Geri Dön

Al/N-Si (MIS) Schottky diyotlarında arayüzey hallerinin ve seri direncin I-V, C-V, C-f karakteristiklerine etkileri

In Al/N-Si Schottky diodes effects of interface states on I-V, C-V, C-f characteristics

  1. Tez No: 200946
  2. Yazar: HALİL SEYMEN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 52

Özet

Özet yok.

Özet (Çeviri)

Özet çevirisi mevcut değil.

Benzer Tezler

  1. Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures

    DİLBER ESRA YILDIZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi

    Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature

    İLBİLGE DÖKME

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  3. Plazma nitrürleme ile Si(100) yüzeyi üzerine büyütülen arayüzey tabakasının Schottky diyot parametreleri üzerine etkisi

    The effect of the interface layer grown on Si(100) surface by plasma nitridation on the Schottky diode parameters

    BEHİYE BOYARBAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ

  4. MIS yapılarda ara yüzey karakterizasyonu

    Interface characterization of MIS structures

    RIDVAN OKUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEMA BİLGE OCAK

  5. Yalıtkan arayüzey tabakası ve seri dirence sahip Al/ SnO2/ p-Si schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    Investigation of temperature dependent electrical characteristics of Al/ SnO2/ p-Si schottky diodes with serial resistance and interfacial insulator layers

    ZEKİ TEKELİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL