Yarıiletken uygulamalar için geleneksel yöntemlerle NiSi üretim koşullarının belirlenmesi
Nisi production for semiconductor application by using conventional methods
- Tez No: 139735
- Danışmanlar: DOÇ. DR. NURHAN CANSEVER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
- Anahtar Kelimeler: Silisidasyon, silisit, salisit, NiSi, RTP xı, Silicidation, silicide, salicide, NiSi, RTP xn
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Malzeme Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 110
Özet
ÖZET Yaptığımız bu çalışmada, temel yarıiletken uygulamalarının açıklaması ve bu uygulamalarla gelişmiş entegrasyonların oluşturulması, Malzeme Bilimi' nin incelediği bir perspektifte ele alınmaktadır. Bu amaçla, mikroelektronikte devrelerin ince filmler halinde, üzerinde oluşturulduğu silisyum pulların üretimi ve temel devre üretim prosesleri incelenmektedir. Yüksek yoğunluklu entegrasyonlarda, sığ katkılı bölgelerden oluşan yüksek tabaka direncine çözüm olarak silisitler görülmektedir. Düşük tabaka direnci ve silisyum tüketimi ile, diğer silisitlerden daha iyi özelliklere sahip NiSi oluşumu incelenmiştir. Bu amaçla, Ni - Si fazlarından, Nİ2Sİ, NiSi ve NİSİ2 fazlarının üretim koşullan belirlenerek NiSi için uygun üretim koşullar tespit edilmiştir. Yaptığımız deneysel çalışmada, yüzeyleri elektron ışınıyla buharlaştırma yöntemiyle, 500 Â ve 1000 Â kalınlıklarda kaplanan n tipi, (100) yönelimli silisyum pullar geleneksel tüp fırın ile ısıl işlenmiş ve NiSi üretim koşullan belirlenmiştir. Yapılan literatür araştırmasından NiSi' in elde edilebildiği sıcaklık aralığı olarak, 350 °C - 750 °C aralığı tespit edilmiş ve bu veriye dayanarak kaplanan numunelere 500 °C ve 600 °C lerde 20 ve 30 dakika ısıl işlem uygulanmıştır. Numunelerde uygulanan XRD analizleri sonucunda, 500 Â saf Ni kaplanan iki numunede NiSi fazına ait pikler tespit edilmiştir. Numunelere dört prob testi ile tabaka direnci ölçümünün yanı sıra taramalı elektron mikroskobu (SEM) analizi de yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this study, the basic semiconductor applications and advanced integrations methods are investigated from the perspective of Material Science. In this aspect, the basic microelectronic fabrication processes and silicon wafer production are studied. In todays microelectronic technology, as the device dimensions become smaller in high scale integrations, the increment in sheet resistance has become a problem for device fabrication with the usage of shallow doped regions. As a matter of fact, silicides play a significant role in solution of this problem. This study has been carried out to understand the fabrication conditions of NiSi, which is widely used in semiconductor device fabrication for its low silicon consumption, low sheet resistance and many other superior properties. As a result, to understand the appropriate fabrication techniques for NiSi, the Nİ2Sİ, NiSi and NİSİ2 phases in Ni - Si phase system are studied as well. In our experimental study, n type, (100) silicon wafers are used. Samples are deposited with 500 Â and 1000 Â nickel by e-beam evaporation system. After deposition, samples are annealed in conventional furnace at 500 °C and 600 °C for 20 and 30 minutes respectively. In XRD analysis the NiSi characteristic peaks are identified in 500 Â nickel deposited samples. Four point probe and SEM analyzes are also carried out on samples that NiSi has been identified.
Benzer Tezler
- Nano-fotokatalitik malzeme üretimi, karakterizasyonu ve fotokatalitik performans incelemesi
The production and characterization of nano-photocatalytic materials and investigation of their photocatalytic performances
EMRE ALP
Doktora
Türkçe
2019
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI
DOÇ. DR. AZİZ GENÇ
- Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD
III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD'deki uygulamaları
ALI HAIDER
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
Assist. Prof. AYKUTLU DANA
DR. NECMİ BIYIKLI
- Contribution a la recherche d'un cadre juridique pour un droit international de laconcurrence plus efficace
Daha etkin bir uluslararası rekabet için hukuki çerçeve arayışı
ALİ CENK KESKİN
Doktora
Fransızca
2009
HukukGalatasaray ÜniversitesiKamu Hukuku Ana Bilim Dalı
PROF. DR. JEAN MARC SOREL
PROF. DR. HALİL ERCÜMENT ERDEM
- 3D-microstructuring of silicon induced by nanosecond pulsed infrared fiber laser for potential solar cell applications
Potansiyel güneş hücresi uygulamaları için nanosaniye atımlı kızılötesi fiber lazer yardımıyla silikonun üç boyutlu mikroyapılandırılması
BESNA BÜLBÜL TATBUL
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ IHOR PAVLOV
- GaAs yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulan yapının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and optical properties of the structure formed by coating conductive polymer onto GaAs semiconductor
AHMET KIRSOY
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU