Geri Dön

Growth and characterization of InSe single crystals

InSe tek kristallerinin büyütülmesi ve karakterizasyonu

  1. Tez No: 153303
  2. Yazar: DERYA DENİZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BÜLENT GÜLTEKİN AKINOĞLU, YRD. DOÇ. DR. MEHMET PARLAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Bridgman tekniği, InSe, iyon ekme, elektriksel karakteriza- syon, optik karakterizasyon. vu, Bridgman technique, InSe, ion implantation, electrical characteriza tion, optical characterization
  7. Yıl: 2004
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 80

Özet

ÖZ InSe TEK KRİSTALLERİNİN BÜYÜTÜLMESİ VE KARAKTERİZASYONU Deniz, Derya Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bülent Akinoglu Ortak Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. Mehmet Parlak Ağustos 2004, 66 sayfa. Bu çalışmada InSe tek kristalleri konvansiyonel 3-bölmeli Bridgman-Stockbarger sistemi kullanılarak büyütüldü. Katkılama etkisini gözlemlemek amacıyla, büyütü len kristallere N-iyonlari ekildi. Elektron mikroskobu ve X-ışmı kırınım cihazı kullanılarak, kristallerin tamkatlılığı ve yapısal Özellikleri incelendi. Örneklerin elektriksel özellikleri, 80-400 K sıcaklık aralığında iletkenlik ve Hail etkisi deneyleri yapılarak incelendi. Tavlama sıcaklığının optik soğurma ve fotoışıma tayflarına etkisini gözlemlemek amacıyla optik soğurma ve foto ışıma ölçümleri oda sıcaklığın da yapıldı. N iyonları ekilmiş kristallerin özdirençlerinin 103 ten 101 O-cm'ye düştüğü gözlendi. Etkin saçılma mekanizmalarını belirlemek amacıyla sıcaklık bağımlı iletkenlik ve Hail etkisi deneyleri yapıldı. Bu ölçümlerden, örneklerin ıı-tipi yarıiletkenler gibi davrandıkları gözlendi. Optik soğurma ölçümünden, InSe tek kristalinin direkt bant aralığına sahip olduğu gözlendi. Tavlamanın oda sıcaklığındaki optik soğurma ve foto ışıma tayfları üzerinde önemli etkileri olmadığı saptandı. vı

Özet (Çeviri)

ABSTRACT GROWTH AND CHARACTERIZATION OF InSe SINGLE CRYSTALS Deniz, Derya Ms., Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Bülent G. Akmoğlu Co-Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Mehmet Parlak August 2004, 66 pages. In this study, InSe single crystals were grown from the melt using conventional Bridgman-Stockbarger system. The grown crystals were implanted by N-ions to investigate the doping effect. The stoichiometry and the structural features were examined by scanning electron microscope and X-ray diffraction method, respec tively. We have observed that the ingot was stoichiometric and the structure was hexagonal. Temperature dependent conductivity and Hall effect measurements were carried out to investigate the electrical properties of as-grown, as-implanted and annealed samples within the temperature range of 80-400 K. To investigate the annealing effect on both the absorption and photoluminescence (PL) spectra, absorption and PL measurements were performed at room temperature. N- implantation reduced the resistivity order from 103 to 101 (fi-crn). We have used temperature dependent conductivity and Hall effect measurements to analyze the dominant scattering mechanisms. Hall measurements showed that all the samples had n-type conduction. Absorption measurements showed that InSe had direct band gap. It was ob served that annealing had almost no effect on both room temperature absorption and PL spectra of the samples. iv

Benzer Tezler

  1. Tez No

    335072

    GaSe:In ikili bileşiğinin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yüzey morfolojisi

    Surface morphology and GaSe:In binary semiconductor grown by Bridgman/Stockbarger technique

    YASİN ÖZTIRPAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK

  2. Tez No

    255353

    The effects of post-annealing process on the physical properties of silver-indium-selenium ternary semiconductor thin films deposited by electron beam technique

    Üretim sonrası tavlama işleminin elektron demeti tekniğiyle büyütülen gümüş-indiyum-selenyum üçlü yarıiletken ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkileri

    TAHİR ÇOLAKOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  3. Tez No

    181470

    InSe ince filmlerin sılar yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of InSe thin films from silar technique

    AYKUT ASTAM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM

  4. Tez No

    884597

    InSe yarıiletken ince filmlerin cam ve siyah silikon üzerine büyütülerek yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Growth of inse thin film semiconductor on glass and black silicon substrates investigation of their structural and optical properties

    CANSU EMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK

  5. Tez No

    121359

    InSe ve InSe:N yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve optik karakterizasyonu

    Growth and optical characterization of InSe and InSe:N semiconductor crystals

    MURAT SOYLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BAHATTİN ABAY

Geri Dön