Kuantum kuyu içeren Ga1-yAlyAs engel yapılarda dikey iletim mekanizmalarının incelenmesi
Investigation of the vertical transport in Ga1-yAlyAs barrier structures containing quantum wells
- Tez No: 182264
- Danışmanlar: PROF. DR. HÜSEYİN ÇELİK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 246
Özet
Merkez bölgesinde GaAs/Ga0,74Al0,26As kuantum kuyu ve merkez bölgesi ilen+-GaAs kontak tabakaları arasında Ga1-yAlyAs (0â¤yâ¤0,26) eğimli engel tabakaları[n+-GaAs/Ga1-yAlyAs(0â¤yâ¤0,26)/Ga0,74Al0,26As(NW)/Ga1-yAlyAs(0,26â¤yâ¤0)/bulunann+-GaAs] engel yapılarda dikey iletim mekanizmaları deneysel olarak incelendi.Deneylerde dairesel mesa geometrisinde hazırlanmış (kontak çapı 100â800 μmaralığında), kuantum kuyu sayısı Nw=0, 2, 4, 7 ve 10 olan engel yapı örneklerkullanıldı. Eğimli engel tabakaların herbirinin kalınlığı 500 à , merkez engel bölgesikalınlığı yaklaşık 1000 à 'dur. Nw=2, 4, 7 ve 10 olan örneklerde kuantum kuyugenişliği aynı (Lw=35 à ), kuantum kuyular arasındaki Ga0,74Al0,26As engel tabakasıkalınlığı (LB) sırasıyla 1006, 310, 135 ve 77 à 'dur. Bu örneklerde, karanlıkta,akımâsıcaklık, akımâgerilim ve geometrik magnetorezistans (GMR) ölçümleriyapıldı. Örneklere 0,01â0,8 V aralığında DC gerilim uygulanarak, akım sıcaklığınfonksiyonu olarak (I-T karakteristikleri) ölçüldü. Dikey akımın örneğe uygulanangerilimle değişimi (I-V karakteristikleri) 3,5â295 K aralığında belirli sıcaklıklardakaydedildi. GMR deneylerinde engel yapı örneklere tabakalara paralel ancakakıma dik olarak 0,2â2,2 T aralığında magnetik alan (B) uygulandı ve dikey akımınmagnetik alanla değişimi (I-B grafikleri): (i) düşük gerilimlerde (0,01â0,1 V),sıcaklığın fonksiyonu olarak ve (ii) 3,5â295 K aralığında belirli sıcaklıklarda,örneğe uygulanan gerilimin fonksiyonu olarak ölçüldü.Deneysel I-T ve I-V karakteristiklerinden düşük gerilim ve yüksek sıcaklıklarda(T>110 K) ısısal uyarılma akımının, yüksek gerilim ve düşük sıcaklıklarda (T
Özet (Çeviri)
Vertical transport mechanisms in [n+-GaAs/Ga1-yAlyAs(0â¤yâ¤0.26)/Ga0.74Al0.26As(NW)/Ga1-yAlyAs(0.26â¤yâ¤0)/n+-GaAs] barrier structures which contain GaAs/Ga0.74Al0.26Asquantum wells in the central region and Ga1-yAlyAs (0â¤yâ¤0.26) graded barriersbetween the central region and n+-GaAs contact layers were investigatedexperimentally. Barrier structure samples prepared in circular mesa geometry(contact diameter in the range 100â800 μm) with Nw=0, 2, 4, 7 and 10 quantumwells were used in experiments. The thickness of each graded barrier layer was500 à , and that of the central barrier region was approximately 1000 à . Thequantum well width (Lw=35 à ) was the same for all the samples with Nw=2, 4, 7and 10, while the thickness (LB) of Ga0.74Al0.26As barrier layers in the quantumwells were 1006, 310, 135 and 77 à , respectively. In these samplescurrentâtemperature, currentâvoltage and geometric magnetoresistance (GMR)measurements were carried out in the dark. The vertical current was measured asa function of temperature (I-T characteristics) by applying DC voltage (in the range0.01â0.8 V) to the sample. The variation of vertical current with applied voltage(I-V characteristics) was recorded at selected temperatures in the range3.5â295 K. In GMR experiments, a magnetic field (B) in the range 0.2â2.2 T wasapplied parallel to the layers but perpendicular to the current, and the variation ofvertical current with magnetic field (IâB graph) was measured: (i) as a function oftemperature, at low voltages (0.01â0.1 V) and (ii) as a function applied voltage, atselected temperatures in the range 3.5â295 K.It is found from the experimental I-T and I-V characteristics that thermionicemission and tunneling are the major vertical transport mechanisms at lowvoltages and high temperatures (T>110 K) and at high voltages and lowtemperatures (T
Benzer Tezler
- Ridge waveguide ga As / Alx ga1-x as multiple quantom well laser diodes
Sırt dalga kılavuzu Ga As / Alx Ga1-x As çoklu kuantum kuyu lazer diyodlar
ABDULLAH KAMURAN TÜRKOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Localization phenomena in inas/gasb composite quantum wells with disorder
Düzensizlik içeren ınas/gasb komposit kuantum kuyularında yerelleştirme olayları
VAHID SAZGARI ARDAKANI
- Kuantum kuyu yapılarda optik fonon modları
Optical phonon modes in quantum well structures
FATMA ÖZÜTOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALUK ŞAFAK
- GaAs/ AlxGa1-xAs kuantum kuyu kızılötesi fotodedektörlerin optoelektronik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optoelectronic properties of GaAs/ AlxGa1-xAs qauntum well infrared photodetectors
EMİNE ALTIN
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells
Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması
FATMA KOÇAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL