InAs yarıiletken kristalinde elektron iletimi
Electron transport in InAs
- Tez No: 155983
- Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: InAs, elektron iletimi, Hail Mobilitesi, ISBE
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
InAs YARIİLETKEN KRİSTALİNDE ELEKTRON İLETİMİ (Yüksek Lisans Tezi) Durmuş DEMİR GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ NİSAN 2004 ÖZET Bu çalışmada MBE (Molecular Işın Epitaksi) kristal büyütme yöntemi ile GaAs üzerine büyütülen 3fxm kalınlıktı n tipi InAs yarıiletken tabakanın elektron iletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hail Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 13,6-300 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hail Mobilitesi, ISBE ve iki bant modeli kullanılarak analiz edildi. Hail taşıyıcı yoğunluğu ise iki bant ve Wolfe-Stillman modelleri kullanılarak analiz edildi. Alıcı ve verici safsızhk yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisi tahmin edildi. Son olarak düşük sıcaklıklarda iletim mekanizmasının türünün metalik mi yoksa ısısal aktif sıçrama mı olduğu araştırıldı. Bilim Kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
ELECTRON TRANSPORT IN InAs (M.Sc. Thesis) Durmuş DEMİR GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY APRIL 2004 ABSTRACT In this work, electron transport properties in n type InAs semiconductor grown on GaAs by MBE (Molecular Beam Epitaxy) crystal growth technique have been investigated. Conductivity, Hall mobility and carrier concentration were measured at the temperature range 13,6-300K. Hall mobility has been analysed using ISBE and two band model. Hall carrier concentration has been analysed by using the two band and Wolfe-Stillman models. Acceptor, donor impurity concentrations and donor activation energy were also estimated experimentally. And finally, at low temperature the conductivity type is investigated metallic or thermally-activated hopping. Science Code Key Words Page Number Adviser 404.05.01 InAs, Electron tranport, Hall mobility, ISBE 66 Ass. Prof. Mehmet KASAP
Benzer Tezler
- The effect of erbium ion concentration on structural and optical properties of ZnSe quantum dot doped SiO2 glass
ZnSe kuantum noktası katkılı SiO2 camların yapısal ve optik özelliklerine erbium iyon konsantrasyonunun etkisi
OLGUN ERGÜZEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÖNÜL ÖZEN
- Development of novel thermal conductive polymer nanocomposites
Yeni nesil termal iletken polimer nanokompozitlerin geliştirilmesi
ELİFTEN SEMERCİ
Doktora
İngilizce
2021
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN KIZILCAN
DOÇ. DR. TUBA ERDOĞAN BEDRİ
- Production of dye sensitized solar cell and optimization of production parameters
Boya uyarımlı güneş pillerinin üretimi ve üretim parametrelerinin optimizasyonu
RAMAZAN ŞİMŞEK
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KILIÇ
- Development of multi-layer conductive polymer nanocomposites for electromagnetic shielding application
Elektromanyetik kalkanlama uygulamaları için katmanlı iletken polimer nano kompozitlerinin geliştirilmesi
FATMA ZEHRA ENGİN SAĞIRLI
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EYÜP SABRİ KAYALI
PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR