Geri Dön

İki ve üç boyutlu III-V yarı iletkenlerde sıcak elektron dinamiği

Hot electron dynamics in two and three dimensional III-V semiconductors

  1. Tez No: 176674
  2. Yazar: ZEYNEP USLU
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalısmada iki ve üç boyutlu III-V yarıiletkenlerde elektronların yüksek alan tasıma özellikleri üzerine sıcak fonon üretiminin etkisi çalısılmıstır. Ortalama fonon sayısı ve etkin enerji durulma zamanının elektron sıcaklıgı ile degisimi teorik olarak incelenmistir. Ayrıca 300 K örgü sıcaklıgında ve farklı tasıyıcı yogunluklarında elektrik alanla sürüklenme hızının degisimi arastırılmıstır. ki ve üç boyutlu III-V yarıiletkenlerde, ortalama fonon sayısı artan elektron sıcaklıgı ile artmakta ve sıcak fonon etkilerinden dolayı etkin enerji durulma zamanı azalmaktadır. Sürüklenme hızı da elektrik alan ile artmakta ve artan fonon sayısı nedeniyle belli bir elektrik alan degerinde doyuma ulasmaktadır. Elde edilen sonuçlar, literatürdeki çalısmalar ile karsılastırılarak analiz edilmistir.

Özet (Çeviri)

In this work, the effect of hot phonon production on the high field transport properties of electrons in two and three dimensional III-V semiconductors has been studied. Dependences of the average phonon number and effective energy relaxation time on the electron temperature have been investigated theoretically. Additionally, the drift velocity versus electric field characteristics have been investigated for the different carrier densities at lattice temperature TL = 300 K. In two and three dimensional III-V semiconductors, the effective energy relaxation time decreases due to the hot phonon effects while the average phonon number increases with increasing electron temperature, we also show that the drift velocity increases with electric field and saturates at the certain electric field values due to increasing phonon population. The obtained results were also compared the previous publications.

Benzer Tezler

  1. Contribution a la recherche d'un cadre juridique pour un droit international de laconcurrence plus efficace

    Daha etkin bir uluslararası rekabet için hukuki çerçeve arayışı

    ALİ CENK KESKİN

    Doktora

    Fransızca

    Fransızca

    2009

    HukukGalatasaray Üniversitesi

    Kamu Hukuku Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. JEAN MARC SOREL

    PROF. DR. HALİL ERCÜMENT ERDEM

  2. Yarıiletken malzemelerin bir mikroplazma hücredeki optik ve elektriksel davranışlarının incelenmesi

    Examination of the optical and electrical behaviours of semiconductors in a microplasma cell

    ERHAN ONGUN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HATİCE HİLAL YÜCEL

  3. Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications

    Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu

    AYŞE KARAGÖZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Mühendislik BilimleriÖzyeğin Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN

  4. Boya duyarlı güneş pilleri için ftalosiyanin boyaların geliştirilmesi

    Development of phthalocyanine dyes for dye sensitive solar cells

    YİĞİT CAN DEMİRCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    KimyaSakarya Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MAHMUT ÖZACAR

  5. Advanced monte carlo modeling of III-V field-effect transistors

    III-V alan etkili transistörlerin monte carlo modellemesi

    AYDIN TURABİ BAKIR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ