MBE ile büyütülen Si delta-katkılı GaAs'nin elektriksel ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and structural properties of Si delta-doped GaAs grown by MBE
- Tez No: 201112
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 90
Özet
Bu çalısmada, Moleküler Demet Epitaksi ile büyütülmüs Si delta-katkılı GaAs yarıiletkeninin elektriksel ve yapısal özellikleri incelendi. Hall ölçümleri 0,4 T'lık sabit magnetik alan altında 30-300K sıcaklık aralıgında yapıldı. Mobiliteyi teorik olarak hesaplamak için, dislokasyon saçılması hariç çesitli saçılma mekanizmalarını içeren Boltzmann denkleminin iteratif çözümü kullanıldı. Teorik ve deneysel sonuçlar karsılastırılarak dislokasyon saçılmasının karakteri ve baskın saçılma mekanizmaları belirlendi. Çalısma kapsamında büyütülen numunelerin yapısal özellikleri yüksek çözünürlüklü X-ısını kırınımı ile belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this work, electrical and structural properties of Si delta-doped GaAs semiconductor were investigated. Hall measurements were made in the temperature of interval 30-300K at 0.4T magnetic field. To calculate the mobility, iterative solution of Boltzmann equation including the different scattering mechanism exclude dislocation scattering has been used. Comparing theoretical and experimental results, character of dislocation scattering and dominant scattering mechanism were determined. High resolution X-ray measurements were used to study the structural properties of samples.
Benzer Tezler
- Epitaksiyel ince yarıiletken filmlerin ikincil iyon kütle spektrometre parametrelerinin incelenmesi
Investigation of parameters of the epitaxial thin semiconductor films obtained from SIMS
SEVİLAY KÖSE
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN
- Yarıiletken ince filmlerin iç yapılarının incelenmesi
Microstructural investigation of semiconductor thin films
MEHMET KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF ATICI
- Characterization of molecular beam epitaxially grown CDTE layers over gaas by spectroscopic ellipsometry
Moleküler demet epitaksi ile gaas üzerine büyütülen CDTE katmanlarının spektroskopik elipsometri ile karakterizasyonu
MERVE GÜNNAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELAMET
- InxGa1-xP/GaAs yarıiletkeninin sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özelliklerinin incelenmesi
The investigation of temperature dependent electrical transport properties of InxGa1-xP/GaAs
EMİNE BOYALI
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET KASAP
- Characterization of lattice mismatch induced dislocations on epitaxial CdTe films
Epitaksiyel CdTe filmlerin örgü uyumsuzluğundan kaynaklanan dislokasyonların karakterizasyonu
ELİF BİLGİLİSOY
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELAMET