AlxGa1-xN yarı iletken alaşımının enerji-bant hesaplamaları
Energy-bant calculation of AlxGa1-xN alloys
- Tez No: 199852
- Danışmanlar: PROF.DR. BÜLENT KUTLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 64
Özet
AlxGa1-xN YARIİLETKEN ALAŞIMININ ENERJİ-BANTHESAPLAMALARI(Yüksek Lisans Tezi)Ayten KAYAGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜŞubat 2007ÖZETBu çalışmada zinc-blende yapıdaki AlxGa1-xN alaşımının fiziksel özelliklerinin Alkonsantrasyonuna bağlı değişimi Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (DFT) ile belirlenmiştir.Elektronların değiştokuş-korelasyon enerjileri ultrasoft sözde potansiyel ile GGA-PBEfonksiyoneli kullanılarak tanımlanmıştır. Yapılan ön çalışmalar hesaplamalar içinuygun kesilim enerjisinin GaN için 330 eV ve AlN için 280 eV olduğunu göstermektedir.Hesaplamalar 2x2x1 süper örgü AlxGa1-xN alaşımını için 350 eV kesilim enerjisindeyapılmıştır. Her bir konsantrasyon için enerji-bant ve durum yoğunluğu hesaplamalarıyapılmış, yasak enerji aralığının konsantrasyona bağlı değişimini karakterize edenbowing (b) parametresi doğrudan bant geçişinde b(ÎÎ) 0,1eV , dolaylı bant geçişindeb(ÎX) değeri -0,04 eV bulunmuştur. CASTEP ile elde edilen bowing parametre değerleridiğer hesaplama değerleriyle uygunluk göstermektedir.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : YFT, AlxGa1-xN, yasak enerji aralığıSayfa Adedi : 52Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Bülent KUTLU
Özet (Çeviri)
ENERGY-BANT CALCULATION OF AlxGa1-xN ALLOYS(M.Sc. Thesis)Ayten KAYAGAZI UNIVERSITYINSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYFebruary 2007ABSTRACTThe variation, related to Al concentration of the physical properties of zinc-blendeAlxGa1-xN were performed using CASTEP programme within the framework of densityfunction theory (DFT). The exchange-corelation energy of the electrons is described inthe GGA-PBE function with ultrasoft pseudopotential. The calculations show that, theconvenient cut-off energy is 330 eV for GaN and 280 eV for AlN. For 2x2x1 supercellAlxGa1-xN, the calculations were performed with 350 eV cut-off energy and produced theenergy-band gaps and the density of states (DOS) for each concentrations of Al. We notethat the bowing parameter which was determining the variation, related to Alconcentration of the energy-band gap is 0,1 for the direct band-gap and -0,04 for theindirect band-gap. The values of the bowing parameter which were performed withCASTEP are agreeable with the other calculation values.Science Code : 202.1.147Key Words : DFT, AlxGa1-xN, energy gapPage Number : 52: Prof. Dr. Bülent KUTLUAdviser
Benzer Tezler
- AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures
SABİT KORCAK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- GaN/AlGaN-based UV photodetectors wıth performances exceedıng the pmts
Pmt performansını geçen GaN/AlGaN-tabanlı UV fotodedektörler
TURGUT TUT
Doktora
İngilizce
2008
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- The growth, fabrication and characterisation of high performance AlxGa1-xN metal-semiconducto-metal photodiodes
Yüksek performanslı AlxGa1-xN metal-yarıiletken-metal fotodiyotların büyütülmesi, üretilmesi ve karakterizasyonu
SERKAN BÜTÜN
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. EKMEL ÖZBAY
- AlGaN ince filminin ısıl işlem sonrası yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
An investigation of optical and structural properties of AlGaN thin films after thermal processing
YASEMİN DİNÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ORHAN ZEYBEK
- Morötesi̇ bölgede işik yayan di̇yot yapilarinin (UV-LED) büyütülmesi̇ ve karakteri̇zasyonu
Growth and characterization of ultraviolet light emitting diode (UV-LED)
BARIŞ BULUT
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ