Ti/p-Si schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination of the characteristics parameters of the Ti/p-Si schottky diodes
- Tez No: 151682
- Danışmanlar: DOÇ.DR. ENİSE AYYILDIZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, Silisyum, idealite faktörü, engel inhomojenitesi, metal-yarıiletken kontak, Schottky diode, silicon, ideality factor, barrier inhomogenety, metal- semiconductor contacts
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 95
Özet
Bu çalışmada kullanılan Ti/p-Si Schottky diyotlar; 5 - 1 0 Q.cm özdirençli Si(100) yarıiletkenin bir yüzeyine doğrultucu kontak için Ti (% 99.99) ve diğer yüzeyine omik kontak için Al (% 99.99) buharlaştırılarak elde edilmiştir. Aynı şartlarda aynı kristal üzerine yapılan 45 tane Ti/p-Si Schottky diyotunun oda sıcaklığında ve karanlıkta akım-gerilim (I-V) karakteristikleri HP 4140B picoampermeter cihazı kullanarak yapılmıştır. Her bir diyotun doğru-beslem \nl -V grafiğinin doğru kısmının eğiminden idealite faktörü n' nin değerinin 1.019 ile 1.196 arasında değiştiği, aynı grafiklerin İn/ eksenini kestiği noktadaki değerlerden ise engel yüksekliklerinin 0.530-0.613 eV arasında değiştiği bulunmuştur. Ayrıca, her bir diyotun kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri HP 4192A LF Impedance Analyzer sistemi kullanılarak oda sıcaklığında ve 1MHz frekansta yapılmıştır. Kapasite- gerilim ölçümlerinden çizilen ters-beslem (c~2 - V) grafikleri yardımıyla engel yüksekliğinin 0.554-0.900 eV aralığında, akseptör konsantrasyonunun 1.793i? + 15 - 2.568i? + 15 cm'3 aralığında değiştiği tespit edilmiştir. Bunlara ilave olarak, her bir diyotun doğru-beslem (I-V) karakteristiklerinden elde edilen Cheung fonksiyonları kullanılarak seri direnç değerleri 85,831-97.9220 aralığında, potansiyel engel yüksekliklerinin 0.554-0.900 eV aralığında değiştiği belirlenmiştir. Aynı şartlar altında ürettiğimiz Ti/p-Si Schottky diyotlarının idealite faktörleri ile engel yükseklikleri arasındaki lineer ve ters orantılı ilişkiler yanal inhomojenliğe atfedilmiştir. Bu çalışmada elde edilen diyot parametreleri literatürde mevcut deneysel sonuçlarla karşılaştırılmış ve sonuçların uyum içinde olduğu görülmüştür.
Özet (Çeviri)
The Ti/p-Si Schottky diodes used in this study have been fabricated by evaporating Ti(%99,99) for rectifying contact one face of p-type Si wafer with 5 - \0Q.cm resistivity and Al the other face for ohmic contact. The current-voltage (I-V) characteristics of total of 45 Ti/p-Si Schottky diodes identically prepared on the same semiconductor surface have been measured by using a HP 4140B picoampermeter at the room temperature and in the dark. The ideality factory determined from the slope of the linear region and barrier heigts obtained from the extrapolation Io of the semilog forward bias \nI-V characteristics of each one of the diodes have been found in the range of 1.019-1.196, 0.530-0.613 eV respectively. Furthermore, the capacitance-voltage (C-V) measurements of each diode have been made by using a HP 4192A LF Impedance Analyzer at the room temperature and 1MHz frequency. The barrier heights and the acceptor concentrations deduced from the reverse bias C~2 - V plots have been ranged from 0.554 to 0.900 eV and 1.793İS+ 15- 2.568ü' + 15 C7?r3, respectively. In addition to those, the values of the barrier height and the series resistance have been found in the range of 0.554-0.900 eV and 85,831- 97.922 Q, respectively, by using Cheung's functions derived from the forward bias current- voltage characteristics of each one of the diodes. The linear and reverse relationship between experimental Schottky barrier heights and ideality factories for identically prepared Ti/p-Si Schottky diodes has been attributed to spatial variations of the barrier heights.
Benzer Tezler
- Arayüzey tabakalı ve arayüzey tabakasız Au-Sb/n-Si/Au schottky diyodların karakteristik parametrelerinin teorik ve deneysel karşılaştırılması
Başlık çevirisi yok
SEZAİ ASUBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Perilensiz ve perilenli Al/p-Si schottky engel diyotların elektriksel özelliklerinin oda sıcaklığında karşılaştırılması
A comparative study on the electrical characterization of Al/p-Si (MS) structures with and without interfacial perylene (C2OH12) layer at room temperature
ÇİĞDEM BİLKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Electrical and magnetoresistive characteristics of electrodeposited Schottky diode systems
Elektrodepolama yöntemiyle yapılan Schottky diyodların elektriksel ve magnetoresistans özelliklerinin incelenmesi
GÜLSEN ŞAHİN GÜLER
Doktora
İngilizce
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER FARUK BAKKALOĞLU
- Ti/Si ve Zr/Si eklemlerin elektriksel karakteristikleri
Electrical caracteristics of Ti/Si and Zr/Si junctions
HALİL ALBAYRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. IŞIK KARABAY
- Elektrokimyasal olarak büyütülen Gase ve Gate filmlerinin karakterizasyonu ve In/GaSe/p-Si/Al ve Ti/GaTe/p-Si/Al schottky diyodlar üzerinde radyasyon etkileri
Characterization of electrochemically grown Gase and Gate thin films and radiation effects on In/GaSe/p-Si/Al AND Ti/GaTe/p-Si/Al schottky diodes
KÜBRA ÇINAR
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEVDET COŞKUN