Al/N-Si (MIS) Schottky diyotlarında arayüzey hallerinin ve seri direncin I-V, C-V, C-f karakteristiklerine etkileri
In Al/N-Si Schottky diodes effects of interface states on I-V, C-V, C-f characteristics
- Tez No: 200946
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Özet yok.
Özet (Çeviri)
Özet çevirisi mevcut değil.
Benzer Tezler
- Cu katkılı PbO ince filmlerin SILAR tekniği ile üretilmesi, karakterizasyonu ve Al/(%2-4-6-8)Cu:PbO/p-Si Schottky diyotun elektronik özellikleri
Production and characterization of Cu-doped PbO thin films by SILAR technique and electronic properties of Al/(2-4-6-8%)Cu:PbO/p-Si Schottky diode
BURAK OKAN YAZAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması
y-ray irradiation effect on the calculation of electronic parameters of a Al/p-Si Schottky barrier diode
SERHAT GÜLOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. ENVER AYDIN
- Metal/ GaAs ve metal/ yalıtkan/ GaAs schottky diyotların akım-kapasite-gerilim karakteristiklerinin incelenmesi
The Determination of the current-capaticance-conductance characteristics of metal/ GaAs and metal/ insulator/ GaAs schottky diodes
NEZİR YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Trifenilamin-dibenzotiyazol türevi arayüzey tabakalı al/n-si schottky diyotlarda kapasitans-iletkenlik-gerilimkarakteristiklerinin frekansla değişiminin araştırılması
Investigation of the variation of capacitance-conductivity-voltage characteristics with frequency in al/n-si schottky diodes with triphenylamine-dibenzothiazole derived interfacial layer
BÜLENT İŞTAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- Plazma nitrürleme ile Si(100) yüzeyi üzerine büyütülen arayüzey tabakasının Schottky diyot parametreleri üzerine etkisi
The effect of the interface layer grown on Si(100) surface by plasma nitridation on the Schottky diode parameters
BEHİYE BOYARBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ