GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon
Electrical characterization in GaAs and InP
- Tez No: 133422
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Hail etkisi, manyetik direnç ve van der Pauw, Hall etkisi, Manyetik direnç, Yarı iletkenler, Hall Effect, magnetoresisitivity and van der Pauw, Magnetic resistivity, Semiconductors
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
GaAs VE InP YARIİLETKENLERDE ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYON (DoktoraTezi) Selim ACAR GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2003 ÖZET LEC tekniği ile büyütülmüş demir katkılı GaAs ve InP ve katkısız GaAs yarıiletkenlerinde sıcaklığa bağlı iletkenlik, Hali etkisi ve manyeto direnç ölçümleri 300-420K aralığında yapıldı. Deneysel sonuçlar tüm numunelerde SI özelliğin var olduğunu gösterdi. Katkılı ve katkısız GaAs'ta SI özelliklere neden olan EL2 derin safsızhk seviyesinin enerjisi 0,77 eV olarak bulundu. Demir katkılı InP'ta SI özelliğinden sorumlu demir safsızlığımn bağlanma enerjisi 0,65 eV olarak bulundu. Göz önüne alman yarıiletken kristallerde geometrik manyetik direnç mobilitesinin Hail mobilitesine oranının 1,2'den büyük olması tüm numunelerde karma iletimin var olduğunu gösterdi. Deneysel sonuçlar iletkenliğe hem iletkenlik hem de valans bandlanndan gelen katkıları ihtiva eden karma iletkenlik modeliyle analiz edildi. Deney ve teori arasında iyi bir uyum elde edildi. Her bir numune için bireysel band parametreleri ayrı ayrı hesaplandı. Analizlerden elde edilen bireysel band taşıyıcı yoğunluklarının kullanılması ile katkısız GaAs için derin verici yoğunluğu 10,3m“3 ve katkılı GaAs için 10,5m”3 mertebesinde olduğu bulundu. Bilim Kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
ELECTRICAL CHARACTERIZATION IN GaAs AND InP (Ph. D. Thesis) Selim ACAR GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY July 2003 ABSTRACT Temperature dependent conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements in undoped GaAs, and Fe doped GaAs and InP semiconductors which grown by LEC were carried out at the temperature range 300-420K. Experimental results show that SI properties are presence in all samples. In GaAs, the energies of deep impurity levels called EL2 which is responsible for SI properties is found as 0,77 eV. In InP Fe impurity is responsible for SI properties and its binding energy is found as 0,65 eV. It is shown that a high ratio of the geometric magnetoresistance mobility to the Hall mobility (larger than about 1,2). The ratio indicating the presence of a mixed conductivity. Experimental results have been analized using mixed conductivity model including the contributions to the conductivity from both valance band and conductivity band. A good agreement between the theory and the experiment are obtained. Single band parameters are calculated for all samples. Using the single band carrier concentrations calculated from mixed conductivity analysis, the deep donor concentrations are found that in order of 1013m“3 for undoped GaAs, and 1015m”3 for doped GaAs. Science Code : 404.05.01
Benzer Tezler
- Bazı III-V ve II-VI bileşik yarı iletkenlerde elektriksel ve optik karakterizasyon
Başlık çevirisi yok
SEYDİ DOĞAN
Doktora
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması
Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications
HATİCE ASIL
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
- Organik tabanlı güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
Organik tabanli güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
SAEEDULLAH SAJJAD
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET ALTINDAL
- III-V grubu yarıiletkenlere dayalı güneş hücrelerinin elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and optical properties of solar cells based on III-V group semiconductors
AGAGELDI MUHAMMETGULYYEV
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- Modülasyon katkılı GaInNAs/gaas kuantum kuyusu yapıların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmes
Investigation of optical and electrical properties of modulation doped gainnas/GaAs quantum well structures
FAHRETTİN SARCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYŞE EROL