Isısal uyarımlı iletkenlik metodu ve tabakalı tek kristal yapılı yarıiletkenlerdeki uygulaması
Thermally stimulated conductivity (tsc) method and its application on layered single semiconductors
- Tez No: 183448
- Danışmanlar: DOÇ. DR. HALUK ŞAFAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Selçuk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 43
Özet
Bu çalışma, optik ve elektriksel özellikleri nedeniyle optoelektronik aletlerde yaygınkullanımı olan talyum kalgonitlerinden TlGaSe2 ve TlGaS0.5Se1.5 kristallerindeki kusurlarınIsısal Uyarımlı İletkenlik (TSC) yöntemi ile tespiti amacıyla yapılmıştır. Bu tezde Isısaluyarımlı iletkenlik yönteminin teorisi, gerekli deney düzeneği, numunelerin hazırlanmasınınyanısıra ve deney sonuçlarından kristal kusurlarına ilişkin bazı parametrelerinin (aktivasyonenerjisi, tuzak yakalama kesiti ve tuzak yoğunlukları) nasıl elde edildiği incelenmiş vebulunan sonuçlar açıklanmıştır.TlGaSe2 numunesinde 98 ve 130 meV (sırasıyla 120.2 ve 153 K) aktivasyon enerjisinesahip kristal kusurlardan kaynaklanan tuzaklanma merkezleri tesbit edilmiştir. Bu tuzakmerkezlerine ait tuzak yakalama kesitleri sırasıyla 2.3 Ã 10 â24 ve 1.8 Ã 10 â24 cm2 ; tuzakyoğunlukları ise sırasıyla 1.4 Ã 1014 ve 3.8 Ã 1014 cm -3 olarak bulunmuştur. TlGaS0.5Se1.5numunesinde ise aktivasyon enerjisi 650 meV (216.8 K) tuzaklanma merkezi tesbit edilmiştir.Bu tuzak merkezine ait tuzak yakalama kesiti sırasıyla 8.55 Ã 10 â18 cm2 ve tuzak yoğunluğuise 7.15 Ã 1016 cm -3 olarak bulunmuştur
Özet (Çeviri)
Thallium chalcogenides received a great deal of attention due to their optical andelectrical properties in view of possible optoelectronic device applications. TlGaSe2 veTlGaS0.5Se1.5 crystals? defect centers were analyzed by Thermally Stimulated Current (TSC)method. The theory of TSC, sample experimental setup and sample preparation wereexplained. Then, some parameters such as; activation energy, capture cross section,concentration of trap centers were found from the results of experiments.TlGaSe2 has trapping centers casued by crystal defects with activation energies of 98and 130 meV (respectively 120.2 and 153 K). These trapping centers have capture crosssections of 2.3 Ã 10 â24 ve 1.8 Ã 10 â24 cm2 and concentrations of 1.4 Ã 1014 and 3.8 Ã 1014 cm -3respectively. Only one trapping center was detected in TlGaS0.5Se1.5 with activation energy of646 meV (120.2 K). This trapping center has a capture cross section of 8.55 Ã 10 â18 cm2 andconcentration of 7.15 Ã 1016 cm -3 .
Benzer Tezler
- Bilgisayar destekli bir sıcaklık kontrol ünitesinin tasarımı ve yapımı ile bazı alkali halojen tuzlarının ısısal uyarımlı depolarizasyon ölçümleri
Design and construction of a programmable temperature controller and its application to some tsd samples
HAZİRET DURMUŞ
Doktora
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HALDUN KARABIYIK
- A modular scan head for optical coherence tomography guided laser nerve stimulation
Optik koherens tomografi güdümlü lazer sinir stimülasyonu için modüler tarama başlığı
HANİFE GÖKKAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
BiyomühendislikDokuz Eylül ÜniversitesiBiyotıp ve Sağlık Teknolojileri Anabilim Dalı
DOÇ. DR. SERHAT TOZBURUN
- A method of decoupling of radio frequency coils in magnetic resonance imaging: Application to MRI with ultra short echo time and concurrent excitation and acquisition
Manyetik rezonans görüntülemede radyo frekans sargılarının izolasyonu için bir yöntem: Eş zamanlı RF uyarımı ve çok kısa yankı süreli MRG'ye uygulanması
ALİ ÇAĞLAR ÖZEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGİN ATALAR
- Computer aided interface of building data preparation for thermal analysis packages
Isısal analiz yazılımlarına bilgisayar destekli bina verileri arabirimi hazırlanması
MURAT ÖZGÜMÜŞ
- Isisal tavlamanın püskürtme yöntemiyle elde edilmiş çinko oksit filmlerin elektriksel iletkenlik ve optiksel özelliklerine etkisi
The annealing effect on the electrical conductivity and optical properties of ZnO films deposited by spray pyrolysis method
FİGEN ÖZYURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TÜLAY SERİN