Yarıiletkenlerde polaron oluşumu
The polaron formation in semiconductors
- Tez No: 233611
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MESUDE SAĞLAM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
Bu çalışmanın amacı yarıiletkenlerde polaron oluşumunu araştırmak ve bunu Gaussiyen kuantum noktalarındaki polaron etkilerine genişletmektir. Bu çalışmada; ilk olarak polaron konusuna giriş yapıldı ve yarıiletkenlerde polaron oluşumu incelendi. Daha sonra Fröhlich Hamiltoniyeni türetildi. Ardından Gaussiyen kuantum noktalarında polaron etkilerinin incelendiği bir örnek sunuldu. Örnekte, öncelikle N-boyutlu Gaussiyen potansiyelde hareket eden Bloch kütleli elektronun, frekanslı boyuna optik (LO) fononlarla etkileştiği sistemin Fröhlich Hamiltoniyeni tanımlandı. Burada Feynman birimleri ile çalışıldı. Hesaplamalar Lee-Low-Pines-Huybrechts (LLPH) metodu ile yapıldı. N-boyutta elde edilen sonuçlar iki ve üç boyuta indirgenerek incelendi. LLPH metodu ile elde edilen sonuçlar, Rayleih-Schrodinger Pertürbasyon teorisi (RSPT) ve Feynman-Haken Path-İntegral metodu (FHPIM) ile elde edilen sonuçlarla karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
The aim of this work is to investigate the polaron formation in semiconductors and then extend it to the polaron effects in the Gauusian dots. In this work, first an introduction to the subject of polaron is given and then the polaron formation in semiconductors is studied. Later the Fröclich Hamiltonian is derived. Afterword an example which deals with the polaron effects in the Gauusian dots is given. In that example the Fröclich Hamiltonian is defined for an electron of Bloch mass m moving in an N- dimensional Gauusian potential and interacting with the longitudinal optical (LO) phonons of frequency. Here the Feynman units are used. The calculations are carried out by Lee-Low-Pines-Huybrechts (LLPH) method. The results that found for N-dimensions are reduced and then anlysed to two and three dimensions. The results obtaied by the LLPH method are compared with that of the Rayleih-Schrodinger Pertürbasyon theory (RSPT) and the Feynman-Haken Path-İntegral method (FHPIM).
Benzer Tezler
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Organik yarı iletkenlerin polaron-bağlanma ve reorganizasyon enerjilerinin yüksek duyarlılıkla tahmin edilmesi
Accurate prediction of polaron-binding and reorganization energies of organic semiconductors
CİHAT GÜLERYÜZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLHAN YAVUZ
- CSA'nın P3HT VE MEH-PPV polimerlerinin fiziksel özelliklerine etkisi
Effect of CSA on the physical properties of P3HT and MEH-PPV polymers
CEM ULUDAĞ
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESRA ALVEROĞLU DURUCU
- Yarıiletkenlerde iletkenlik ölçümleri
Conductivity measurements in semiconductors
FERİDE ŞAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HÜLYA METİN
- Yarıiletkenlerde fotoiletkenlik ölçümleri ve modellemesi
Measurements and modelling of photoconductivity in semiconductors
NECDET HAKAN ERDOĞAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAMAZAN ESEN