Thermally stimulated current study of traps distribution in TlGaSeS layered single crystals
TlGaSeS tek kristallerde tuzak dağılımlarının ısıl uyarılmış akım çalışması
- Tez No: 268482
- Danışmanlar: PROF. NİZAMİ HASANLİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 97
Özet
Katkılanmamış TlGaSeS katmanlı tek kristallerindeki tuzak seviyeleri ve dağılımları ısıluyarılmış akım ölçümleri kullanılarak gerçekleştirildi. Araştırmalar 10?160 K sıcaklık aralığında ve 0.6?1.2 K/s aralığındaki çeşitli ısıtma hızları ile yapıldı. Deneysel veriler aktivasyon enerjileri 12, 20 ve 49 meV olan üç elektron ve aktivasyon enerjisi 12 meV olan bir deşik tuzak merkezinin bulunduğunu gösterdi. Bu tuzak seviyelerinin yakalama kesit alanları ve tuzak yoğunlukları bulundu. Deneysel sonuçlar ile yavaş geri tuzaklanmaya ait teorik öngörülerin uyumlu olması bu tuzak seviyelerinde geri tuzaklanmanın ihmal edilebilir olduğunu gösterdi.TlGaSeS katmanlı tek kristallerinin optiksel özellikleri 400?1100 nm dalgaboyu aralığında gerçekleştirilen geçirgenlik ve yansıtıcılık ölçümleri ile araştırıldı. Oda sıcaklığındaki emilme verilerinin analizleri sonucunda optiksel dolaylı bant geçiş enerjisi 2.27 meV ve doğrudan bant geçiş enerjisi 2.58 meV olarak bulundu. 10?300 K sıcaklık aralığında gerçekleştirilen geçirgenlik ölçümleri sonucunda dolaylı bant aralığının sıcaklık ile değişim oranı bulundu. Ayrıca titreşim ve dağılma enerjileri, titreşim büyüklüğü ve sıfır frekans kırılma indisi belirtildi. TlGaSeS kristalinin monoklinik birim hücre parametreleri ve kimyasal bileşimi X-ışını toz difraksiyon çalışması ve enerji dağılımlı spektrum analizi ile belirlendi.
Özet (Çeviri)
Trapping centres and their distributions in as-grown TlGaSeS layered single crystals were studied using thermally stimulated current (TSC) measurements. The investigations were performed in the temperature range of 10?160 K with various heating rates between 0.6?1.2 K/s. Experimental evidence has been found for the presence of three electrons trapping centres with activation energies 12, 20, and 49 meV and one hole trapping centre located at 12 meV. Their capture cross-sections and concentrations were also determined. It is concluded that in these centres retrapping is negligible as confirmed by the good agreement between the experimental results and the theoretical predictions of the model that assumes slow retrapping.The optical properties of TlGaSeS layered single crystals have been investigated by measuring the transmission and the reflection in the wavelength region between 400 and 1100 nm. The optical indirect transitions with a band gap energy of 2.27 eV and direct transitions with a band gap energy of 2.58 eV were found by analyzing the absorption data at room temperature. The rate of change of the indirect band gap with temperature was determined from the transmission measurements in the temperature range of 10?300 K. The oscillator and the dispersion energies, the oscillator strength, and the zero-frequency refractive index were also reported. The parameters of monoclinic unit cell and the chemical composition of TlGaSes crystals were found by X-ray powder diffraction and energy dispersive spectroscopic analysis, respectively.
Benzer Tezler
- Thermally stimulated current study of traps distribution in beta-TlInS2 layered crystals
Beta-TlInS2 katmanlı kristallerde tuzak dağılımlarının ısıl uyarılmış akım çalışması
MEHMET IŞIK
Yüksek Lisans
İngilizce
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENVER BULUR
- Tel örgü katmanlardan oluşan gözenekli ortamda zorlanmış ısı geçişi
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA ÖZDEMİR
- Optical and electrical transport properties of some quaternary thallium dichalcogenides
Bazı dörtlü talyum ikili kalkojenlerin optik ve elektriksel taşıma özellikleri
GÜLER İPEK
Doktora
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. NİZAMİ HASANLİ
- Thermally stimulated current in layered semiconductor thallium indium sulphide
Tabakalı yarı iletken talyum indiyum sülfürde ısıl uyarılmış akım
ERSİN CİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1996
Eğitim ve ÖğretimOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFen Bilimleri Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR
- Tuzaklı yapılarda elektriksel iletkenliğin sıcaklıkla değişimi
The variation of the electrical conductivity by the temperature in structure with traps
MURAT KARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. AHMET ŞENOL AYBEK