Geri Dön

SiO2 ince filmlerin sol jel yöntemi ile elde edilmesi ve mikroyapısal karakterizasyonu

SiO2 thin film deposition by sol-gel method and microstructural characterization

  1. Tez No: 171062
  2. Yazar: ÖZGÜL KURTULAN
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. ENGİN BAŞARAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 69

Özet

ÖZET Bu tez çalışmasında Si02 ince filmler sol jel döndürerek kaplama yöntel hazırlanmıştır. Çözeltiler hazırlanırken alkosit sınıfından tetramethylorthosilicate (TMOS) [Si(OCH3)4], başlangıç çözeltisi olarak kullanılmıştır. TMOS, propan2ol (C3H70H)'de çözdürüldükten sonra H2O hidroliz için damla damla çözeltiye eklenmiş ve çözeltiler hava ortamında iki saat karıştırılmıştır. Hazırlanan çözeltiler Si altlık üzerine kaplanarak hava ortamında 800° C, 900° C ve 1000° C'de tavlanmıştır. Elde edilen SİO2 ince filmlerin mikroyapısal özellikleri taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve X ışını kırınımı (XRD) ile incelenmiştir. Sonuç olarak, sol jel ile elde edilen Si02 ince filmlerin 800° C, 900° C ve 1000° C'de amorf yapıda olduğu gözlenmiştir. SEM ile yapılan yan kesit ölçümlerinden tek bir katman için film kalınlığının 0.80 nm civarında olduğu görülmüştür. İnce filmlerin mikroyapısı çevresel şartlardan, kurutma ve tavlama işlemlerinden ve çözeltide kullanılan malzemelerden önemli ölçüde etkilediği gözlenmiştir.

Özet (Çeviri)

SUMMARY In this thesis study, SİO2 thin films were produced on Si substrates by sfflpgefc spin coating tecnique. Tetramethylorthosilicate (TMOS) [Si(OCH3)4], which is a type of metal alkoxides from organic precursors, is used as precursor solution. TMOS was dissolved in propan2ol (C3H7OH), and then H2O has added into solution drop by drop for hydrolysis. This solution was mixed in air for two hours. The prepared solution was then deposited on Si substrates. Finally these films were annealed at 800° C, 900° C, 1 000° C in air atmosphere for one hour. The microstructure of these films were investigated by using SEM. Consequently, it was observed that SİO2 thin films, which were derived from sol gel, were amourphous at 800° C, 900° C, 1000° C. Film thickness for one layer was measured to be around 0.80 nm from cross section measuments by SEM. The results indicated that microstructure of the thin films are mainly related to the environmental conditions, stress produced by drying and annealing processes and materials used for the solutions.

Benzer Tezler

  1. Co, Mn, Nd katkılı SiO2 ve SiO2-TiO2 ince filmlerin elde edilmesi ve optik özellikleri

    Obtaining of Co, Mn, Nd doped SiO2 and SiO2-TiO2 thin films and their optical properties

    ESRA ULUADAOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MERAL HOŞCAN

  2. Sol–jel yöntemi ile hazırlanan TiO2–SiO2 nanokompozit ince filmlerin fiziksel ve mekanik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of physical and mechanical properties of TiO2–SiO2 nanocomposite thin films prepared by sol-gel method

    EZGİ DENİZ BİÇER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ÖZKAN ZAYİM

    UZMAN REFİKA BUDAKOĞLU

  3. Katkısız SiO2-TiO2 ince filmlerin elde edilmesi ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Preparation of undoped SiO2-TiO2 thin films and investigation of their optical properties

    ADİL ÖZTÜRK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MERAL HOŞCAN

  4. Preparation and characterization of titania-silica-gold thin films over ito substrates for laccase immobilization

    Lakkaz tutuklanması için ıto üzerinde titantum dioksit-silisyum dioksit-altın ince filmler elde edilmesi ve karakterizasyonu

    ZEYNEP EKER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    BiyoteknolojiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜRKAN KARAKAŞ

    PROF. DR. MÜRVET VOLKAN

  5. Sol jel yöntemi ile nano SiO2 sentezi ve uygulamaları

    Synthesis of nano silicondioxide particles via sol-gel method and applications

    ÖMER KESMEZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    KimyaAkdeniz Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERTUĞRUL ARPAÇ