InAs yarıiletken kristalinde elektron iletimi
Electron transport in InAs
- Tez No: 155983
- Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 73
Özet
InAs YARIİLETKEN KRİSTALİNDE ELEKTRON İLETİMİ (Yüksek Lisans Tezi) Durmuş DEMİR GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ NİSAN 2004 ÖZET Bu çalışmada MBE (Molecular Işın Epitaksi) kristal büyütme yöntemi ile GaAs üzerine büyütülen 3fxm kalınlıktı n tipi InAs yarıiletken tabakanın elektron iletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hail Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 13,6-300 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hail Mobilitesi, ISBE ve iki bant modeli kullanılarak analiz edildi. Hail taşıyıcı yoğunluğu ise iki bant ve Wolfe-Stillman modelleri kullanılarak analiz edildi. Alıcı ve verici safsızhk yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisi tahmin edildi. Son olarak düşük sıcaklıklarda iletim mekanizmasının türünün metalik mi yoksa ısısal aktif sıçrama mı olduğu araştırıldı. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : InAs, elektron iletimi, Hail Mobilitesi, ISBE Sayfa Adedi : 66 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP
Özet (Çeviri)
ELECTRON TRANSPORT IN InAs (M.Sc. Thesis) Durmuş DEMİR GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY APRIL 2004 ABSTRACT In this work, electron transport properties in n type InAs semiconductor grown on GaAs by MBE (Molecular Beam Epitaxy) crystal growth technique have been investigated. Conductivity, Hall mobility and carrier concentration were measured at the temperature range 13,6-300K. Hall mobility has been analysed using ISBE and two band model. Hall carrier concentration has been analysed by using the two band and Wolfe-Stillman models. Acceptor, donor impurity concentrations and donor activation energy were also estimated experimentally. And finally, at low temperature the conductivity type is investigated metallic or thermally-activated hopping. Science Code Key Words Page Number Adviser 404.05.01 InAs, Electron tranport, Hall mobility, ISBE 66 Ass. Prof. Mehmet KASAP
Benzer Tezler
- Metalik kalayın asidik çözeltiler içerisinde anodik davranışının incelenmesi
Investigation of anodic behavior of metallic tin in acidic solutions
CAN AKYIL
Doktora
Türkçe
2019
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN
- Örgü sabitleri uyusmayan III-V yarıiletken nanotellerinin elektronik ve geometrik özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi
Density functional theory investigation of electronic and geometric properties of the lattice mismatched III-V semiconducting nanowires
BARIŞ ÖZKAPI
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
YRD. DOÇ. DR. HANDE TOFFOLİ
- GaSb yarı iletken temelindeki infrared fotodiyotların karanlık akımlarının incelenmesi
Investigation of dark current mechanisms of GaSb based infrared photodiodes
BANU KUCUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Kane tipi yarıiletken kuantum çubuklarında yüktaşıyıcıların enerji spektrumları
The energy spectrum of carriers in kane type semiconductor quantum wires
ŞÜKRÜ ÇAKMAKTEPE
Doktora
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
PROF. DR. ARİF BABAYEV
- Bizmut ve nitrojen içeren III-V grubu yarıiletken alaşımların fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Examination of physical properties of III-V semiconductor alloys including bismuth and nitrogen
BATTAL GAZİ YALÇIN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ASLAN