Geri Dön

Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyot yapılarında seri direnç etkisi

Series resistance effects in the metal/n-Si/Au-Sb schottky diode structures

  1. Tez No: 179940
  2. Yazar: GÖKHAN ÇEBİŞLİ
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. HÜSNÜ SALİH GÜDER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Engel yüksekliği, Schottky diyodları, Seri direnç, İdealite faktörü, Barrier height, Schottky diodes, Series resistance, Ideality factor
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Mustafa Kemal Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalısmada [100] yönelimine sahip, fosfor katkılı, r = 5 ~ 10W-cm özdirençli ve mobilitesi = 1450 n ? cm 2 /Vs olan n-tipi silisyum kristali kullanıldı. Isısal buharlastırma yöntemiyle Fe, Ni, Cd, Pb, Bi ve Sn metalleri kullanılarak altı farklı Schottky diyot yapısı olusturuldu. Diyotların elektriksel karakteristigini incelemek için, oda sıcaklıgında ve karanlıkta, -1V ile +1V gerilim aralıgında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Nötral bölge direncinin diyotların akım-gerilim karakteristikleri üzerindeki etkilerini incelemek için altı farklı metotla idealite faktörü, engel yüksekligi ve seri direnç degerleri hesaplandı. Verilerin incelenmesinden, tüm diyotlar için engel yüksekligi ve seri direnç degerlerinin birbiri ile iyi bir uyum içinde oldugu, ancak üçüncü, dördüncü ve besinci metotlarda idealite faktörü degerlerinin digerlerine göre oldukça düsük ya da yüksek oldugu görülmüstür.

Özet (Çeviri)

In this work, [100] oriented, phosphororus doped, n-type silicon crystal with a resistivity of r = 5 ~ 10W-cm and mobility of = 1450 n ? cm 2 /Vs has been used. Six different Schottky diodes have been fabricated using Fe, Ni, Cd, Pb, Bi and Sn metals by resistive evaporation method. In order to investigate the electrical characteristics of the diodes, current-voltage measurements have been done between -1V and +1V potential interval, at room temperature and in the dark. In order to investigate the effects of the notral region series resistance on the current-voltage characteristics of the diodes, ideality factor, barrier height and series resistance values have been calculated using six different methods. From the investigation of the data, barrier heights and series resistance values have been found to be in agreement for all the diodes, but the ideality factors evaluated by the third, fourth and fifth methods are seen to have either very low or high values than the others.

Benzer Tezler

  1. Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyod yapılarında I-V karakteristiklerinin incelenmesi

    Investigation of the I-V characteristics in the metal/n-Si/Au-Sb schottky diode structures

    BEKİR VARLIBAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. HÜSNÜ SALİH GÜDER

  2. S-katkılı DLC (elmas benzeri karbon) ara katmanlı yapıların elektriksel özelliklerine frekansın etkisi

    The effect of frequency on the electrical properties of s doped DLC (diamond like carbon) interlayer structures

    ESRA KESEN İÇÖZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YASEMİN ŞAFAK ASAR

  3. Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması ve temel elektriksel özelliklerinin ışık altında incelenmesi

    The preperation of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) structures and investigation of main electrical characteristics under illumination

    UMUT AYDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  4. In2S3 ince filminin n–InP altlık üzerine kimyasal püskürtme metoduyla büyütülmesi ve üretilen Au/n–InP/In ve Au/In2S3/n–InP/In yapıların numune sıcaklığına bağlı olarak elektriksel karakteristiklerinin karşılaştırılması

    Deposition of In2S3 thin film on n–inp substrate by chemical spray pyrolysis method and comparison of depending on sample temperature electrical characteristics of produced Au/n–InP/In and Au/In2S3/n–InP/In structures

    TUBA ÇAKICI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM

  5. Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi

    Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures

    ENİSE ÖZERDEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU