Geri Dön

Al/SnO2/p-Si MIS diyotun elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

Electrical and optical properties of Al/SnO2/p-Si mis diode

  1. Tez No: 165015
  2. Yazar: ASLI AYTEN TAYŞİOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Uludağ Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 75

Özet

ÖZET Bu çalışmada Al/SnCVp-Si (MIS) diyot spray pyrolysis yöntemiyle hazırlanmıştır. Elektriksel özellikleri incelenerek, diyottaki baskın alam geçişinin hangi yolla olduğu belirlenmiştir. Aynı zamanda Al/SnCVp-Si (MİS) diyotun optik özellikleri incelenerek yapısal özellikleri belirlenmiştir. Oluşturulan Al/SnCVp-Si (MİS) diyotun elektriksel özelliklerinde, akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelenmiştir. Akım-gerilim karakteristiklerinde ln(I)' nın V ye göre çizilen grafiğin doğrusal bölgesinin eğiminden, ideal faktörün değeri elde edilmiştir. Ayrıca akım-gerilim karakteristikleri ve temel soğurma spektrumundan bariyer yüksekliği hesaplanmıştır. Al/SnCVp-Si (MİS) diyotun optik özellikleri hakkında bilgi edinmek için, diyotun optik soğurması, optik geçirgenliği, yasak-bant aralığı ve Urbach Parametresi hesaplandı. Diyot yapısı X-Ray difraktometresi ile yüzey özellikleri ise, tarayıcı elektron mikroskobu (SEM) ve enerji kırınımlı X-Ray spektrometresi ile incelendi. Bu incelemeler ile diyotun tercihli yönelimi ve tane boyutu elde edildi. Yapılan bu çalışmada, deneysel olarak iki farklı yöntemle hesapladığımız bariyer yüksekliğinin teorik sonuçlarla çok yakın değerde olduğu görülmüştür. Elde edilen filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumlarından yararlanılarak; yansıma katsayıları, lineer soğurma katsayıları, kırılma indisleri ve sönüm katsayıları hesaplanmıştır. Bu parametrelerin dalgaboyuna bağlı olarak değişimleri incelenmiştir. XRD desenlerinden filmin polikristal yapıda olduğu belirlenmiştir. SEM fotoğraflarından; filmlerin yüzeylerinin homojen dağılıma sahip olup olmadıkları incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT In this study Al/SnCVp-Si (MIS) diode was prepared by Ultrasonic Spray Pyrolysis. Dominant current transport in MIS diode was determined by investigation of electrical properties. We also determined the diode structures by investigation of Optical properties of this diode. I-V characteristics of Al/SnCVp-Si (MIS) diode were investigated. By plotting lnl versus V, the values of ideality factor were obtained from the slope of linear region of I-V plots. We also calculated the barrier height by I-V characteristics and basis absorption spectrums. To possess information about the optical properties of Al / SnÛ2 / p-Si (MIS) Schottky Diode, their optical absorptions, optical transmittance, band-gap and Urbach Parameter were investigated. The diode structures were studied by X-Ray diffraction. Surface morphologies of diode were studied scanning electron microscopy and energy dispersive X-Ray spectroscopy, respectively. X-Ray diffraction studies showed that the crystallite size and prefential growth directions of diode. In this study, obtained barrier height by two different ways are convenient to theoretical values. Using transmission and absorption spectra; reflection coefficients, linear absorption coefficient, refractive index and extinction coefficient of film were calculated. The variations of these parameters depending on the wavelength were investigated. It was seen XRD patterns that SnC>2 film has polycrystalline structure. It was investigated whether the surface of the film is homogenous or not was investigated using SEM photographs.

Benzer Tezler

  1. Al/ SnO2/ p-Si/ Al yapılarında ısısal tavlamanın yüzey durumlarına etkisi

    The Effect of thermal annealing on interface states in Al/ SnO2/ p-Si/ Al

    NURCAN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TÜLAY SERİN

  2. Al/SnO2/p-Si/Al yapılarında yüzey şartlarının elektroniksel iletkenliğe etkisi

    The Effect of surface conditions on electronic transportation mechanism of Al/SnO2/P-Si/Al structure

    SERDAR KARADENİZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TÜLAY SERİN

  3. Yalıtkan arayüzey tabakası ve seri dirence sahip Al/ SnO2/ p-Si schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    Investigation of temperature dependent electrical characteristics of Al/ SnO2/ p-Si schottky diodes with serial resistance and interfacial insulator layers

    ZEKİ TEKELİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  4. Çift katmanlı nano yapıların radyasyon sensörü olarak incelenmesi

    Investigation of double -layer nanostructures as radiation sensors

    ZEYNEP ALTIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Nükleer Bilimler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK

  5. SnO2/p-Si heteroeklem yapıların termal buharlaştırmayla üretilmesi, diyot ve fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi

    Production of SnO2/p-Si heterojunction structures by thermal evaporation, investigation of diode and photovoltaic characteristics of them

    MEHMET ALİ EVCİL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CABİR TEMİRCİ