Trifenilamin-dibenzotiyazol türevi arayüzey tabakalı al/n-si schottky diyotlarda kapasitans-iletkenlik-gerilimkarakteristiklerinin frekansla değişiminin araştırılması
Investigation of the variation of capacitance-conductivity-voltage characteristics with frequency in al/n-si schottky diodes with triphenylamine-dibenzothiazole derived interfacial layer
- Tez No: 940146
- Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 58
Özet
Bu tez çalışmasında, BBFA (4-(benzo[d]tiyazol-2-yl)-N-(4-(benzo[d]tiyazol-2-yl)fenil)-N-fenilanilin) isimli organik yarıiletken bileşiği sentezlenmiş ve Al/BBFA/n-Si/Al yapı konfigürasyonuna sahip Schottky diyotlarda arayüzey modifikasyon malzemesi olarak etkinliği incelenmiştir. Yapının alt tabakası olarak n-tipi silisyum (n-Si) yarıiletken kristali kullanılmıştır. Aygıt karakterizasyonu, -2V ile +2V arasında değişen DC öngerilimler altında ve 10 kHz - 1 MHz aralığındaki alternatif sinyaller ile gerçekleştirilmiştir. Kapasitans-gerilim (C–V) ve iletkenlik-gerilim (G–V) ölçümleri, oda sıcaklığında ve karanlık ortam koşullarında yapılmıştır. Ölçüm sonuçları, yapının metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) tipi karakteristikler sergilediğini göstermiştir. C–V karakteristiklerinden, yapının terslenim, tüketim ve yığılma bölgelerine ait geçiş davranışları net şekilde gözlemlenmiştir. Ayrıca, arayüzey seri direnç (R_s) etkilerinin analizi için Nicollian-Brews yöntemi uygulanmış; R_s değerleri frekans ve uygulanan gerilime bağlı olarak hesaplanmıştır. Elde edilen seri direnç değerleri, düzeltilmiş kapasitans (C_c) ve iletkenlik (G_c) parametrelerinin belirlenmesinde kullanılmış ve bu sayede arayüzey kalitesine ilişkin detaylı yorumlar yapılmıştır. Ayrıca, kapasite-iletkenlik-frekans (C–G–f) ölçümleri, -2V - +2V bias aralığında ve 10 kHz–1MHz frekans aralığında gerçekleştirilmiştir. Elde edilen veriler kullanılarak, frekansa bağlı arayüzey durum yoğunluğu N_ss ve durulma zamanı (τ) parametreleri hesaplanmıştır
Özet (Çeviri)
In this thesis, an organic semiconductor compound named BBFA (4- ( benzo [d] tiyazol-2-yl )-N-(4-( benzo[d]tiyazol-2-yl) fenil )-N-fenilanilin) was synthesized and its effectiveness as an interfacial modification layer was investigated in Schottky diodes with the configuration Al/BBFA/n-Si/Al. The base substrate of the structure consisted of n-type silicon (n-Si) semiconductor crystal. Device characterization was performed under DC bias voltages ranging from −2 V to +2 V and in the frequency range of 10 kHz to 1 MHz using AC signals. Capacitance–voltage (C–V) and conductance–voltage (G–V) measurements were conducted at room temperature and in dark ambient conditions. The measurement results revealed that the structure exhibited characteristics of a metal–insulator–semiconductor (MIS) configuration. From the C–V characteristics, the transitions corresponding to accumulation, depletion, and inversion regions were clearly observed. Additionally, the Nicollian–Brews method was applied to analyze the effects of interface series resistance (R_s), and R_s values were calculated as a function of frequency and applied bias. The obtained R_s values were used to determine the corrected capacitance (C_c) and conductance (G_c) parameters, allowing for a detailed assessment of the interface quality. Furthermore, capacitance–conductance–frequency (C–G–f) measurements were carried out in the bias range of -2V - +2V and the frequency range of 10 kHz to 1 MHz. Based on the experimental data, frequency-dependent interface state density (N_ss) and relaxation time (τ) parameters were calculated.
Benzer Tezler
- Trifenilamin ve maleonitril içeren organik arayüzey tabakalı diyotların elektriksel parametrelerinin ışığa bağlı akım-voltaj ölçümlerinden belirlenmesi
Determination of electrical parameters of organic interface layer diodes containing triphenylamine and maleonitrile from light-dependent current-voltage measurements
MEHMET EMİN SÜNER
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERKAN EYMUR
- Trifenilamin içeren yeni reseptörlerin sentezi ve metal iyonlarına karşı fotofiziksel özelliklerin incelenmesi
Synthesis of new receptors containing triphenylamine and investigation of photophysical properties against metal ions
AYBALA SULTAN GÜDENOĞLU
- Trifenilamin türevlerinin sentezi ve spektroskopik özelliklerinin incelenmesi
The synthesis of triphenylamine derivatives and investigation of spectroscopic properties
NEFİSE KILIÇ
- Trifenilamin temelli schıff bazı bileşiklerinin sentezi ve metal iyonlarına karşı sensör özelliklerinin incelenmesi
Synthesis of some triphenylamine-based schiff compounds and investigation of the sensor properties against metal ions
NURDAN GİRGİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
KimyaÇanakkale Onsekiz Mart ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİĞDEM ERDENER ÇIRALI
- Trifenilamin temelli donör-π-akseptör-donör (D-π-A-D) sistemi içeren yeni fonksiyonel boyar maddelerin sentezi, fotofiziksel, nlo ve ısısal özelliklerinin araştırılması
Investigation of synthesis, photophysical, nlo and thermal properties of new functional dyes with trifenylamine based Donor-π-Acceptor-Donor system
EMİNE ÇATAL