Geri Dön

İki ve üç boyutlu III-V yarı iletkenlerde sıcak elektron dinamiği

Hot electron dynamics in two and three dimensional III-V semiconductors

  1. Tez No: 176674
  2. Yazar: ZEYNEP USLU
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

Bu çalısmada iki ve üç boyutlu III-V yarıiletkenlerde elektronların yüksek alan tasıma özellikleri üzerine sıcak fonon üretiminin etkisi çalısılmıstır. Ortalama fonon sayısı ve etkin enerji durulma zamanının elektron sıcaklıgı ile degisimi teorik olarak incelenmistir. Ayrıca 300 K örgü sıcaklıgında ve farklı tasıyıcı yogunluklarında elektrik alanla sürüklenme hızının degisimi arastırılmıstır. ki ve üç boyutlu III-V yarıiletkenlerde, ortalama fonon sayısı artan elektron sıcaklıgı ile artmakta ve sıcak fonon etkilerinden dolayı etkin enerji durulma zamanı azalmaktadır. Sürüklenme hızı da elektrik alan ile artmakta ve artan fonon sayısı nedeniyle belli bir elektrik alan degerinde doyuma ulasmaktadır. Elde edilen sonuçlar, literatürdeki çalısmalar ile karsılastırılarak analiz edilmistir. ANAHTAR SÖZCÜKLER : sıcak fonon / yüksek alan tasıması / sürüklenme hızı / iki ve üç boyutlu yarıiletkenler / III-V bilesikler.

Özet (Çeviri)

In this work, the effect of hot phonon production on the high field transport properties of electrons in two and three dimensional III-V semiconductors has been studied. Dependences of the average phonon number and effective energy relaxation time on the electron temperature have been investigated theoretically. Additionally, the drift velocity versus electric field characteristics have been investigated for the different carrier densities at lattice temperature TL = 300 K. In two and three dimensional III-V semiconductors, the effective energy relaxation time decreases due to the hot phonon effects while the average phonon number increases with increasing electron temperature, we also show that the drift velocity increases with electric field and saturates at the certain electric field values due to increasing phonon population. The obtained results were also compared the previous publications. KEY WORDS: hot phonon / high field transport / drift velocity / two and three dimensional semiconductors / III-V compounds.

Benzer Tezler

  1. Structural and electronic properties of monolayer and multilayer gallium nitride crystals

    Tek ve çok atomik katman galyum nitrür kristalinin yapısal ve elektronik özellikleri

    ABDULLATİF ÖNEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ENGİN DURGUN

  2. Moleküler imprint sol-jel polimer kaplı kuantum noktaların sentezi ve optik sensör uygulaması

    Synthesis of quantum dots coated with molecularly imprinted sol-gel polymer for application of optical sensor

    TANER ARSLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ORHAN GÜNEY

  3. Çapraz yay gruplarını kullanan yeni bir sismik yalıtım sistemi

    A new seismic isolation system made of spring tube braces

    VAROL KARAYEL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Deprem Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ERCAN YÜKSEL

  4. First-principles study of GaAs/AlAs nanowire heterostructures

    GaAs/AlAs nanotel heterojen yapılarda ilk-prensipler hesabı

    SELMA ŞENOZAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  5. Advanced monte carlo modeling of III-V field-effect transistors

    III-V alan etkili transistörlerin monte carlo modellemesi

    AYDIN TURABİ BAKIR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ