Geri Dön

Yarıiletken uygulamalar için geleneksel yöntemlerle NiSi üretim koşullarının belirlenmesi

Nisi production for semiconductor application by using conventional methods

  1. Tez No: 139735
  2. Yazar: MURAT DANIŞMAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. NURHAN CANSEVER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Silisidasyon, silisit, salisit, NiSi, RTP xı, Silicidation, silicide, salicide, NiSi, RTP xn
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Malzeme Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 110

Özet

ÖZET Yaptığımız bu çalışmada, temel yarıiletken uygulamalarının açıklaması ve bu uygulamalarla gelişmiş entegrasyonların oluşturulması, Malzeme Bilimi' nin incelediği bir perspektifte ele alınmaktadır. Bu amaçla, mikroelektronikte devrelerin ince filmler halinde, üzerinde oluşturulduğu silisyum pulların üretimi ve temel devre üretim prosesleri incelenmektedir. Yüksek yoğunluklu entegrasyonlarda, sığ katkılı bölgelerden oluşan yüksek tabaka direncine çözüm olarak silisitler görülmektedir. Düşük tabaka direnci ve silisyum tüketimi ile, diğer silisitlerden daha iyi özelliklere sahip NiSi oluşumu incelenmiştir. Bu amaçla, Ni - Si fazlarından, Nİ2Sİ, NiSi ve NİSİ2 fazlarının üretim koşullan belirlenerek NiSi için uygun üretim koşullar tespit edilmiştir. Yaptığımız deneysel çalışmada, yüzeyleri elektron ışınıyla buharlaştırma yöntemiyle, 500 Â ve 1000 Â kalınlıklarda kaplanan n tipi, (100) yönelimli silisyum pullar geleneksel tüp fırın ile ısıl işlenmiş ve NiSi üretim koşullan belirlenmiştir. Yapılan literatür araştırmasından NiSi' in elde edilebildiği sıcaklık aralığı olarak, 350 °C - 750 °C aralığı tespit edilmiş ve bu veriye dayanarak kaplanan numunelere 500 °C ve 600 °C lerde 20 ve 30 dakika ısıl işlem uygulanmıştır. Numunelerde uygulanan XRD analizleri sonucunda, 500 Â saf Ni kaplanan iki numunede NiSi fazına ait pikler tespit edilmiştir. Numunelere dört prob testi ile tabaka direnci ölçümünün yanı sıra taramalı elektron mikroskobu (SEM) analizi de yapılmıştır.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT In this study, the basic semiconductor applications and advanced integrations methods are investigated from the perspective of Material Science. In this aspect, the basic microelectronic fabrication processes and silicon wafer production are studied. In todays microelectronic technology, as the device dimensions become smaller in high scale integrations, the increment in sheet resistance has become a problem for device fabrication with the usage of shallow doped regions. As a matter of fact, silicides play a significant role in solution of this problem. This study has been carried out to understand the fabrication conditions of NiSi, which is widely used in semiconductor device fabrication for its low silicon consumption, low sheet resistance and many other superior properties. As a result, to understand the appropriate fabrication techniques for NiSi, the Nİ2Sİ, NiSi and NİSİ2 phases in Ni - Si phase system are studied as well. In our experimental study, n type, (100) silicon wafers are used. Samples are deposited with 500 Â and 1000 Â nickel by e-beam evaporation system. After deposition, samples are annealed in conventional furnace at 500 °C and 600 °C for 20 and 30 minutes respectively. In XRD analysis the NiSi characteristic peaks are identified in 500 Â nickel deposited samples. Four point probe and SEM analyzes are also carried out on samples that NiSi has been identified.

Benzer Tezler

  1. Nano-fotokatalitik malzeme üretimi, karakterizasyonu ve fotokatalitik performans incelemesi

    The production and characterization of nano-photocatalytic materials and investigation of their photocatalytic performances

    EMRE ALP

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI

    DOÇ. DR. AZİZ GENÇ

  2. Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD

    III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD'deki uygulamaları

    ALI HAIDER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    Assist. Prof. AYKUTLU DANA

    DR. NECMİ BIYIKLI

  3. Contribution a la recherche d'un cadre juridique pour un droit international de laconcurrence plus efficace

    Daha etkin bir uluslararası rekabet için hukuki çerçeve arayışı

    ALİ CENK KESKİN

    Doktora

    Fransızca

    Fransızca

    2009

    HukukGalatasaray Üniversitesi

    Kamu Hukuku Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. JEAN MARC SOREL

    PROF. DR. HALİL ERCÜMENT ERDEM

  4. 3D-microstructuring of silicon induced by nanosecond pulsed infrared fiber laser for potential solar cell applications

    Potansiyel güneş hücresi uygulamaları için nanosaniye atımlı kızılötesi fiber lazer yardımıyla silikonun üç boyutlu mikroyapılandırılması

    BESNA BÜLBÜL TATBUL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ IHOR PAVLOV

  5. GaAs yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulan yapının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical and optical properties of the structure formed by coating conductive polymer onto GaAs semiconductor

    AHMET KIRSOY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU