Reaktif buharlaştırma tekniği ile hazırlanan AIOx ve AI-AIOx ince filmlerinin dielektrik özelliklerinin alana bağlı değişimleri
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 1981
- Danışmanlar: PROF. DR. HÜLYA DEMİRYONT
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1985
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 139
Özet
ÜZET Bu çalışmada reaktif buharlaştırma tekniği ile hazırlanan saf Al O ve sermet A1-A10 filmlerinin dielektrik özellikleri incelendi. A A Reaktif buharlaştırma tekniği ile hazırlanan filmlerin her iki yüzü alüminyum elektrodlarla kaplanarak oluşturulan kondansatörlerin, kompleks kapasite bileşenlerinin, değişik frekanslar için değerleri, Schering köprüsünde ölçüldü ve relaksasyon spektrumları elde edildi. Doğru elektrik alanın relaksasyon spektrumları üzerindeki et kisini incelemek amacıyla, örneklerin kompleks kapasite bileşenlerinin Schering köprüsünde doğru alan altında ölçülmesini sağlayan bir devre geliştirildi ve örneklere aft relaksasyon spektrumları m n alana bağlı değişimleri gözlendi. Bu değişimlerin eskime ile gerçekle şen değişimlere benzerliği vurgulandı. Relaksasyona neden olan yapısal özelliklerin anlaşılmasını ve alanın yapı üzerindeki etkilerinin araştırılmasını sağlamak üzere oe- liştirilen yöntem yardımıyla, arayüz polarizasyon mekanizmasının o- luşturduğu bu relaksasyonun, heterojen yapılarda ortaya çıkan bir Maxwell -Waqner relaksasyonu olduğu belirlendi. Söz konusu yöntemin uygulanması ile elde edilen Maxwell -Wagner eşdeğer devre elemanlarının, alana bağlı değişimleri analiz edildi. Heterojeni iğin ölçüsünü veren bir parametre tanımlandı ve bu parametrenin alana bağlı değişimlerinden, alanla yapının heterojenliğinin daha da arttığı anlaşıldı.
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this study, the dielectric properties of the thin films of pure Al 0 and cermet A1-A1Û have been investigated. These films A A were prepared using reactive evaporation technique. The both faces of the films investigated, have been coated with the aluminium electrodes to form the capacities. The values of the components of the complex capacities for the films studied have been measured as a function of frequency using Schering Bridne and from the results the relaxation spectrums have been obtained. For the investigation of the effect of dc field on the relaxation spectrums, the new experimental system has been developed. This system incorporates with Schering Bridqe. The variation with the applied dc field of the relaxation spectrums of the films investigated have been studied. It was found that this variation is similar to the variation with aging. The new method in determining the equivalent circuit elements of - MaxweTi- Wagner has been- uievelwied io 4mderstand the structural properties causing the relaxational behaviour and to investigate the field effect on the structure of the films studied. It has been confirmed that the relaxation which is caused by the mechanism of the interface polarization, is the relaxation of Maxwell-Wagner found in the heteroqen structures. The variations with the dc field of the equivalent circuit elements obtained by the new method which has been mentioned, have been analyzed. The new parameter which gives a measure of the heterogeneity has been defined and from the variations with the field of this parameter have been understood that the heterogeneity of the structure is increased by the applied dc field. TV
Benzer Tezler
- New methods in the synthesis of single-chain polymeric nanoparticles
Tek zincir polimer nanoparçacıkların sentezinde yeni yöntemler
BURCU ALKAN
Doktora
İngilizce
2023
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN DURMAZ
PROF. DR. İSMAİL GÖKHAN TEMEL
- Reaktif buharlaştırma tekniğiyle hazırlanan SnOx ve Sn-SnOx ince filmlerinin elektrik özellikleri
Başlık çevirisi yok
BERKAY GÖRGEZ
- İnce filmlerde optik geçirgenliğin ve elektrik iletkenliğin kalınlığa bağlılığı
The Dependence of optical transmission and electrical conductivity on the thickness of thin film samples
KEMAL ULUTAŞ
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YANİ ISKARLATOS
- Investigation of structural lubricity on platinum nanoparticles under ambient conditions
Platin nanoparçacıkların ortam koşullarında yapısal kayganlığının araştırılması
ALPER ÖZOĞUL
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Makine Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MEHMET ZEYYAD BAYKARA
- Farklı aşındırma parametreleri ile oluşturulan kapı elektrodu'nun GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör aygıtları üzerindeki etkisi
The effect of gate electrode on GaN hemt devices fabricatedwith di̇fferent etching parameters
İRFAN ALP GEZGİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ELMALI