Geri Dön

InAs yarıiletken kristalinde elektron iletimi

Electron transport in InAs

  1. Tez No: 155983
  2. Yazar: DURMUŞ DEMİR
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET KASAP
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2004
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 73

Özet

InAs YARIİLETKEN KRİSTALİNDE ELEKTRON İLETİMİ (Yüksek Lisans Tezi) Durmuş DEMİR GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ NİSAN 2004 ÖZET Bu çalışmada MBE (Molecular Işın Epitaksi) kristal büyütme yöntemi ile GaAs üzerine büyütülen 3fxm kalınlıktı n tipi InAs yarıiletken tabakanın elektron iletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hail Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 13,6-300 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hail Mobilitesi, ISBE ve iki bant modeli kullanılarak analiz edildi. Hail taşıyıcı yoğunluğu ise iki bant ve Wolfe-Stillman modelleri kullanılarak analiz edildi. Alıcı ve verici safsızhk yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisi tahmin edildi. Son olarak düşük sıcaklıklarda iletim mekanizmasının türünün metalik mi yoksa ısısal aktif sıçrama mı olduğu araştırıldı. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : InAs, elektron iletimi, Hail Mobilitesi, ISBE Sayfa Adedi : 66 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP

Özet (Çeviri)

ELECTRON TRANSPORT IN InAs (M.Sc. Thesis) Durmuş DEMİR GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY APRIL 2004 ABSTRACT In this work, electron transport properties in n type InAs semiconductor grown on GaAs by MBE (Molecular Beam Epitaxy) crystal growth technique have been investigated. Conductivity, Hall mobility and carrier concentration were measured at the temperature range 13,6-300K. Hall mobility has been analysed using ISBE and two band model. Hall carrier concentration has been analysed by using the two band and Wolfe-Stillman models. Acceptor, donor impurity concentrations and donor activation energy were also estimated experimentally. And finally, at low temperature the conductivity type is investigated metallic or thermally-activated hopping. Science Code Key Words Page Number Adviser 404.05.01 InAs, Electron tranport, Hall mobility, ISBE 66 Ass. Prof. Mehmet KASAP

Benzer Tezler

  1. Metalik kalayın asidik çözeltiler içerisinde anodik davranışının incelenmesi

    Investigation of anodic behavior of metallic tin in acidic solutions

    CAN AKYIL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN

  2. Örgü sabitleri uyusmayan III-V yarıiletken nanotellerinin elektronik ve geometrik özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi

    Density functional theory investigation of electronic and geometric properties of the lattice mismatched III-V semiconducting nanowires

    BARIŞ ÖZKAPI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ

    YRD. DOÇ. DR. HANDE TOFFOLİ

  3. GaSb yarı iletken temelindeki infrared fotodiyotların karanlık akımlarının incelenmesi

    Investigation of dark current mechanisms of GaSb based infrared photodiodes

    BANU KUCUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU

  4. Kane tipi yarıiletken kuantum çubuklarında yüktaşıyıcıların enerji spektrumları

    The energy spectrum of carriers in kane type semiconductor quantum wires

    ŞÜKRÜ ÇAKMAKTEPE

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ KÖKCE

    PROF. DR. ARİF BABAYEV

  5. Bizmut ve nitrojen içeren III-V grubu yarıiletken alaşımların fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    Examination of physical properties of III-V semiconductor alloys including bismuth and nitrogen

    BATTAL GAZİ YALÇIN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. METİN ASLAN