Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyot yapılarında seri direnç etkisi
Series resistance effects in the metal/n-Si/Au-Sb schottky diode structures
- Tez No: 179940
- Danışmanlar: DOÇ.DR. HÜSNÜ SALİH GÜDER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Mustafa Kemal Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 79
Özet
Bu çalısmada [100] yönelimine sahip, fosfor katkılı, r = 5 ~ 10W-cm özdirençli ve mobilitesi = 1450 n ? cm 2 /Vs olan n-tipi silisyum kristali kullanıldı. Isısal buharlastırma yöntemiyle Fe, Ni, Cd, Pb, Bi ve Sn metalleri kullanılarak altı farklı Schottky diyot yapısı olusturuldu. Diyotların elektriksel karakteristigini incelemek için, oda sıcaklıgında ve karanlıkta, -1V ile +1V gerilim aralıgında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Nötral bölge direncinin diyotların akım-gerilim karakteristikleri üzerindeki etkilerini incelemek için altı farklı metotla idealite faktörü, engel yüksekligi ve seri direnç degerleri hesaplandı. Verilerin incelenmesinden, tüm diyotlar için engel yüksekligi ve seri direnç degerlerinin birbiri ile iyi bir uyum içinde oldugu, ancak üçüncü, dördüncü ve besinci metotlarda idealite faktörü degerlerinin digerlerine göre oldukça düsük ya da yüksek oldugu görülmüstür.
Özet (Çeviri)
In this work, [100] oriented, phosphororus doped, n-type silicon crystal with a resistivity of r = 5 ~ 10W-cm and mobility of = 1450 n ? cm 2 /Vs has been used. Six different Schottky diodes have been fabricated using Fe, Ni, Cd, Pb, Bi and Sn metals by resistive evaporation method. In order to investigate the electrical characteristics of the diodes, current-voltage measurements have been done between -1V and +1V potential interval, at room temperature and in the dark. In order to investigate the effects of the notral region series resistance on the current-voltage characteristics of the diodes, ideality factor, barrier height and series resistance values have been calculated using six different methods. From the investigation of the data, barrier heights and series resistance values have been found to be in agreement for all the diodes, but the ideality factors evaluated by the third, fourth and fifth methods are seen to have either very low or high values than the others.
Benzer Tezler
- Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyod yapılarında I-V karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation of the I-V characteristics in the metal/n-Si/Au-Sb schottky diode structures
BEKİR VARLIBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. HÜSNÜ SALİH GÜDER
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Arayüz oksit tabakası ve seri dirence sahip ruln-Si schottky diyod parametrelerinin doğru beslem I-V ve C-V karakteristiklerinden hesaplanması
Başlık çevirisi yok
ÖZKAN VURAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Si üzerinde oluşturulan metal ince filmin (Au) elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Formation of metal thin film on Si (Au), investigation of its elektrical and optical properties
ERSİN YÜCEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL BEKTÖRE
- Zn/n-Si/Au-Sb ve Zn/ZnO/n-Si/Au-Sb Schottky diyotların elektriksel karakteristikleri üzerine farklı enerji ve dozlardaki elektron ve gama radyasyonlarının etkilerinin karşılaştırmalı olarak incelenmesi
The comparative investigation of the effects of different energy and different doses of electron and gama radiations on the electrical characteristics of Zn/n-Si/Au-Sb and Zn/ZnO/n-Si/Au-Sb Schottky diodes
MARYAM ABDOLAHPOUR SALARI
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM