Geri Dön

TIGaSe2 kristalinin ısıl uyarılmış akım yöntemi ile incelenmesi

Investigation of TIGaSe2 crystal with thermally stimulated current method

  1. Tez No: 171063
  2. Yazar: EMRE COŞKUN
  3. Danışmanlar: PROF.DR. RAUF SULEYMANOV
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 52

Özet

ÖZET Isıl Uyarılmış Akım ölçümleri TlGaSe2 tabakalı kristalinde c eksenine paralel olacak şekilde 80-160K aralığında, çeşitli ısıtma hızları için gerçekleştirildi. Deney sonuçlan, enerji seviyeleri sırasıyla 0.3233, 0.3457, 0.2868, 0.3272, 0.4120 eV olan beş tuzak seviyesi olduğunu gösterdi. Tuzak parametreleri çeşitli analiz yöntemleri ile belirlenmiş ve sonuçlar birbirleri ile uyumlu çıkmıştır. Yapılan hesaplamalarda birinci kinetik varsayımı yapılmış olup hesaplanan yakalama tesir kesiti ve tuzak yoğunluğu parametrelerinin değerleri de bu çalışmada sunulmuştur.

Özet (Çeviri)

SUMMARY,, Vİ-,\*c Thermally stimulated current measurements were carried in TIGaSeî layered single crystal with current flowing parallel to the c-axis in the wide temperature range of 80-160K with various heating rates. Experimental evidence was found for the presence five trapping centers for TlGaSe2 crystal with activation energies 0.3233, 0.3457, 0.2868, 0.3272, 0.4120 eV respectively. Trap parameters are determined for various methods of analysis and these agree well with each other. The retrapping process is negligible for theoretic predictions. Also the calculated values of capture cross sections and the concentration of the traps are reported.

Benzer Tezler

  1. TlGaSe2 katmanlı kristalinin negatif ısıl genleşmesinin dış etkiler altında incelenmesi

    Effect of external fields on negative thermal expansion Of TlGaSe2 layered crystals

    EMİN YAKAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI

  2. TlGaSe2 kristalinin iletkenlik geçişlerindeki hafıza etkisi

    Memory effect in transport phenomenon in TlGaSe2

    YASİN ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MİR HASAN SEYİDOV

  3. TlGaSe2 yarıiletken-ferroelektrik kristalinin oransız fazındaki (INC) yeni polarize durumlar ve hafıza etkisi

    Memory effect new polarized state in the incommensurate phase TlGaSe2 ferroelectric-semiconductor crystal

    YASİN ŞAHİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİR HASAN SEYİTSOY

  4. TIInS2 ve TIGaSe2 katmanlı ferroelektrik kristallerinde faz geçişleri ve dielektrik özelliklerin incelenmesi

    The investigation of dielectric properties and phase transitions in TIInS2 ve TIGaSe2 layered ferroelectric crystals

    ERDOĞAN ŞENTÜRK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN

  5. Fe3+ katkılı katmanlı üçlü talyum kalkojenlerde yapısal faz geçişlerinin elektron paramanyetik rezonans tekniği (EPR) ile incelenmesi

    Investigation of structural phase transitions in Fe3+ doped ternary thallium chalcogenides by electron paramagnetic resonance technique (EPR)

    MUHAMMED AÇIKGÖZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV