Metal-yarıiletken kontaklarda Schottky engelinin sığa özellikleri
Capacitance properties of Schottky barrier at metal-semiconducter contacts
- Tez No: 180247
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 110
Özet
Bu çalışmada, (100) yönelimli, 300 µm kalınlığında, kükürt(S) katkılı, n tipiGaP kullanılarak metal buharlaştırma metodu ile Au/n-GaP Schottky diyotlarıhazırlandı. Bu diyotların 80-375 K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklarda akım-gerilim(I-V) ve sığa-gerilim(C-V) ölçümleri yapıldı. Elde edilen verilerdenSchottky engel yüksekliği, idealite faktörü, seri direnç ve diğer bazı diyotparametreleri hesaplandı. Arayüzeydeki engel yüksekliklerininhomojensizliğinden dolayı Gauss dağılımına sahip olduğu gözlendi. Gaussdağılımı için ortalama engel yüksekliği ve standart sapma değerleri sırasıyla0,96 eV ve 0,0998 V olarak elde edildi. Deneysel I-V verilerinden sıcaklığınartmasıyla engel yüksekliğinde artış ve idealite faktöründe ise azalma olduğubelirlendi.Tünelleme faktörünün akım iletiminde etkin olduğu gözlendi. C-Völçümlerinden ise sıcaklık artarken engel yüksekliğinin azaldığı görüldü.
Özet (Çeviri)
In this study; We have prepared Au/n-GaP Schottky diodes in the (100)orientation, with the thickness of 300µm, S-doped obtained by metalevaporating system. Both current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristic were measured in the temperature ranges of 80-375K. Theevaluation of the experimental data , barrier height of the Schottky diodesand ideality factory, series resistance were calculated. Due to inhomogeneities of barrier height at the interface observed Gaussiandistribution. The mean barrier height and standard deviation valueobtained from the Gaussian distribution are 0.96 eV, 0.0998V, respectively.From the evaluation of the experimental I-V data, the barrier heightincreased and ideality factory decreased with increasing temperature.Tunnelling factory were obtained effected the current transport atinterface. Barrier height is founded decreasing with increasingtemperature from the C-V measurement.
Benzer Tezler
- Au/TiO2/n-Si/Au Schottky engelinin diyot parametrelerinin sıcaklığa ve frekansa bağlı incelenmesi
Temperature and frequency depent investigation of diode parameters of Au/TiO2/n-Si/Au Schottky barrier
MURAT SEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Ti/n-GaAs/In metal/yarıiletken/metal kontakların numune sıcaklığına bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
Analyzes of temperature dependent I-V and C-V properties of Ti/n-GaAs/In metal/semiconductor/metal contacts
FATMA URHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Sn/PPy/n-Si/Au-Sb yapının bazı karakteristik parametrelerinin sıcaklığa bağlı akım-voltaj, kapasite-voltaj ve kapasite-frekans ölçümlerinden tayin edilmesi
Determining the some characteristic parameters of Sn/PPy/n-Si/Au-Sb structure from current-voltage, capacitance-voltage and capacitance-frequency measurements as a function of temperature
ŞAKİR AYDOĞAN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Pb/p-Si/Al schottky kontakların sıcaklığa bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj ölçümlerinden karakteristik parametrelerinin incelenmesi
Investigation of the characteristic parameters of Pb/p-Si/Al schottky contacts from the temperature dependent current-voltage and capacitance-voltage measurement
ENİSE ÖZERDEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU