III-V grubu yarıiletken bileşiklerin raman özellikleri
The raman properties of semiconductor compounds
- Tez No: 196560
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MEHMET MAHİR BÜLBÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 63
Özet
x+y » 47%)'a uygun-örgü In1-x-yGaxAlyAs dörtlüBu çalışmada, InP (ilealaşımlardaki boyuna optiksel fononların Raman saçılması incelendi. Dörtlüalaşım numuneler moleküler demet büyültme (MBE) ile (001) InP alttaşlarüzerine tabakalar halinde büyütüldü. Raman fonon spektrumu, InAs-, GaAs-and AlAs-benzer boyuna optik fonon modlarını sağlayan bir üç-mod davranışıgösterdi. GaAs ve AlAs-benzer modların frekansları, Ga (veya Al) yoğunluklarıile lineer olarak değişirken InAs-benzer fononun konumu neredeyse sabitkalmaktadır. Modların şiddet oranlarının, bileşimlerine karşılık gelen oranlaorantılı olduğu görüldü. Düzensiz-etkiler sebebiyle oluşan LO fonon modlarınınRaman çizgi şekillerin asimetrik genişliği ?konumsal koralasyon? yaklaşımı ileen iyi şekilde açıklanabildi.Bilim Kodu : 4040501Anahtar Kelimeler : Dörtlü bileşikler, fonon modları, Raman spektrumu,RCI modelSayfa Adedi : 51Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. M. Mahir BÜLBÜL
Özet (Çeviri)
In this work, Raman scattering by longitudinal optical phonons in In1-x-yGaxAlyAs quaternary alloys lattice-matched to InP(with x+y » 47%) wasinvestigated. The quaternary alloy samples were grown as epilayers on (001)InP substrates by molecular beam epitaxy. The Raman phonon spectra show athree-mode behaviour involving the InAs-, GaAs- and AlAs-like longitudinaloptic phonon modes. The frequencies of GaAs and AlAs-like modes varylinearly with the concentration of the Ga (or Al) while the position of the InAs-like phonon remains nearly constant. We show that the ratio of intensities of themodes is proportional to the corresponding ratio of their compositions. Theasymmetric broadening in the Raman line shapes of the LO phonon mode dueto the disorder-activations can adequately be explained by a spatial correlationapproach.Science Code : 4040501Key Words : Quaternary, phonon modes, Raman spectra, RCI modelPage Number : 51Adviser : Asist. Prof. Dr. M. Mahir BÜLBÜL
Benzer Tezler
- III-V grubu bileşiklerin elektrik / elektronik özelliklerine dislokasyonların elastik zorlanma enerjisinin etkisinin incelenmesi
The examination of effects of the elastic strain energy of dislocations on electri-city / electronic properties of III-V group compounds
YILDIRIM AYDOĞDU
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET CEYLAN
- Readout circuit design for III-V group semiconductors based photosensor
III-V grubu yarıiletken tabanlı fotosensör okuma devresi tasarımı
SARA BETÜL GÜLER
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Bilgi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAYKAL SARIOĞLU
- Bizmut ve nitrojen içeren III-V grubu yarıiletken alaşımların fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Examination of physical properties of III-V semiconductor alloys including bismuth and nitrogen
BATTAL GAZİ YALÇIN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ASLAN
- Güneş hücresi ve lazer uygulamaları için büyütülen SB tabanlı III-V grubu yarıiletken yapıların incelenmesi
Investigation of grown SB-based III-V group semiconductor structures for solar cell and laser applications
SABAHATTİN ERİNÇ ERENOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiEskişehir Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BURCU ARPAPAY
- Silicon germanium multi quantum wells for high efficiency optoelectronic devices
Silisyum germanyum çoklu kuantum kuyuları içeren yüksek verimli optoelektronik aygıtlar
ALPER YEŞİLYURT
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY