Geri Dön

Yarıiletkenlerde polaron oluşumu

The polaron formation in semiconductors

  1. Tez No: 233611
  2. Yazar: ATA SEVİM
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MESUDE SAĞLAM
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2008
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ankara Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

Bu çalışmanın amacı yarıiletkenlerde polaron oluşumunu araştırmak ve bunu Gaussiyen kuantum noktalarındaki polaron etkilerine genişletmektir. Bu çalışmada; ilk olarak polaron konusuna giriş yapıldı ve yarıiletkenlerde polaron oluşumu incelendi. Daha sonra Fröhlich Hamiltoniyeni türetildi. Ardından Gaussiyen kuantum noktalarında polaron etkilerinin incelendiği bir örnek sunuldu. Örnekte, öncelikle N-boyutlu Gaussiyen potansiyelde hareket eden Bloch kütleli elektronun, frekanslı boyuna optik (LO) fononlarla etkileştiği sistemin Fröhlich Hamiltoniyeni tanımlandı. Burada Feynman birimleri ile çalışıldı. Hesaplamalar Lee-Low-Pines-Huybrechts (LLPH) metodu ile yapıldı. N-boyutta elde edilen sonuçlar iki ve üç boyuta indirgenerek incelendi. LLPH metodu ile elde edilen sonuçlar, Rayleih-Schrodinger Pertürbasyon teorisi (RSPT) ve Feynman-Haken Path-İntegral metodu (FHPIM) ile elde edilen sonuçlarla karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

The aim of this work is to investigate the polaron formation in semiconductors and then extend it to the polaron effects in the Gauusian dots. In this work, first an introduction to the subject of polaron is given and then the polaron formation in semiconductors is studied. Later the Fröclich Hamiltonian is derived. Afterword an example which deals with the polaron effects in the Gauusian dots is given. In that example the Fröclich Hamiltonian is defined for an electron of Bloch mass m moving in an N- dimensional Gauusian potential and interacting with the longitudinal optical (LO) phonons of frequency. Here the Feynman units are used. The calculations are carried out by Lee-Low-Pines-Huybrechts (LLPH) method. The results that found for N-dimensions are reduced and then anlysed to two and three dimensions. The results obtaied by the LLPH method are compared with that of the Rayleih-Schrodinger Pertürbasyon theory (RSPT) and the Feynman-Haken Path-İntegral method (FHPIM).

Benzer Tezler

  1. Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi

    Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure

    AYŞE EVRİM SAATCİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  2. Organik yarı iletkenlerin polaron-bağlanma ve reorganizasyon enerjilerinin yüksek duyarlılıkla tahmin edilmesi

    Accurate prediction of polaron-binding and reorganization energies of organic semiconductors

    CİHAT GÜLERYÜZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLHAN YAVUZ

  3. CSA'nın P3HT VE MEH-PPV polimerlerinin fiziksel özelliklerine etkisi

    Effect of CSA on the physical properties of P3HT and MEH-PPV polymers

    CEM ULUDAĞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ALVEROĞLU DURUCU

  4. Yarıiletkenlerde iletkenlik ölçümleri

    Conductivity measurements in semiconductors

    FERİDE ŞAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HÜLYA METİN

  5. Yarıiletkenlerde fotoiletkenlik ölçümleri ve modellemesi

    Measurements and modelling of photoconductivity in semiconductors

    NECDET HAKAN ERDOĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAMAZAN ESEN