Perilensiz ve perilenli Al/p-Si schottky engel diyotların elektriksel özelliklerinin oda sıcaklığında karşılaştırılması
A comparative study on the electrical characterization of Al/p-Si (MS) structures with and without interfacial perylene (C2OH12) layer at room temperature
- Tez No: 342834
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 94
Özet
Bu çalışmada, Al/p-Si Schottky engel diyotun (D1) performansını artırmak amacıyla Al ile p-Si arasına ince bir perylene (C20H12) tabakası spin coating yöntemi ile büyütülerek Al/C20H12/p-Si tipi Schottky engel diyotu (D2) hazırlandı. Hazırlanan bu iki tip diyotun idealite faktörü (n), engel yüksekliği (?Bo ), seri direnç (Rs), kısa devre direnci (Rsh), ara yüzey durumları (Nss) ve tüketim tabasının genişliği (WD) gibi temel elektriksel parametreleri oda sıcaklığında elde edildi ve karşılaştırıldı. Bu karşılaştırma, doğru ve ters öngerilim altında, 1 MHz de, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans- voltaj (G/w) ölçümleri kullanılarak yapıldı. Elde edilen deneysel sonuçlar, tüm bu parametrelerin hem frekansa hem de arayüzey tabakasına oldukça bağlı olduğunu gösterdi. Al/p-Si diyotlarda doğrultma oranı (±3V da) 2,1x103 iken, Al/C20H12/p-Si diyotlarda ise 1,7x104 olarak bulundu. Aynı zamanda Al/C20H12/p-Si diyotunda kaçak akımının büyüklüğünün, Al/p-Si Schottky diyota göre 10 kat daha düşük olduğu görüldü. Benzer şekilde Ohm Yasası kullanılarak elde edilen Rs ve Rsh değerleri sırasıyla, doğru öngerilim ve ters öngerilim eğrilerinden, Al/C20H12/p-Si Schottky engel diyotu için 544?? ve 11M??, Al/p-Si Schottky engel diyotu için 716 ? ve 1,83 M? olarak bulundu. Bunlara ilave olarak Al/C20H12/p-Si ve Al/p-Si diyotlarının voltaja bağlı Nss dağılım profili düşük-yüksek frekans-kapasitans (CLF-CHF) metodu kullanılarak elde edildi. Al/C20H12/p-Si diyotu için Nss değerlerinin, Al/p-Si diyotu değerlerinden 2 kat daha düşük olduğu görüldü. Elde edilen bu deneysel sonuçlar ışığında, kullanılan perylene (C20H12) arayüzey polimer tabakasının, Schottky diyotunun performansını oldukça iyileştirdiği görülmektedir.
Özet (Çeviri)
Perylene (C20H12) thin interfacial layer was deposited on p-Si using spin coating system to improve the performance of Al/p-Si Schottky barrier diode (SBD). In order to compare with and without perylene SBD Al/C20H12/p-Si and Al/p-Si type diodes were fabricated and they called as D2 and D1 respectively. The main electrical parameters of D1 and D2 diodes, such as ideality factor (n), barrier height (?B), series resistance (Rs), shunt resistance (Rsh), voltage dependent density distribution profile of interface states (Nss) and depletion layer width (WD) were obtained from the forward bias current-voltage (I-V) and admittance spectroscopy methods (capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements) at room temperature. Experimental results show that the rectifying ratio of Al/p-Si type SBD is 2,1x103 while with C20H12 type SBD is 1,7x104 at (± 3 V). Also, the leakage current was found very sensitive to the C20H12 and the magnitude of the leakage current of perylene based diode is almost one order lower than that of MS or D1 diode. Similarly, the values of Rs and Rsh were obtained from the forward bias I-V data using Ohm?s Law and they found as 716 ? and 1,83 M??for the MS-type SBD and 544 ? and 11 M??for the MPS-type SBD. In addition, the voltage dependent density distribution profile of Nss of the MS and MPS type SBDs were obtained by the low-high frequency capacitance (CLF-CHF) method and the obtained mean value of Nss for MPS SBD is two times lower than that for MS SBD. These results show that the performance of the MS type SBD can be improved by using with a thin interfacial C20H12 polymer layer between metal and semiconductor.
Benzer Tezler
- Fluorescence emission studies with energy transfer reactions
Enerji transfer reaksiyonları ile fluoresans emisyon çalışmaları
BANU KÖZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
KimyaDokuz Eylül ÜniversitesiOrtaöğretim Fen ve Matematik Alanları Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. SERAP ALP
- Mavi ışık yayan bir organik diyotta perilen diimid kullanımının etkisi üzerine bir empedans çalışması
An impedance study on the effect of a perylene diimide usage in a blue organic light emitting diodes
GÖRKEM MEMİŞOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Bilim ve TeknolojiEge ÜniversitesiGüneş Enerjisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CANAN VARLIKLI
- Photoinitiated metal-free controlled/living radical polymerization using polynuclear aromatic hydrocarbons
Polinükleer aromatik bileşikler kullanarak ışıkla başlatılmış metal içermeyen atom transfer radikal polimerizasyonu
ANDRIT ALLUSHI
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YUSUF YAĞCI
- Synthesis and Properties of Non-Symmetrically Substituted Perylene Dyes
Simetrik Olmayan Perilen Boyalarının Sentezi ve Özellikleri
NUR PAŞAOĞLULARI
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
KimyaDoğu Akdeniz Üniversitesi-Eastern Mediterranean UniversityOrganik Kimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HURİYE İCİL