Sn/p-Si Schottky kontakların elektriksel karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında incelenmesi
Investigation of electrical characteristics of Sn/p-Si Schottky contacts in a wide temperature range
- Tez No: 133494
- Danışmanlar: PROF. DR. ATİLLA ÖZMEN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Gaussian dağılım, Sıcaklık, Arayüzey durumları, Schottky kontaklar Safa Adedi :100, Arayüzler, Gauss dağılımı, Schottky kontakları, Interfaces, Gaussian distribution, Schottky contacts, Temperature
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Sn/p-Si SCHOTTKY KONTAKLARIN ELEKTRİKSEL KARAKTERİSTİKLERİNİN GENİŞ BİR SICAKLIK ARALIĞINDA İNCELENMESİ (Doktora Tezi) Şükrü KARATAŞ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ MAYIS 2003 ÖZET Bu çalışmada, [100] doğrultusunda büyütülmüş, 200 um kalı lıklı ve özdirenci 5-10 Q-cm olan Bor katkılı p-tipi Si kristali kullanıldı. Hazırlanan Sn/p-Si Schottky kontakların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri 150-400 K sıcaklık aralığında ölçüldü ve arayüzeyde engel yüksekliklerinin homojensizliğinden dolayı bir Gaussian dağılımına sahip olduğu gözlendi. Deneysel I-V verilerinden sıcaklığın artmasıyla engel yüksekliğinde (<£>]») artış ve idealite faktöründe (n) ise bir azalma olduğu gözlendi. Engel yüksekliğinin sıcaklığın tersi ile değişimi grafiğinden Gaussian dağılımı için ortalama engel yüksekliği ve standart sapma değerleri sırasıyla Ğ>£,0=1. 049 eV, a0 = 0. 114 V olarak elde edildi. Böylece, modife edilen İnÇlo/T2) - q2o02/2\ı?T2 nin l/T eğrisinde ortalama engel yüksekliği ve Richardson sabitinin değerleri sırasıyla 1.026 eV ve 14.60 A/cm2K2 olarak elde edildi. Sn/p-Si Schottky diyodun sıcaklığa bağlı I-V karakteristiklerinden engel yüksekliklerinin Gaussian dağılıma sahip olması termiyonik emisyon makanizmasıyla açıklandı. Hazırlanan Schottky kontakları için bulunan sıcaklık sabiti değeri (= -0.247meV/K), p-Si yüzeyinin hidrojenlenmiş11 olmasından dolayı literatüdeki değerlerden farklıdır. Aynı zamanda Cheung fonsiyonlarıda kullanılarak H(I)-I ve dV/dlnl-I eğrilerinden; seri direnç(Rs), engel yüksekliği (Obo) ve idealite faktörü (n) elde edildi ve karşılaştırıldı. Bilim Kodu : 404. 05. 01
Özet (Çeviri)
m IVESTIGATION OF ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF Sıı/p-Si SCHOTTKY CONTACTS IN A WIDE TEMPERATURE RANGE (Ph. D. Thesis) Şükrü KARATAŞ GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY MAY 2003 ABSTRACT In this study, we have used p-Si wafers with (100) orientation, 200mm thickness and resistivity betwen 5-10 Q-cm. The current-voltage (I-V) characteristics of Sn Schottky contacts on hydrogen terminated-p type Si substrate have been measured in the temperature range of 150-400 K and have been interpreted based on of the assumption of a Gaussian distribution of barrier heights (BHs) due to BH inhomogeneities that prevail at the interface. The evaluation of the experimental I-V data reveals an increase of the zero bias barrier height (Oto) and a decrease of the ideality factor (n) with increasing temperature. Zero bias barrier height (Obo) versus inverse temperature (1/T) plot was drawn to obtained evidence of a Gaussian distribution of the BHs, and values of 0^0 = 1.049 eV and <r0~ 0.114 V for the mean BH and zero-bias standard deviation have been obtained from this plot, respectively. Thus, a modified ln(io/r 2) - tfollltfT 2 vs 1/T plot gives ®bo and A* as 1.026 eV and 14.60 A/cm2K2 without using the temperature coefficient of the BH, respectively. It has been concluded that the temperature dependent I-V characteristics of the device can be successfully explained on the basis of a thermionic emission mechanism with Gaussian distribution of the BHs. Furthermore, an average value of -0.247 meV/K for the temperature coefficient has been obtained, respectively; the value of -0.247 meV/K for hydrogen terminated-p type Si differs from those inIV the literature due to the termination with hydrogen of the p-Si surface. In addition, using the Cheung functions, plots of H(I)-I and dV/dlnl-I, series resistance (Rs), barrier height (Obo) and ideality factor were determined and compared with each other. Science Code :404. 05. 01 Keywords.'Gaussian distribution, Temperature, Interface States, Schottky contacts Page Number :100 Adviser :Professor Atilla ÖZMEN
Benzer Tezler
- Kuyruk modelleri ve analizi üzerine bir uygulama
Başlık çevirisi yok
DİDEM ÖZPULAT
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
İstatistikEge ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FİKRET İKİZ
- 1,3-difenil-4,5-bis(hidroksiimino)-imidazolidin ve Ni(II), Cu(II), Pd(II), UO2(VI) komplekslerinin sentezi
Başlık çevirisi yok
VEFA AHSEN
Doktora
Türkçe
1984
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZER BEKAROĞLU
- Bir pamuk iplikhanesinde fiili çalışma metodlarının incelenmesi ve mevcut işlemlerin standart sürelerinin saptanması
Başlık çevirisi yok
MÜRŞİDE KESEROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
İşletmeEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA NAZMİ ERCAN
- Farklı derecelerde ısıtılmış süte farklı oranlarda katılan CaCl2'ün sütün pıhtılaşma süresine ve peynir randımanına etkisi üzerine araştırmalar
Başlık çevirisi yok
B.DİLARA ÖZGEN
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Gıda MühendisliğiEge ÜniversitesiSüt Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SIDDIK GÖNÇ
- Türkiye trafik düzeninde kazaların azaltılması açısından yeni trafik kanunu uygulaması ile ilgili sorunlar ve çözüm yolları
Başlık çevirisi yok
ERDAL UÇAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
UlaşımGazi ÜniversitesiKazaların Çevresel ve Teknik Araştırması Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. RIDVAN EGE