İki ve üç boyutlu III-V yarı iletkenlerde sıcak elektron dinamiği
Hot electron dynamics in two and three dimensional III-V semiconductors
- Tez No: 176674
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
Bu çalısmada iki ve üç boyutlu III-V yarıiletkenlerde elektronların yüksek alan tasıma özellikleri üzerine sıcak fonon üretiminin etkisi çalısılmıstır. Ortalama fonon sayısı ve etkin enerji durulma zamanının elektron sıcaklıgı ile degisimi teorik olarak incelenmistir. Ayrıca 300 K örgü sıcaklıgında ve farklı tasıyıcı yogunluklarında elektrik alanla sürüklenme hızının degisimi arastırılmıstır. ki ve üç boyutlu III-V yarıiletkenlerde, ortalama fonon sayısı artan elektron sıcaklıgı ile artmakta ve sıcak fonon etkilerinden dolayı etkin enerji durulma zamanı azalmaktadır. Sürüklenme hızı da elektrik alan ile artmakta ve artan fonon sayısı nedeniyle belli bir elektrik alan degerinde doyuma ulasmaktadır. Elde edilen sonuçlar, literatürdeki çalısmalar ile karsılastırılarak analiz edilmistir. ANAHTAR SÖZCÜKLER : sıcak fonon / yüksek alan tasıması / sürüklenme hızı / iki ve üç boyutlu yarıiletkenler / III-V bilesikler.
Özet (Çeviri)
In this work, the effect of hot phonon production on the high field transport properties of electrons in two and three dimensional III-V semiconductors has been studied. Dependences of the average phonon number and effective energy relaxation time on the electron temperature have been investigated theoretically. Additionally, the drift velocity versus electric field characteristics have been investigated for the different carrier densities at lattice temperature TL = 300 K. In two and three dimensional III-V semiconductors, the effective energy relaxation time decreases due to the hot phonon effects while the average phonon number increases with increasing electron temperature, we also show that the drift velocity increases with electric field and saturates at the certain electric field values due to increasing phonon population. The obtained results were also compared the previous publications. KEY WORDS: hot phonon / high field transport / drift velocity / two and three dimensional semiconductors / III-V compounds.
Benzer Tezler
- Structural and electronic properties of monolayer and multilayer gallium nitride crystals
Tek ve çok atomik katman galyum nitrür kristalinin yapısal ve elektronik özellikleri
ABDULLATİF ÖNEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ENGİN DURGUN
- Moleküler imprint sol-jel polimer kaplı kuantum noktaların sentezi ve optik sensör uygulaması
Synthesis of quantum dots coated with molecularly imprinted sol-gel polymer for application of optical sensor
TANER ARSLAN
- Çapraz yay gruplarını kullanan yeni bir sismik yalıtım sistemi
A new seismic isolation system made of spring tube braces
VAROL KARAYEL
Doktora
Türkçe
2016
Deprem Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERCAN YÜKSEL
- First-principles study of GaAs/AlAs nanowire heterostructures
GaAs/AlAs nanotel heterojen yapılarda ilk-prensipler hesabı
SELMA ŞENOZAN
Doktora
İngilizce
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Advanced monte carlo modeling of III-V field-effect transistors
III-V alan etkili transistörlerin monte carlo modellemesi
AYDIN TURABİ BAKIR
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ