Geri Dön

Kuantum kuyu içeren Ga1-yAlyAs engel yapılarda dikey iletim mekanizmalarının incelenmesi

Investigation of the vertical transport in Ga1-yAlyAs barrier structures containing quantum wells

PDF İndir

  1. Tez No: 182264
  2. Yazar: SAFİ ALTUNÖZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HÜSEYİN ÇELİK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 246

Özet

Merkez bölgesinde GaAs/Ga0,74Al0,26As kuantum kuyu ve merkez bölgesi ilen+-GaAs kontak tabakaları arasında Ga1-yAlyAs (0≤y≤0,26) eğimli engel tabakaları[n+-GaAs/Ga1-yAlyAs(0≤y≤0,26)/Ga0,74Al0,26As(NW)/Ga1-yAlyAs(0,26≤y≤0)/bulunann+-GaAs] engel yapılarda dikey iletim mekanizmaları deneysel olarak incelendi.Deneylerde dairesel mesa geometrisinde hazırlanmış (kontak çapı 100−800 μmaralığında), kuantum kuyu sayısı Nw=0, 2, 4, 7 ve 10 olan engel yapı örneklerkullanıldı. Eğimli engel tabakaların herbirinin kalınlığı 500 Å, merkez engel bölgesikalınlığı yaklaşık 1000 Å'dur. Nw=2, 4, 7 ve 10 olan örneklerde kuantum kuyugenişliği aynı (Lw=35 Å), kuantum kuyular arasındaki Ga0,74Al0,26As engel tabakasıkalınlığı (LB) sırasıyla 1006, 310, 135 ve 77 Å'dur. Bu örneklerde, karanlıkta,akım−sıcaklık, akım−gerilim ve geometrik magnetorezistans (GMR) ölçümleriyapıldı. Örneklere 0,01−0,8 V aralığında DC gerilim uygulanarak, akım sıcaklığınfonksiyonu olarak (I-T karakteristikleri) ölçüldü. Dikey akımın örneğe uygulanangerilimle değişimi (I-V karakteristikleri) 3,5−295 K aralığında belirli sıcaklıklardakaydedildi. GMR deneylerinde engel yapı örneklere tabakalara paralel ancakakıma dik olarak 0,2−2,2 T aralığında magnetik alan (B) uygulandı ve dikey akımınmagnetik alanla değişimi (I-B grafikleri): (i) düşük gerilimlerde (0,01−0,1 V),sıcaklığın fonksiyonu olarak ve (ii) 3,5−295 K aralığında belirli sıcaklıklarda,örneğe uygulanan gerilimin fonksiyonu olarak ölçüldü.Deneysel I-T ve I-V karakteristiklerinden düşük gerilim ve yüksek sıcaklıklarda(T>110 K) ısısal uyarılma akımının, yüksek gerilim ve düşük sıcaklıklarda (T

Özet (Çeviri)

Vertical transport mechanisms in [n+-GaAs/Ga1-yAlyAs(0≤y≤0.26)/Ga0.74Al0.26As(NW)/Ga1-yAlyAs(0.26≤y≤0)/n+-GaAs] barrier structures which contain GaAs/Ga0.74Al0.26Asquantum wells in the central region and Ga1-yAlyAs (0≤y≤0.26) graded barriersbetween the central region and n+-GaAs contact layers were investigatedexperimentally. Barrier structure samples prepared in circular mesa geometry(contact diameter in the range 100−800 μm) with Nw=0, 2, 4, 7 and 10 quantumwells were used in experiments. The thickness of each graded barrier layer was500 Å, and that of the central barrier region was approximately 1000 Å. Thequantum well width (Lw=35 Å) was the same for all the samples with Nw=2, 4, 7and 10, while the thickness (LB) of Ga0.74Al0.26As barrier layers in the quantumwells were 1006, 310, 135 and 77 Å, respectively. In these samplescurrent−temperature, current−voltage and geometric magnetoresistance (GMR)measurements were carried out in the dark. The vertical current was measured asa function of temperature (I-T characteristics) by applying DC voltage (in the range0.01−0.8 V) to the sample. The variation of vertical current with applied voltage(I-V characteristics) was recorded at selected temperatures in the range3.5−295 K. In GMR experiments, a magnetic field (B) in the range 0.2−2.2 T wasapplied parallel to the layers but perpendicular to the current, and the variation ofvertical current with magnetic field (I−B graph) was measured: (i) as a function oftemperature, at low voltages (0.01−0.1 V) and (ii) as a function applied voltage, atselected temperatures in the range 3.5−295 K.It is found from the experimental I-T and I-V characteristics that thermionicemission and tunneling are the major vertical transport mechanisms at lowvoltages and high temperatures (T>110 K) and at high voltages and lowtemperatures (T

Benzer Tezler

  1. Tez No

    33491

    Ridge waveguide ga As / Alx ga1-x as multiple quantom well laser diodes

    Sırt dalga kılavuzu Ga As / Alx Ga1-x As çoklu kuantum kuyu lazer diyodlar

    ABDULLAH KAMURAN TÜRKOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ATİLLA AYDINLI

  2. Tez No

    566195

    Localization phenomena in inas/gasb composite quantum wells with disorder

    Düzensizlik içeren ınas/gasb komposit kuantum kuyularında yerelleştirme olayları

    VAHID SAZGARI ARDAKANI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    DOÇ. DR. İSMET İNÖNÜ KAYA

  3. Tez No

    237355

    Kuantum kuyu yapılarda optik fonon modları

    Optical phonon modes in quantum well structures

    FATMA ÖZÜTOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HALUK ŞAFAK

  4. Tez No

    300078

    GaAs/ AlxGa1-xAs kuantum kuyu kızılötesi fotodedektörlerin optoelektronik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of optoelectronic properties of GaAs/ AlxGa1-xAs qauntum well infrared photodetectors

    EMİNE ALTIN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN

  5. Tez No

    130867

    Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells

    Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması

    FATMA KOÇAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL

Geri Dön