InxGa1-xP/GaAs yarıiletkeninin sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özelliklerinin incelenmesi
The investigation of temperature dependent electrical transport properties of InxGa1-xP/GaAs
- Tez No: 343680
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemiyle büyütülen Si ve Be katkılı InxGa1-xP/GaAs alaşım yarıiletkenlerinin sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özellikleri araştırıldı. Sıcaklık bağımlı Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 0,4 Tesla sabit manyetik alan altında 30-300 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Geleneksel analiz yöntemleri kullanılarak, katkılı InxGa1-xP/GaAs yarıiletkenlerinde iletkenliğin safsızlık bandında gerçekleştiği ve iletimin metalik tipte olduğu tespit edildi. Ölçüm sonuçları, safsızlık bandı iletiminin metalik modeli kullanılarak analiz edildi ve iletkenlik parametreleri elde edildi. Bulunan parametrelerin literatür ile uyumlu olduğu görüldü. Sonuç olarak; katkılı InxGa1-xP/GaAs alaşım yarıiletkenlerinde, elektron-elektron ve zayıf lokalizasyon etkileşimlerinin baskın olduğu belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this work, temperature dependent electrical transport properties of doped (with Si and Be) InxGa1-xP/GaAs alloy semiconductors grown Molecular Beam Epitaxy (MBE) have been investigated. The temperature dependent Hall effect and resistivity measurements were made in a temperature range of 30-300 K at a constant magnetic field of 0,4 Tesla. Using the conventional analyses method, it has been determined that the conductivity takes place in the impurity band. The measurement results have been analyzed using the metallic type of impurity band conduction, and the transport parameters have also been obtained. It has been shown that the parameters obtained are in agreement with the related literature. Finally, it has been determined electron-electron and weak localization interactions were dominated the conductivity in doped InxGa1-xP/GaAs alloy semiconductors.
Benzer Tezler
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Bazı yarı iletkenlerin elektronik, elastik ve optik özelliklerinin ab initio metodu ile incelenmesi
Ab initio calculation of electronic, elastic and optical prooerties of some semiconductor structures
MAZİN OTHMAN
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGÜN KASAP
- GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n eklem yapılarının optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of GaAsP/GaAs and InGaN/GaN p-n junction structures
SAİME ŞEBNEM ÇETİN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Inxga1-xn (x= 0,075; 0,090; 0,100) Mavi led'lerin mikroyapısal kusurlarının ters örgü uzay haritası ile incelenmesi
Investigation of Inxga1-xn (x= 0,075; 0,090; 0,100) Blue led's mi̇crostructure defects from reciprocal space mapping
YUNUS BAŞ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
DOÇ. DR. HALİT ALTUNTAŞ
- Molecular beam epitaxy growth of InP/InGaAs structures for short wavelength infrared photodetectors
InP/InGaAs yapılarının kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörler için moleküler ışın epitaksisi tekniği ile büyütülmesi
OĞUZHAN TEMEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
PROF. DR. MEHMET PARLAK