Geri Dön

AlGaN schottky fotodedektör yapının optiksel ve yüzeysel özellikleri

The optical and morphological properties of AlGaN schottky photodetector

  1. Tez No: 199405
  2. Yazar: BURCU YILDIRIM
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET ÇAKMAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 62

Özet

Al0.52Ga0.48N SCHOTTKY FOTODETEKTÖR YAPININ OPTİKSEL VEYÜZEYSEL ÖZELLİKLERİ(Yüksek Lisans Tezi)Burcu YILDIRIMGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜŞubat 2007ÖZETBu çalışmanın amacı, Al0,52Ga0,48N üçlü alaşımının tavlama işlemi uygulanarakyüzey morfolojisinin ve PL spektrumundaki değişimin araştırılmasıdır.Alaşımın oda sıcaklığında, 800, 900, 960 0C'de 240 sn tavlandıktan sonraAtomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ve Fotolüminesans (PL) ölçümlerialınmıştır. Tavlama sıcaklığına bağlı olarak yüzey pürüzlülüğü önemli ölçüdeazaldı. Bununla birlikte PL şiddeti tavlamaya bağlı olarak önemli bir artışgösterdi.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : Yüzey, AlGaN, Fotolüminesans, DedektörSayfa Adedi : 49Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet ÇAKMAK

Özet (Çeviri)

THE OPTICAL AND MORPHOLOGICAL PROPERTIES OF ALGANSCHOTTKY PHOTODETECTOR(M.Sc. Thesis)Burcu YILDIRIMGAZI UNIVERSITYINSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYFebruary 2007ABSTRACTThe purpose of this study is to search the charge of surface morphology andphotoluminescence spectrum by annealing the ternary alloy Al0.52Ga0.48N. Afterannealing the alloy at the room temprature, 800 0C, 900 0C, 960 0C for 240 s, themeasurementes of AFM and PL has been done. On the other hand, it isobserved that by increasing temperature surface roughness (RMS) falls downsharply. Besides that, PL radiation intensity exhibits significant increase withannealing.Science Code : 202.1.147Key Words : Surface, AlGaN, Photoluminescence, DetectorPage Number : 49: Assoc. Prof. Dr. Mehmet ÇakmakAdviser

Benzer Tezler

  1. Al0.47Ga0.53N Schottky fotodedektör yapının optik ve morfolojik özellikleri

    The optical and morphological properties of Al0.47Ga0.53N Schottky photodetector

    MEHMET ŞEFTALİCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK

  2. GaN/AlGaN-based UV photodetectors wıth performances exceedıng the pmts

    Pmt performansını geçen GaN/AlGaN-tabanlı UV fotodedektörler

    TURGUT TUT

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  3. AlGaN UV photodetectors: From micro to nano

    AlGaN UV fotodedektörler: Mikrodan nanoya

    SERKAN BÜTÜN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  4. High performance AlxGa1-xN based UV photodetectors for visible/solar-blind applications

    Görünür/güneş körü uygulamalar için yüksek performanslı AlxGa1-xN temelli mor-ötesi fotodetektörler

    NECMİ BIYIKLI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. EKMEL ÖZBAY

    PROF. ORHAN AYTÜR

  5. AlxGa1-xN'a dayalı devre elemanı üretimi ve elektriksel karakterizasyonu

    Fabrication of AlxGa1-xN based schottky contacts and electrical characterization

    ABDULLAH AKKAYA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ