Geri Dön

GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon

Electrical characterization in GaAs and InP

  1. Tez No: 133422
  2. Yazar: SELİM ACAR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET KASAP
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 110

Özet

GaAs VE InP YARIİLETKENLERDE ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYON (DoktoraTezi) Selim ACAR GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2003 ÖZET LEC tekniği ile büyütülmüş demir katkılı GaAs ve InP ve katkısız GaAs yarıiletkenlerinde sıcaklığa bağlı iletkenlik, Hali etkisi ve manyeto direnç ölçümleri 300-420K aralığında yapıldı. Deneysel sonuçlar tüm numunelerde SI özelliğin var olduğunu gösterdi. Katkılı ve katkısız GaAs'ta SI özelliklere neden olan EL2 derin safsızhk seviyesinin enerjisi 0,77 eV olarak bulundu. Demir katkılı InP'ta SI özelliğinden sorumlu demir safsızlığımn bağlanma enerjisi 0,65 eV olarak bulundu. Göz önüne alman yarıiletken kristallerde geometrik manyetik direnç mobilitesinin Hail mobilitesine oranının 1,2'den büyük olması tüm numunelerde karma iletimin var olduğunu gösterdi. Deneysel sonuçlar iletkenliğe hem iletkenlik hem de valans bandlanndan gelen katkıları ihtiva eden karma iletkenlik modeliyle analiz edildi. Deney ve teori arasında iyi bir uyum elde edildi. Her bir numune için bireysel band parametreleri ayrı ayrı hesaplandı. Analizlerden elde edilen bireysel band taşıyıcı yoğunluklarının kullanılması ile katkısız GaAs için derin verici yoğunluğu 10,3m“3 ve katkılı GaAs için 10,5m”3 mertebesinde olduğu bulundu. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : Hail etkisi, manyetik direnç ve van der Pauw Sayfa Adedi : 98 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP

Özet (Çeviri)

ELECTRICAL CHARACTERIZATION IN GaAs AND InP (Ph. D. Thesis) Selim ACAR GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY July 2003 ABSTRACT Temperature dependent conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements in undoped GaAs, and Fe doped GaAs and InP semiconductors which grown by LEC were carried out at the temperature range 300-420K. Experimental results show that SI properties are presence in all samples. In GaAs, the energies of deep impurity levels called EL2 which is responsible for SI properties is found as 0,77 eV. In InP Fe impurity is responsible for SI properties and its binding energy is found as 0,65 eV. It is shown that a high ratio of the geometric magnetoresistance mobility to the Hall mobility (larger than about 1,2). The ratio indicating the presence of a mixed conductivity. Experimental results have been analized using mixed conductivity model including the contributions to the conductivity from both valance band and conductivity band. A good agreement between the theory and the experiment are obtained. Single band parameters are calculated for all samples. Using the single band carrier concentrations calculated from mixed conductivity analysis, the deep donor concentrations are found that in order of 1013m“3 for undoped GaAs, and 1015m”3 for doped GaAs. Science Code : 404.05.01 Key Words : Hall Effect, magnetoresisitivity and van der Pauw Page Number: 98 Adviser : Ass. Prof. Mehmet KASAP

Benzer Tezler

  1. Tez No

    105264

    Bazı III-V ve II-VI bileşik yarı iletkenlerde elektriksel ve optik karakterizasyon

    Başlık çevirisi yok

    SEYDİ DOĞAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN

  2. Tez No

    269690

    Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması

    Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications

    HATİCE ASIL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN

  3. Tez No

    325660

    Modülasyon katkılı GaInNAs/gaas kuantum kuyusu yapıların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmes

    Investigation of optical and electrical properties of modulation doped gainnas/GaAs quantum well structures

    FAHRETTİN SARCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYŞE EROL

  4. Tez No

    321601

    Yüksek katkılı InxGa1-xAs alaşım yarıiletkenlerin sıcaklık bağımlı elektriksel özellikleri

    Temperature dependent electrical properties of high doped InxGa1-xAs alloy semiconductor

    ELİF YAZBAHAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET KASAP

  5. Tez No

    123543

    Non-parabolik yarıiletken ince filmlerde siklatron enerjisinin davranışı

    The Behavior of siclatron energy in non-parabolic semiconductor

    MURAT MURAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAHŞELİ GULİYEV

Geri Dön