Al/N-Si (MIS) Schottky diyotlarında arayüzey hallerinin ve seri direncin I-V, C-V, C-f karakteristiklerine etkileri

Benzer Tezler

1. Tez No

   936406

   Cu katkılı PbO ince filmlerin SILAR tekniği ile üretilmesi, karakterizasyonu ve Al/(%2-4-6-8)Cu:PbO/p-Si Schottky diyotun elektronik özellikleri

   Production and characterization of Cu-doped PbO thin films by SILAR technique and electronic properties of Al/(2-4-6-8%)Cu:PbO/p-Si Schottky diode

   BURAK OKAN YAZAN

   Yüksek Lisans

   

   Türkçe

   2025

   Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

   Fizik Ana Bilim Dalı

   PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR

2. Tez No

   940146

   Trifenilamin-dibenzotiyazol türevi arayüzey tabakalı al/n-si schottky diyotlarda kapasitans-iletkenlik-gerilimkarakteristiklerinin frekansla değişiminin araştırılması

   Investigation of the variation of capacitance-conductivity-voltage characteristics with frequency in al/n-si schottky diodes with triphenylamine-dibenzothiazole derived interfacial layer

   BÜLENT İŞTAR

   Yüksek Lisans

   

   Türkçe

   2025

   EnerjiGiresun Üniversitesi

   Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

   PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU

3. Tez No

   233940

   Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

   The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures

   DİLBER ESRA YILDIZ

   Doktora

   

   Türkçe

   2008

   Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

   Fizik Bölümü

   DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

4. Tez No

   125826

   Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi

   Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature

   İLBİLGE DÖKME

   Doktora

   

   Türkçe

   2002

   Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

   Fizik Ana Bilim Dalı

   YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

5. Tez No

   177655

   Plazma nitrürleme ile Si(100) yüzeyi üzerine büyütülen arayüzey tabakasının Schottky diyot parametreleri üzerine etkisi

   The effect of the interface layer grown on Si(100) surface by plasma nitridation on the Schottky diode parameters

   BEHİYE BOYARBAY

   Yüksek Lisans

   

   Türkçe

   2007

   Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

   Fizik Ana Bilim Dalı

   PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ