AlGaN schottky fotodedektör yapının optiksel ve yüzeysel özellikleri
The optical and morphological properties of AlGaN schottky photodetector
- Tez No: 199405
- Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET ÇAKMAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yüzey, AlGaN, Fotolüminesans, Dedektör, Surface, AlGaN, Photoluminescence, DetectorPage Number : 49: Assoc. Prof. Dr. Mehmet ÇakmakAdviser
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Al0.52Ga0.48N SCHOTTKY FOTODETEKTÖR YAPININ OPTİKSEL VEYÜZEYSEL ÖZELLİKLERİ(Yüksek Lisans Tezi)Burcu YILDIRIMGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜŞubat 2007ÖZETBu çalışmanın amacı, Al0,52Ga0,48N üçlü alaşımının tavlama işlemi uygulanarakyüzey morfolojisinin ve PL spektrumundaki değişimin araştırılmasıdır.Alaşımın oda sıcaklığında, 800, 900, 960 0C'de 240 sn tavlandıktan sonraAtomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ve Fotolüminesans (PL) ölçümlerialınmıştır. Tavlama sıcaklığına bağlı olarak yüzey pürüzlülüğü önemli ölçüdeazaldı. Bununla birlikte PL şiddeti tavlamaya bağlı olarak önemli bir artışgösterdi.Bilim Kodu : 202.1.147
Özet (Çeviri)
THE OPTICAL AND MORPHOLOGICAL PROPERTIES OF ALGANSCHOTTKY PHOTODETECTOR(M.Sc. Thesis)Burcu YILDIRIMGAZI UNIVERSITYINSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYFebruary 2007ABSTRACTThe purpose of this study is to search the charge of surface morphology andphotoluminescence spectrum by annealing the ternary alloy Al0.52Ga0.48N. Afterannealing the alloy at the room temprature, 800 0C, 900 0C, 960 0C for 240 s, themeasurementes of AFM and PL has been done. On the other hand, it isobserved that by increasing temperature surface roughness (RMS) falls downsharply. Besides that, PL radiation intensity exhibits significant increase withannealing.Science Code : 202.1.147
Benzer Tezler
- Al0.47Ga0.53N Schottky fotodedektör yapının optik ve morfolojik özellikleri
The optical and morphological properties of Al0.47Ga0.53N Schottky photodetector
MEHMET ŞEFTALİCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
- Arayüzey tabakalı metal-yarıiletken fotodiyotların hazırlanması, elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Preparation of metal-semiconductor photodiodes with interface layers and investigation of their electrical and optical properties
OMAR KATER
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Mekatronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERHAT ORKUN TAN
- GaN/AlGaN-based UV photodetectors wıth performances exceedıng the pmts
Pmt performansını geçen GaN/AlGaN-tabanlı UV fotodedektörler
TURGUT TUT
Doktora
İngilizce
2008
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- AlGaN UV photodetectors: From micro to nano
AlGaN UV fotodedektörler: Mikrodan nanoya
SERKAN BÜTÜN
Doktora
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- High performance AlxGa1-xN based UV photodetectors for visible/solar-blind applications
Görünür/güneş körü uygulamalar için yüksek performanslı AlxGa1-xN temelli mor-ötesi fotodetektörler
NECMİ BIYIKLI
Doktora
İngilizce
2004
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. EKMEL ÖZBAY
PROF. ORHAN AYTÜR