InxGa1-xP/GaAs yarıiletkeninin sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özelliklerinin incelenmesi
The investigation of temperature dependent electrical transport properties of InxGa1-xP/GaAs
- Tez No: 343680
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 97
Özet
Bu tez çalışmasında, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemiyle büyütülen Si ve Be katkılı InxGa1-xP/GaAs alaşım yarıiletkenlerinin sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özellikleri araştırıldı. Sıcaklık bağımlı Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 0,4 Tesla sabit manyetik alan altında 30-300 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Geleneksel analiz yöntemleri kullanılarak, katkılı InxGa1-xP/GaAs yarıiletkenlerinde iletkenliğin safsızlık bandında gerçekleştiği ve iletimin metalik tipte olduğu tespit edildi. Ölçüm sonuçları, safsızlık bandı iletiminin metalik modeli kullanılarak analiz edildi ve iletkenlik parametreleri elde edildi. Bulunan parametrelerin literatür ile uyumlu olduğu görüldü. Sonuç olarak; katkılı InxGa1-xP/GaAs alaşım yarıiletkenlerinde, elektron-elektron ve zayıf lokalizasyon etkileşimlerinin baskın olduğu belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this work, temperature dependent electrical transport properties of doped (with Si and Be) InxGa1-xP/GaAs alloy semiconductors grown Molecular Beam Epitaxy (MBE) have been investigated. The temperature dependent Hall effect and resistivity measurements were made in a temperature range of 30-300 K at a constant magnetic field of 0,4 Tesla. Using the conventional analyses method, it has been determined that the conductivity takes place in the impurity band. The measurement results have been analyzed using the metallic type of impurity band conduction, and the transport parameters have also been obtained. It has been shown that the parameters obtained are in agreement with the related literature. Finally, it has been determined electron-electron and weak localization interactions were dominated the conductivity in doped InxGa1-xP/GaAs alloy semiconductors.
Benzer Tezler
- Bazı yarı iletkenlerin elektronik, elastik ve optik özelliklerinin ab initio metodu ile incelenmesi
Ab initio calculation of electronic, elastic and optical prooerties of some semiconductor structures
MAZİN OTHMAN
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGÜN KASAP
- InxGa1-xN yarı iletkenin elektron iletim özellikleri
Electron transport properties of InxGa1-xN
ABDULLAH YILDIZ
- InxGa1-xAs/InyAl1-yAs tabanlı kuantum çağlayan lazer yapılarının büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs based quantum cascade laser structures
İLKAY DEMİR
Doktora
Türkçe
2017
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- InxGa1-xAs / GaAs çoklu kuantum kuyu yapısının mbe tekniği ile büyütülmesi: Yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The growth of InxGa1-xAs / GaAs multi quantum well structure with mbe technique: The investigation of the structural, optical and electrical properties
BARIŞ KINACI
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD.DOÇ.DR. MEHMET BAHAT
- InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) süperörgüsünün MBE ile büyütülmesi ve elektriksel-yapısal özelliklerinin belirlenmesi
Determination of electrical and structural properties of InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) superlattice grown by MBE
BEYZA SARIKAVAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK