Geri Dön

Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyot yapılarında seri direnç etkisi

Series resistance effects in the metal/n-Si/Au-Sb schottky diode structures

  1. Tez No: 179940
  2. Yazar: GÖKHAN ÇEBİŞLİ
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. HÜSNÜ SALİH GÜDER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Mustafa Kemal Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 79

Özet

Bu çalısmada [100] yönelimine sahip, fosfor katkılı, r = 5 ~ 10W-cm özdirençli ve mobilitesi = 1450 n ? cm 2 /Vs olan n-tipi silisyum kristali kullanıldı. Isısal buharlastırma yöntemiyle Fe, Ni, Cd, Pb, Bi ve Sn metalleri kullanılarak altı farklı Schottky diyot yapısı olusturuldu. Diyotların elektriksel karakteristigini incelemek için, oda sıcaklıgında ve karanlıkta, -1V ile +1V gerilim aralıgında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Nötral bölge direncinin diyotların akım-gerilim karakteristikleri üzerindeki etkilerini incelemek için altı farklı metotla idealite faktörü, engel yüksekligi ve seri direnç degerleri hesaplandı. Verilerin incelenmesinden, tüm diyotlar için engel yüksekligi ve seri direnç degerlerinin birbiri ile iyi bir uyum içinde oldugu, ancak üçüncü, dördüncü ve besinci metotlarda idealite faktörü degerlerinin digerlerine göre oldukça düsük ya da yüksek oldugu görülmüstür.

Özet (Çeviri)

In this work, [100] oriented, phosphororus doped, n-type silicon crystal with a resistivity of r = 5 ~ 10W-cm and mobility of = 1450 n ? cm 2 /Vs has been used. Six different Schottky diodes have been fabricated using Fe, Ni, Cd, Pb, Bi and Sn metals by resistive evaporation method. In order to investigate the electrical characteristics of the diodes, current-voltage measurements have been done between -1V and +1V potential interval, at room temperature and in the dark. In order to investigate the effects of the notral region series resistance on the current-voltage characteristics of the diodes, ideality factor, barrier height and series resistance values have been calculated using six different methods. From the investigation of the data, barrier heights and series resistance values have been found to be in agreement for all the diodes, but the ideality factors evaluated by the third, fourth and fifth methods are seen to have either very low or high values than the others.

Benzer Tezler

  1. Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyod yapılarında I-V karakteristiklerinin incelenmesi

    Investigation of the I-V characteristics in the metal/n-Si/Au-Sb schottky diode structures

    BEKİR VARLIBAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. HÜSNÜ SALİH GÜDER

  2. Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi

    Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures

    ENİSE ÖZERDEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU

  3. Si üzerinde oluşturulan metal ince filmin (Au) elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Formation of metal thin film on Si (Au), investigation of its elektrical and optical properties

    ERSİN YÜCEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YÜKSEL BEKTÖRE

  4. Zn/n-Si/Au-Sb ve Zn/ZnO/n-Si/Au-Sb Schottky diyotların elektriksel karakteristikleri üzerine farklı enerji ve dozlardaki elektron ve gama radyasyonlarının etkilerinin karşılaştırmalı olarak incelenmesi

    The comparative investigation of the effects of different energy and different doses of electron and gama radiations on the electrical characteristics of Zn/n-Si/Au-Sb and Zn/ZnO/n-Si/Au-Sb Schottky diodes

    MARYAM ABDOLAHPOUR SALARI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM