Geri Dön

Reaktif buharlaştırma tekniğiyle hazırlanan SnOx ve Sn-SnOx ince filmlerinin elektrik özellikleri

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 1955
  2. Yazar: BERKAY GÖRGEZ
  3. Danışmanlar: Belirtilmemiş.
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1984
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 72

Özet

Çalışmada reaktif buharlaştırma tekniğiyle 4x10 torr hava ve oksijen atmosferinde hazırlanan saf SnO ve içinde metalik kalay parçacıkları bulunan sermet yapıdaki Sn-SnO filimlerinin elektrik özellikleri taşıyıcı sıcaklığı ve konsantrasyona bağlı olarak ince lendi, örneklerin akım-volta.i karakteristikleri, elektrik iletkenlikleri, dielektrik özellikleri ve akım geçiş mekanizmaları belirlendi. Sonradan yapılan ısıl işlemin bu özelliklere etkisi araştırıldı. Saf SnOx fil imleri ısıtılmamış ve 200°C ye kadar değişen farklı sıcaklıklarda ısıtılmış taşıyıcılar üzerine ortalama 430 A° kalınlığında hazırlandı. Başlangıçta, saydam yalıtkan özellik gös teren örneklere, sonradan uygulanan ısıl işlemin elektrik iletkenliği arttırdığı gözlendi. Sn-SnO sermet filimleri ısıtılmamış ve 100° C taşıyıcı sıcaklıklarında hazırlandı. Isıtılmamış taşıyıcılar üzerine hazırlanan örnekler I-V karakteristikleri bakımından düşük (C >% 40) iki konsantrasyon bölgesine ayrıldı. Düşük konsantrasyonu örnekler eşik tipi anahtarlama (threshold switching), yüksek konsantrasyonlu örnekler ise amorf yarı-iletken özelliği gösterdi. 100°C sıcaklığında hazırlanan örnekler düşük (C < % 27), kritik (C= % 27) ve yüksek (C ^> % 2.7) olmak üzere Uç konsantrasyon bölgesine ayrıldı. Alçak ve yüksek konsantrasyonlu Örnekler amorf yarı-iletken karakteristiği, kritik konsantrasyonlu örnek ise eşik tipi anahtarlama özelliği göstermektedirler.Yapılan I-V ölçülerinin analizinden, taşıyıcı sıcaklığın dan bağımsız olarak iletkenliğin üç farklı yasaya uyduğu Ohm Yasası, uzay yük sınırlayan akım akışı (S.C.L.C.) ve Poole-Frenkel Mekanizması, ancak örneklerde konsantrasyonun artmasıyla Ohm Yasasının baskın duruma geçtiği sonucuna varılmaktadır.

Özet (Çeviri)

SUMMARY In this study the electrical properties of the thin films of pure SnO were prepared using reactive evaporation technique -4 at 4 x 10 torr atmospheric pressure and Sn-SnO with a piece of metallic tin were investigated according to the temperature of substrate and concentration. Current-voltage characteristics of the samples, electrical conductivity, dielectric properties and the mechanism of current passage were obtained. The effect of heat treatment which was done after the prepration of the samples on above properties was investigated. Pure SnO films were evaporated on non-heated and heated A substrates up to the temperature of 200 C variably. Films with an average thickness of 430 A0 were obtained. The samples had transperant properties at the beginning, but it was observed later that the heat applications had increased the electrical conductivity. Sn-SnO Cermet Films were prepared on non-heated and heated substrate up to 100 C. Non-heated samples were seperated into two concentration regions: low (C < % 40) and high (C > % 40) according to I-V characteristics. Samples with low concentration have showed threshold switching and samples with high concentration have showed amorphous semiconductor property. The samples which were prepared at 100°C temperature were seperated into three concentration regions: low (C < % 27 critic (C = % 27) and high (C > % 27). Samples with low and high concentration show amorphous semiccnductor properties,and samples with critical concentration show threshold switching properties. From the analysis of the measurements of I-V; the conductivity agrees with the three different laws [ Ohm law, Space-Charge-Limited Current (S.C.L.C.), and Poole Frenkel Mechanism ]. However, when the concentration of the samples increases, Ohm law dominates.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    83187

    İnce filmlerde optik geçirgenliğin ve elektrik iletkenliğin kalınlığa bağlılığı

    The Dependence of optical transmission and electrical conductivity on the thickness of thin film samples

    KEMAL ULUTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YANİ ISKARLATOS

  2. Tez No

    1981

    Reaktif buharlaştırma tekniği ile hazırlanan AIOx ve AI-AIOx ince filmlerinin dielektrik özelliklerinin alana bağlı değişimleri

    Başlık çevirisi yok

    GÜZİN AKTULGA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜLYA DEMİRYONT

  3. Tez No

    55874

    Reaktif buharlaştırma ve sol gel teknikleri ile hazırlanan filmlerin optik ve elektriksel özellikleri

    Başlık çevirisi yok

    DENİZHAN ATEŞALP

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. GALİP TEPEHAN

  4. Tez No

    202379

    Nanoteknolojik yöntemler ile malzemenin yüzey özelliklerinin iyileştirilmesi

    Improvement of the surface properties of materials by using nanotechnological techniques

    İLKER ÖZKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Metalurji MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BÜLENT ÖNAY

  5. Tez No

    450626

    Development of nanoelectromechanical systems functionalized by vacuum organic thermal evaporation and their gas sensing applications

    Vakum organik ısısal buharlaştırma ile fonksiyonelleştirilmiş nanoelektromekanik sistemler ve gaz ölçüm uygulamaları

    MUSTAFA ÇAĞATAY KARAKAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Makine Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MEHMET SELİM HANAY

Geri Dön