Polikristal tek katlı gümüş ve iki katlı gümüş-krom filmlerin elektriksel özellikleri
Electrical properties of polycrystalline single-layered silver and double-layered silver-chromium thin films
- Tez No: 149562
- Danışmanlar: PROF.DR. NURCAN ARTUNÇ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Elektriksel özdirenç, Tanecik-sınır saçılması, R yansıma katsayısı, Electrical resistivity, grain-boundary scattering, R reflection coefficient
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ege Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 103
Özet
ÖZET POLİKRİSTAL TEK KATLI GÜMÜŞ VE İKİ KATLI GÜMÜŞ-KROM FİLMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ BÎLGE, Duygu Yüksek Lisans Tezi, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr.Nurcan ARTUNÇ Temmuz 2004, 85 sayfa Kalınlıkları 9.0 nm ile 286.0 nm arasında değişen tek katlı polikristal Ag filmlerin toplam özdirençleri 90-300 K aralığında sıcaklığın fonksiyonu olarak çalışılmıştır. Özdirencin sıcaklıkla değişimi verileri, tek katlı Ag filmlerin özdirençlerinin hacimli Ag' ün özdirencinden daha büyük olduğunu ve bu artışın azalan film kalınlığı ile arttığını göstermiştir. Analiz sonuçlarımız, özdirenç artışının tanecik sınır saçılmasından kaynaklandığını ve özdirenç verilerinin Mayadas-Shatzkes (M-S) modeli ile analizlenebileceğini göstermiştir. R yansıma katsayısının azalan teorik değeri tüm sıcaklık ve kalınlık bölgesi üzerinden ortalama alınarak 0.32, deneysel değeri ise 0.35 olarak hesaplandı. R yansıma katsayısının azalan film kalınlığı ve sıcaklıkla yavaşça arttığı bulundu. R 'nin bu değişimi, azalan film kalınlığı ile tanecik sınır saçılmasının arttığını doğrulamaktadır.VI Kalınlıkları 9.0 ve 99.0 nm olan Ag taşıyıcı filmler üzerine sırasıyla kalınlıkları 11.0-27.0 nm ve 26.0-56.0 nm arasında değişen Cr filmlerin kaplanmasıyla elde edilen iki farklı seri polikristal Ag-Cr filmlerin özdirenç ölçümleri de 90-300 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. İki katlı Ag-Cr filmlerin özdirencinin aynı kalınlıktaki Ag-taşıyıcı filmlere göre daha büyük olduğu ve bu artışın taşıyıcı filmin azalan kalınlığı ile arttığı bulundu. Analiz sonuçlarımız taşıyıcı Ag füminkine göre gözlenen bu artışın, artan tanecik-sınır saçılmasından ve Cr 'un safsızlık etkisiyle artan kalıcı özdirençden kaynaklandığını ve ara yüzey saçılmasının sorumlu olmadığını göstermiştir. R yansıma katsayısının tüm sıcaklık ve kalınlık aralığı üzerinden ortalama değeri 0.46 ve deneysel değeri 0.45 olarak bulundu. Cr' un kaplanmasıyla, tek katlı Ag filmlerin ortalama R değeri 0.32 'den 0.46 değerine yükselmiştir. Bu sonuç, iki katlı filmlerde Cr 'un kaplanması ile tanecik sınır saçılmasının önemli ölçüde arttığının ve bu filmlerin toplam özdirençlerinde baskın bir mekanizma olduğunun bir göstergesidir. R yansıma parametresinin taşıyıcı-Ag filmin azalan kalınlığı ile yavaşça arttığı bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
VII ABSTRACT ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE SINGLE-LAYERED SILVER AND DOUBLE-LAYERED SILVER-CHROMIUM THIN FILMS BİLGE, Duygu Msc Degree in Physics Supervisor: Prof. Dr. Nurcan ARTUNÇ July 2004, 85 pages The electrical resistivity of polycrystalline single-layered Ag films with thicknesses of 9.0-286.0 nm, is studied as a function of the temperature in the interval between 90-300 K. Temperature-dependent resistivity measurements show that the resistivity of the Ag films increases with decreasing film thickness and is greater than that of the bulk Ag. Our analysis has shown that the grain-boundary scattering is the dominant mechanism on the excess resistivity of the Ag films and the resistivity data could be analysed in terms of the Mayadas-Shatzkes (M-S) model. Both of the theoretical and experimental values of the R reflection coefficient of the electrons are calculated to be 0.32 and 0.35 respectively, by taking average over the whole temperature and thickness range studied. R reflection parameter is also found to increase slightly with decreasing film thickness and temperature. This thickness-VIII dependent variation of the reflection coefficient indicates that the grain boundary scattering increases with decreasing Ag film thickness. The resistivity measurements both of the two series of Ag-Cr films prepared onto Ag films-substrates with thicknesses of 9.0 and 99.0 nm, by depositing Cr films of which have thicknesses of 1 1.0-27.0 nm and 26.0-56.0 nm, respectively are also performed over the 90-300 K temperature range. We have observed that the resistivities of Ag-Cr films are greater than those of the bulk Ag-Cr film and base Ag films, with equal thickness and increases with decreasing thickness of the Ag- films. According to our analysis, the observed resistivity increase in the Ag-Cr films, is caused dominantly by an increased grain boundary scattering and residual resistivity due to the deposition of the Cr impurities, with respect to those of the base Ag films. The interface scattering can not be responsible for the excess resistivity of the Ag-Cr films. Theoretical and experimental average values of the reflection coefficient is found to be 0.46 and 0.45 respectively, over the whole temperature and thickness range studied. The deposition of the Cr films onto Ag-substrate films, causes to an increase in the reflection parameter of the Ag films from 0.35 to 0.46. This result indicates that the grain boundary scattering increases due to the deposition of the Cr films, and dominant contribution on this observed resistivity increase. It is also found that R reflection parameter increases slightly, as the thickness of the Ag-base films decreases.
Benzer Tezler
- Elektronik baskı uygulamalarına yönelik alaşım ve metalik nano partiküllerin üretimi
Alloy and metallic nanoparticle production for printed electronics
ŞERZAT SAFALTIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEBAHATTİN GÜRMEN
- Tek katlı ince palladyum filmlerinin özdirencine film kalınlığı ve sıcaklığın etkileri
Başlık çevirisi yok
ŞERİFE TÜTÜNCÜ
- Metal-CuInSe2 eklemlerin elektrik özelliklerinin incelenmesi
The Investigation of electrical properties of metal-CuInSe2 joint
MURAT ÇALIŞKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Development and characterization of transparent conductive oxide semiconductors via sol-gel dip coating method
Sol-jel daldırarak kaplama yöntemi ile saydam iletken oksit yarıiletkenlerin geliştirilmesi ve karakterizasyonu
BÜŞRA GÜNALAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Kompleks EPR spektrumlarının çözümlenmesi
Resolution of complex EPR spectra
MUSTAFA ÇEMBERCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
BiyolojiOndokuz Mayıs ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RECEP TAPRAMAZ