere spin-camı düzeni
HÜSEYİN KAYA
- Hg katkılanmış CdTe yarıiletken bileşiğinde taşınım özelliklerinin Monte Carlo Yöntemiyle belirlenmesi
Determination of transport properties in Hg doped CdTe semiconductor compound by Monte Carlo simulation
MUSTAFA AKARSU
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÖMER ÖZBAŞ
- High field transport phenomena in wide bandgap semiconductors
Geniş bant aralıklı yarı iletkenlerde yüksek elektrik alanı altında iletim olayları
CEM SEVİK
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY
- Simulation studies of polymers; Development of a Monte Carlo program to study conformational properties of polymers
Polimerlerde simülasyon çalışmaları; Polimerlerin yapısal özelliklerinin incelenmesi amacıyla Monte Carlo programının geliştirilmesi
ORHAN ALLI
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERSİN YURTSEVER